第二章光電傳感器技術基礎光譜輻射量物理（客觀）度量方法光譜光度量人眼生理（主觀）上對輻射量進行計量光譜輻射量：光譜光通量①=dQvvdt給定波長入處極小給定波長單位時間內發①vb波長間隔d入內的W?卩m-i或W-nm-1射、傳播或接收的輻射V,b流［明］(lm)輻通量dee稱為單能，是輻射能的時間變色輻通量。化率光譜輻射出射度：MW?m-2光譜光出射度M (lm?m-2)v,b輻射源單位面積所_d①離開表面一點處面兀的d0輻射的通量M= eedS光通量除以該面元面M=—vvdS積。光譜輻射強度輻射源在某一方向I W?sr-ieb光譜發光強度I cdv,bTd①光度量中的基本量d0I= eI= V上單位立體角內的e d0V d0輻射通量。光譜輻射亮度面輻射源在某一方L(W?sr-i?m-2 )e,b光譜亮度：表面一點處L.(cd?m-2)vb的面兀在給定方向上的向上的單位投影表面在單位立體角內發光強度除以該面元在垂直于給定方向平面上的輻射通量。的正投影面積。光譜輻照度：單位e］( W?m-2)eb光譜光照度E）勒［克斯］（lx）vb受光面積上所接收廠 d①照射到表面一點處面兀d0的輻射通量E= eedA上的光通量除以該面元E=—vdA的面積。輻射效率：定義:面光源發出的總輻通量與光效n：定義:面光源發出的總光通量與它它所消耗的電功所消耗的電功率之比稱為光源的發光效率率之比稱為光源的輻效率2?公式：n=ev/P電2.公式:n=e/P無量綱3.單位:lm/we 電X100%3?斯忒藩-波爾茲曼定律M=LM?=衛4e,s 0e,s,九維恩位移定律入=2898（卩m）mT例1-1若可以將人體作為黑體，正常人體溫的為36.5°C,（1）試計算正常人體所發出的輻射出射度為多少W/m2?（2）正常人體的峰值輻射波長為多少ym?峰值光譜輻射出射度M入為多少？（3）人體發燒到38C時峰值輻射波長為多e,s,入m少？發燒時的峰值光譜輻射出射度M入又為多少？e,s,Am明視覺：錐體細胞的感光靈敏度低，在3cd/m2的亮度條件下作用，能分辨物體的顏色和細節。暗視覺：桿體細胞只能在黑暗的環境下作用，不能分辨顏色。中間視覺：介于這兩視覺之間的視覺光視效能：表征不同波長輻射下的響應能力，同一波長下光譜光通量與光譜輻通量之比： K（九）=土亠①e九色表：光源發光時，人眼直接看光源時光源所呈現的顏色。顯色性：某光源與標準光源分別照射同一物體時,人眼所產生的顏色類別用顯色指數來定量描述。色溫：待測輻射源在溫度T時所呈現的顏色與某一溫度T時的黑體顏色相同則稱cT為該輻射體光源的色溫。c內光電效應外光電效應光照射固體而從表面逸出電子的現象，稱為外光電效應。受光照物體電導率發生變化或產生光電動勢的效應稱為內光電效應。光電管、光電倍增管光敏電阻、反向工作的光敏二極管、光敏三極管光電陰極、光電倍增極、光電陽極。光線f光電陰極一加速并打在第一倍增極D上,產生二次發射；D的二次發射電子一加速入射到電極D上，這樣逐12級前進，一直到達陽極A為止。光電倍增管具有很高的靈敏度。光敏電阻靈敏度咼,體積小，重量輕,光譜響應范圍寬，機械強度咼，耐沖擊和振動，壽命長等優點。無光照電阻大（暗電阻）第三章：光源自然光源太陽月亮星光與天空電光源鎢絲燈氣體放電燈金屬蒸汽燈半導體發光二極管光源激光光源激光激光的產生機理一般涉及到受激輻射，粒子數反轉與諧振三個關鍵問題。要產生激光，必須使總發射大于總吸收。獲得激光輸出的3個必要條件為：必須將處于低能態的電子激發或泵浦到較高能態上去，為此需要泵浦源；要有大量的粒子數反轉，使受激輻射足以克服損耗；有一個諧振腔為出射光子提供正反饋及高的增益，用以維持受激輻射的持續振蕩。典型激光器：氦-氖激光器、半導體激光器LD第四章光電導器件光電導效應：光照引起材料電導變化的現象稱為光電效應。光敏電阻：利用具有光電導效應的材料可以制成電導率隨入射光輻射量變化而變化的器件，這類器件稱為光電導器件或簡稱PC。光敏電阻的特點：優點：光敏電阻光譜特性好、允許的光電流大、靈敏度高、使用壽命長、體積小無極性使用方便。許多光敏電阻對紅外線敏感，適宜于紅外線光譜區工作。缺點：響應時間長、頻率特性差、強光線性差、受溫度影響大、型號相同的光敏電阻參數參差不齊，并且由于光照特性的非線性，不適宜于測量要求線性的

場合，常用作開關式光電信號的傳感元件。光敏電阻的基本特性：暗電阻：光敏電阻在室溫條件下全暗后經過一定時間測量的電阻值，在給定電壓下流過的電流—暗電流。亮電阻：光敏電阻在某一光照下的阻值，此時流過的電流—亮電流。光電流：亮電流與暗電流之差。偏置電路基本偏置電路：iL基本偏置電路：iLR+RPLRi=PiLR+RPLRR.p~~iR+RPL結論：輸出電壓信號與弱輻射光入射輻射量成線性關系恒流電路：R>>RLP存在問題：難以滿足電路輸出阻抗的要求恒壓電路：R<<RLP存在問題：光敏電阻阻值變化范圍較大結論：結合晶體管，進一步優化偏置電路恒流電壓靈敏度：S=^wR2SvRPge輸出電壓變化與光敏電阻入射光輻射量變化的關系：u=UwR2Se=SeoRPgvVVe結論：電壓靈敏度代表輸出電壓波動對輻射強度變化的敏感性電壓靈敏度與光敏電阻阻值的二次方成正比采用較高阻值的光敏電阻可以獲得更高的光電壓靈敏度，恒壓：輸出電壓變化與光敏電阻入射光輻射量變化的關系u=—RSUeocgWv結論：1.輸出信號電壓與光敏電阻的阻值無關2.更換光敏電阻時只要光電導靈敏度不變即可保持輸出電壓不變例3-1在如圖3-15所示的恒流偏置電路中，已知電源電壓為12V,Rb為820Q，Re為3.3kQ，三極管的放大倍率不小于80,穩壓二極管的輸出電壓為4V,光照度為40lx時輸出電壓為6V，80lx時為8V。（設光敏電阻在30到100lx之間的y值不變）1） 輸出電壓為7伏的照度為多少？2） 該電路的電壓靈敏度多少？例3-2在如圖3-16所示的恒壓偏置電路中，已知D為2CW12型穩壓二極管，W其穩定電壓值為6V,設R=1kQ，R=510Q,三極管的電流放大倍率不小于80,bC電源電壓U=12V,當CdS光敏電阻光敏面上的照度為150lx時恒壓偏置電路的bb輸出電壓為10V,照度為450lx時輸出電壓為8V。輸出電壓為9V時的照度（設光敏電阻在100~500lx間的Y值不變）為多少lx？照度到500lx時的輸出電壓為多少？中心站放大器光照強：曝光時間短光照弱：曝光時間長光電特性和Y值：光敏電阻的光電特性是指在一定電壓作用下流過光敏電阻的電流與作用到光敏電阻上的光通量的關系。電導隨光照量變化越大的光敏電阻越靈敏I=SUaEY照度指數Y=弱光0.5~1強p g光電壓指數a?1比例系數Sg弱光線性（測量）強光非線性（控制）R 1 1 v聞—igRR— — Y= A BGSEy lgE—lgEg B A伏安特性：一定的光照下，光敏電阻的光電流與所加的電壓關系光敏電阻是一個純電阻，因此符合歐姆定律，其伏安特性曲線為直線。不同光照度對應不同直線光譜特性峰值波長在515?600nm，接近555nm，可用于與人眼有關的儀器，頻率特性響應時間：光敏電阻的時間響應比其他光電器件要差些，頻率響應要低些弱光T.T，強光則小于。光電導探測器的r f頻率特性差，不適于接收高頻光信號。光電載流子平均壽命（較大，ms）外接電路的時間常數（可忽略）3.時間響應（慣性）比其他光電器件差溫度特性隨著溫度的升高，光敏電阻的暗電阻和靈敏度都要下降，溫度的變化也會影響光譜特性曲線。光電響應特性隨著溫度的變化較大。前歷效應：是指光敏電阻的時間特性和工作前“歷史”有關的一種現象具體表現在穩定光照下阻值的明顯漂移。光敏電阻的暗電阻跟檢測前是否有曝光有關。噪聲特性主要包括熱噪聲、復合噪聲和低頻噪聲第五章光生伏特器件光生伏特效應：基于兩種材料相接觸形成內建勢壘，光子激發的光生載流子被內建電場掃向勢壘的兩邊，從而形成了光生電動勢。光生伏特效應是少數載流子導電的光電效應，而光電導效應是多數載流子導電的光電效應。硅光電二極管的電流方程：無光照時伏安特性曲線與普通PN結二極管的特性一樣，I二IfeqUkT-1］光電二極管必須工作在0.7v以下，否則不會產生DI丿光電效應。硅光電二極管與光電池結構區別：（3） 光電池在零偏置下工作，而硅光電二極管通常在反向偏置下工作（4） 硅光電二極管的光電流小得多。雪崩二極管光電二極管的p-n結加一相當高的反向偏壓，使結區產生一個很強的電場。當光激發的光生載流子進入結區后，在強電場的加速下獲得很大的能量，與晶格原子碰撞而使晶格原子發生電離，產生新的電子-空穴對，新產生的電子-空穴對在向電極運動過程中，又獲得足夠能量，再次與晶格原子碰撞，又產生新的電子-空穴對，這一過程不斷重復，使p-n結內電流成倍急劇增加，這種現象稱為雪崩倍增。APD利用這種效應而具有電流的放大作用。硅光電二極管PIN光電二極管雪崩二極管靈敏度：電流變化dI與輻射量變化之比dIS二i d①皿（1-e小）he增加了對長波的吸收，提咼了長波靈敏度。光譜響應：電流靈敏度與波長的關系曲線。時間響應：光電二極管的時間響應主要由載流子的渡越時間和RC時間常數決定。載流子的渡越時間：擴散時間、漂移時間延遲時間：RC時間常數主要因素是擴散時間反向偏壓，提咼了PIN光電二極管的頻率響應。耗時間響應加快。其電流倍增系數M定義“ I為M=廠0噪聲：低頻噪聲、散粒噪聲和熱噪聲。散粒噪聲是主要噪聲反偏工作，線性輸出范圍變寬。量子效率提高。噪聲主要為散粒噪聲。噪聲電流比信號電流增加得更快。

硅光電池光敏三極管光照中p-n結開路狀態時的物理過程，在不加偏電流放大作用只是它的集電極電流不只受置電壓情況下將光信號轉換成電信號，最佳負載基極電流控制，還受光的控制。電阻時，輸出電壓U=U=（0.6?0.7）U工作時要保證集電極反偏，發射極正偏。當m oc基極沒有引線時，集電極電流為UI二卩I二卩I二卩S①輸出電流IIS?① R —mm P I e,九 opt Ic b p im光電一極官的工作原理分為兩個過程:一是P=IU=(0.6?0.7)UI光電轉換；二是光電流放大。m mm ocp光電轉換部分是在集-基結區內進行，而集qU電極、基極、發射極構成了一個有放大作用I=I-1(ekT-1)L P D的晶體管。伏輸出電流和電壓隨負載電阻變化的曲線。某一光硅光電一極管的光電流在毫安量級，硅光電安照下，不同的負載電阻測得的輸出電流和電壓畫二極官在微女量級;②在零偏壓時硅光電二特成的曲線。極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒性有光電流輸出;③當工作電壓較低時輸出的光電流為非線性，即光電流與偏壓有關，但硅光電三極管的非線性較嚴重；光照特開路電壓曲線：光生電動勢與照度之間的特性曲性線；短路電流曲線：光電流與照度之間的特性曲線；負載電阻R越小，光電流與強度的線性關系越好，且線性范圍越寬。Wth光電轉光電池的輸出功率與入射輻射通量之比換效率最大n:當負載電阻為最佳負載電阻R時，光n電池輸出最大功率p與入射輻射通量之比。頻率特性輸出電流隨調制光頻率變化的關系硅光電三極管響應時間比光敏二極管長。硅光電池具有較咼的頻率響應;而硒光電池較差。光譜特硒光電池在可見光譜范圍內有較咼的靈敏度，適硅光敏二極管與硅光敏晶體管具有相同的性宜測可見光。硅光電池應用范圍更寬光譜響應。溫度特開路電壓和短路電流隨溫度變化的關系。最好能性保持溫度恒定，或采取溫度補償措施。光電位置敏感器件光電位置傳感器PSD是一種橫向光電效應器件，也是光點位置敏感，輸出信號與光點在光敏面上的位置有關。一維PSD及等效電路一維PSD主要用來測量光點在一維坐標（X）方向上的位置PSD;

C結電容、R結電阻jsh等效電路中：I光電流、VD理想二極管、R定位電阻、PDRd2O一對oX17(b圖3-37改進后的PSD器件(a)結構示意圖(b)等效電路TOC\o"1-5"\h\z(I+I)-(I +I)——xJ y x y—I+I+I+I(Ix+Ix')-(I+yI)——xZ y' x —I+I+I+Ixx'yy'

光生伏特器件的偏置電路反向偏置電路流過負載電阻R的電流I為I二I+I輸出電壓為U=U-1RL零伏偏置電路：電流放大型1!1ar?:一:NHL零伏偏置電路：電流放大型1!1ar?:一:NHP: °1o<>-*?:o/pL Lyo硅光電二極管和運算放大器的兩個輸入端同極性相連，運算放大器兩輸入端RR間的輸入阻抗是硅光電二極管的負載電阻，即Z=R^一―Z=Ru—f-inL1+Ainl1+A00當A二104R二100kQ時Z二100可以認為硅光電二極管處于短路狀態，能輸0fin出近于理想的短路電流。處于電流放大狀態的運算放大器，其輸出電壓與輸入短路電流成正比，即U=-1-R二一R-S?①o scf fi電壓放大型4.8已知2CR21型硅光電池（光敏面積為5mmX5mm）在室溫300K時，在輻照度為100W/cm2時的開路電壓U=500mV，短路電流I=6mAoc sc試求：（1）室溫情況下，輻照度降低到50mW/cm2時的開路電壓U與短路電流Ioc sc為多少？（2）當該硅光電池安裝在圖中的電流偏置電路中時，若測得輸出電壓U=1V，問此時光敏面上的照度為多少？04.9已知2CR44型硅光電池的光敏面積為10mmX10mm，在室溫300K時，在輻照度為100mW/cm2時的開路電壓U=550mV，短路電流I=28mA。試求輻照度為oc sc200mW/cm2時的開路電壓U、短路電流I、獲得最大功率的最佳負載電阻R、最oc sc L大輸出功率P和轉換效率n。m第六章光電發射器件1、 光電發射器件是基于外光電效應的器件2、 真空光電器件：光電管，光電倍增管，像增強管。3、光電發射陰極的主要參數主要參數靈敏度——輸出電流對光照的敏感程度光譜靈敏度：單一波長輻射時，光電陰極輸出電流I與單色輻射通量（P之比。積分靈敏度：光電陰極輸出電流I與某波長范圍內入射輻射通量屮°之比。色靈敏度：光電陰極輸出電流I*與可見光波長范圍內入射輻射通量屮°之比。量子效率——照射光子數與發射電子數關系在單色輻射作用于光電陰極時，光電陰極單位時間發射出去的光電子數NN NPN NP，九與入射的光子數之比為光電陰極的量子效率4。r入 入量子效率和光譜靈敏度是一個物理量的兩種表示方法。光譜響應——靈敏度等與入射輻射波長的關系光電發射陰極的光譜靈敏度或量子效率與入射輻射波長的關系曲線稱為光譜響應。暗電流——光照時由熱電子發射產生的電流光電發射陰極中少數處于較高能級的電子在室溫下獲得了熱能產生熱電子發射，形成暗電流。一般暗電流極低，其強度相當于10-i6~10-i8Acm-2的電流密度。光電倍增管伏安特性陰極伏安特性：陰極光電流Ik和陰極和第一倍增極之間的電壓Uk（陰極電壓）的關系。陽極伏安特性：陽極電流I與陽極和末級倍增極之間電壓（陽極電壓U）的關系。a a陽極電流I只與入射到陰極面上的光通量0成線性關系I=S①a a ae,X增益_I S G=d1 對于銻化銫 G=(0.2)nU0.7nG=a= a DDI Sk k對銀鎂合金 G=(0.025)nUnDD靈敏度陰極靈敏度：S =~^ 陽極靈敏度k,九 ①e,X噪聲散粒噪聲、負載電阻、熱噪聲。在設計光電倍增管電路時，總是力圖使負載電阻的熱噪聲遠小于散粒噪聲R〉4kT=52kQa2qIG2k暗電流所有光電探測器件中暗電流最低的器件線性線性不僅與光電倍增管的內部結構有關，還與供電電路及信號輸出電路等因素有關。時間響應上升時間整個光電陰極在》函數的光脈沖照射下，陽極電流從脈沖峰值的10%上升到90%所需的時間。疲勞與衰老疲勞:靈敏度可逆變化。使用后，靈敏度有所下降的倍增管在黑暗中放置幾小時，靈敏度又可恢復到原來狀態。老化：靈敏度不可逆下降。4、光電倍增管PMT工作原理是一種基于外光電效應和二次電子發射效應的電子真空器件，由光入射窗、光電陰極、電子光學系統、倍增極和陽極等部分組成。利用二次電子發射使逸出的光電子倍增，獲得遠高于光電管的靈敏度，能測量微弱的光信號。工作原理：（1）光子透過入射窗口入射在光電陰極上;（2）光電陰極上的電子受光子激發，離開表面發射到真空中;（3）光電子通過電場加速和電子光學系統聚焦入射到第一倍增級上，倍增級將發射出比入射電子數目更多的二次電子。入射電子經N級倍增極倍增后，光電子就放大N次；（4）經過倍增后的二次電子由陽極收集，形成陽極光電流。結構形式與特點：入射光窗口側窗型較低的工作電壓下具有較咼的靈敏度價格便宜端窗型具有優于側窗型的均勻性價格貴倍增極材料銻化銫較低的電壓下產生較咼的發射系數氧化的銀鎂合金二次電子發射能力稍差些，工作在較強電流和較高的溫度銅-鈹合金具有二次電子發射功能，發射系數5比銀鎂合金更低些負電子親和勢材料具有更咼的二次電子發射功能倍增極結構非聚焦型只加速百葉窗型倍增極大，輸出一致性較好，宜作微弱光信號探測盒柵式體積小，均勻性、穩定性較好不宜于快速探測或要求線性電流大的探測。聚焦型加速聚焦瓦片式時間響應快。圓形鼠籠式緊湊的結構和快速時間響應特性。6、電阻鏈分壓型供電電路I±101 電阻鏈分壓器的總阻值R R=U/IR=RRa bbRiN+1.5對于銻化銫G=(0.2)nU0.7n 對銀鎂合金G=(0.025)nUnDDDDAUAG AU= =n bbU G U例6-1設入射到PMT上的最大光通量為屮=12X10-elm左右，當采用GDB-235v型倍增管為光電探測器，已知它的倍增級數為8級，陰極為SbCs材料，倍增極也為SbCs材料，S=40pA/lm,若要求入射光通量在6X10Mm時的輸出電壓幅K度不低于0.2V,試設計該PMT的變換電路。若供電電壓的穩定度只能做到0.01%,試問該PMT變換電路輸出信號的穩定度最高能達到多少？選擇陽極電阻R=82KQ。a首先計算供電電源的電壓計算偏置電路電阻鏈的阻值計算偏置輸出信號電壓的最高穩定度例6-2如果GDB-235的陽極最大輸出電流為2mA,試問陰極面上的入射光通量不能超過多少lm？例6-3設入射到PMT上的最大光通量為屮=16X10-elm左右，當采用GDB-239v型倍增管為光電探測器,已知它的倍增級數為11級,陰極為AgOCs材料,倍增極也為AgMg材料，S=10pA/lm，若要求入射光通量在8X10-6lm時的輸出電壓K幅度不低于0.15V，試設計該PMT的變換電路。若供電電壓的穩定度只能做到0.01%，試問該PMT變換電路輸出信號的穩定度最高能達到多少？選擇陽極電阻R=75KQ。a第七章：電荷耦合器件CCD1、結構：1、電荷耦合器件是在半導體硅片上制作成百上千個光敏元3、光敏元按線陣或面陣有規則地排列。4、相同面積上的光敏元不同時分辨率不同CCD基本結構分兩部分：1、 MOS光敏元陣列2、 讀出移位寄存器2、電荷轉移原理（讀出移位寄存器）1、 CCD電荷耦合器件是以電荷為信號，光敏元上的電荷需經輸出電路輸出這個輸出過程由讀出移位寄存器完成.2、 讀出移位寄存器也是MOS結構，金屬電極、氧化物、半導體三部分組成3、 由三個十分鄰近的電極組成一個耦合單元；4、 在三個電極上分別施加脈沖波e203，稱三相時鐘脈沖。5、 三相時鐘脈沖頻率相同，相位差120°；t=t〔時刻，①1電極下出現勢阱存入光電荷t=t2時刻，①2下兩個勢阱形成大勢阱存入電荷212t=t3時刻，①2中電荷向①3勢阱轉移6、 不同時刻勢阱深度變化，使電荷按設計好的方向，在時鐘脈沖控制下，電荷從寄存器的一端轉移到另一端。3、線陣CCD與面陣CCD區別CCD器件分為線陣CCD和面陣CCD線陣CCD面陣CCD線陣CCD傳感器由一列MOS光敏兀和一列移位寄存器并行構成。光敏元和移位寄存器之間有一個轉移控制柵，加轉移控制信號屮T。線陣CCD又分為單通道、雙通道雙通道可以加速轉換時間，提高分辨率。根據傳輸的讀出結構有不同類型，基本構成有：?線轉移方式?幀轉送方式?行間轉送方式線陣CCD傳感器只有一排光敏元，只能進行線寬測量。線型CCD傳感器主要用于幾何尺寸測試、傳真、光學文字識別技術等。面型CCD結構上是把光敏兀件排列成二維矩陣形式，主要用于圖像采集，攝象機及測量技術。4、利用CCD測量幾何量例：玻璃管的平均外徑屮12mm壁厚1.2mm要求測量精度為外徑土0?1mm壁厚土0?05mm實際尺寸：上壁厚d、下壁厚d、外徑D12P為成像物鏡的放大倍率t為CCD像元尺寸上壁、下壁、外徑的像元個數（即脈沖數）分別為：n、n、N12上壁厚：d二nt/b 下壁厚：d二nt/b外徑：D=NXt/b1122解：根據已知條件（玻璃管外徑屮12mm）,選擇光學系統的放大率0為0.8倍，玻璃管的像大小為9?6mm；產品的測量精度要求反映在像面上的外徑（0.1mm）為土0?08mm，壁厚（±0.05mm）為0.04mm；根據CCD測量精度要求，最小尺寸0.04mm，必須要大于兩個CCD光敏元空間尺寸。給定線陣TCD132D（1024位）光敏元間距尺寸為14pm,器件像元總寬度為1024X0.14mm=14.3mm，大于成像外徑。最小尺寸為0.04mm>0.014mmX2=0.028mm，滿足要求。第八章：光纖傳感器1、光纖結構及傳光原理（全反射條件，折射率關系）結構：中心——纖芯；外層——包層；護套——尼龍塑料。折射率關系：纖芯折射率N略大于包層折射率N（N>N）1212全反射條件光纖端面入射角ewe（臨界入射角）c光密介質（n）到光疏介質（n）（N>N）1212傳光原理：光纖的傳播基于光的全反射原理。光線在光纖端面入射角e減小到某一角度e時，光線全部反射。光線全部被反射時的最大入射角e稱臨界角；只要滿足c C全反射條件eve光在纖芯和包層界面上經若干次全反射向前傳播，最后從另C一端面射出。2、 光纖的數值孔徑及意義：當光線在纖芯與包層界面上發生全反射時，相應的端面入射角為光纖波導的孔徑角。定義光纖波導孔徑角的正弦值為光纖的數值孔徑（NA）,NA為表示光纖的集光能力大小。數值孔徑意義：從物理上看：光纖的數值孔徑表示光纖接收入射光的能力，NA越大，光纖接收光的能力越強。從增加進入光纖的光功率的觀點看：NA越大對于光纖的對接越有利。但是NA太大時，光纖的?；慵哟螅瑫绊懝饫w的帶寬。3、 光纖的色散特性光纖的色散：是在光纖中傳輸的光信號，隨傳輸距離增加，由于不同成分的光傳輸時延不同引起的脈沖展寬的物理效應。色散的大小常用時延差表示色散的種類模式色散：不同模式，同一波長，傳播速度不同，使傳播時延不同而產生的色散。材料色散：光纖的折射率隨波長變化而使模式內不同波長的光時間延遲不同產生的色散。波導色散：波導色散是由于波導結構參數與波長有關而產生的色散。波導色散和材料色散都是模內色散。多模光纖既有模式色散又有模內色散，但主要以模式色散為主。單模光纖只有材料色散和波導色散，波導色散比材料色散小很多通常可以忽略。4、 光波調制技術將光波的特征參數以光強和顏色兩個