12-13學年第一學期電子技術(shù)基礎（模擬部分）(期中閉卷-院系 年級 ： 學號 成績一、選擇利用二極管的組成整流電路；穩(wěn)壓二極管則是利用二極管的（a.正向特性b.單向?qū)щ娦詂.反向擊穿特性d.勢壘電容）在如下的哪種電路中可能存在“虛地”現(xiàn)象：（a．同相比例放大器b．反向積分電路c．同相求和電路d．求差電路e.比例積分微分電路）三極管能起放大作用的內(nèi)部條件通常是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度。基區(qū)雜質(zhì)濃度比發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度，基區(qū)寬度，集電區(qū)面積比發(fā)射區(qū)面積（a.低b.高c.寬d.窄e.大引起三極管放大電路靜態(tài)工作點不穩(wěn)的主要因素有：、、、、（a.MOSIDSS6mAIDQ8mA，則該管是（a．耗盡PMOS管bNMOS管cPMOS管dNMOS管）在電壓放大電路的上下限截止頻率點處，電壓增益比中頻區(qū)增益變化了db，在相同輸入電壓條件下與中頻區(qū)比較，輸出電壓為其倍。采用兩個這樣的電壓放大電路構(gòu)成一個兩級電壓放大器時，在其原上下限截止頻率點處，電壓增益比中頻區(qū)增益變化db，在相同輸入電壓條件下與中頻區(qū)比較，輸出電壓為其（a.+3b.0.707c.-6d.0.5e.-3f.+6）NMOSFETVP0PMOSFETVT0，PJFETVP0（a.小于，b.大于） b.- d.-12.5V（2）平衡電阻RP的值 。(a. b.1.4kc. d.A+-二、填空 AB小，你認為其原因是。判斷下列復合管的接法是否正確以及其等效的三極管類型（PNPNPN型 vi1、vi22.1圖示。vovi1、vi2vo1 2.1

2.2 2.2靜態(tài)工作點Q偏向負載線下端時會導致輸出信號出現(xiàn) NMOSFET說明場效應管與三極管相比較其最大的特點 三、解析（b（bvt

3.2中晶體管的100，rbb200，VBEQ0.7V；C1~C3對交流信號可視為短Rs600R120kR280kRc2kRL3k，Vcc10V。畫出直流通路并計算靜態(tài)工作點畫出交流通路及交流小信號等效電求電壓增益Av，Avs，輸入電阻Ri和輸出電阻 3.3所示。已知T1gm1mS，rds200k；T2的50，（1）（2）AVo/Vi（3）RiRo（注意：圖中接地未畫出）RgRRbRc++4.7MT+1V-Rg-R+R++11級期中試題(A答一、選擇題：（每1分，共22分b、ba、b、e、h、ae，b，c、二、填空題：（每1-2分，共計28分共基、共集、共基、共集（1電路A的輸入電阻比電路B小（2分R1vi10vi200vo

vv

（2分

10

t（1分(a)0（1+1分（1+1分（1+1分三、求解題：（共計50分（10分飽和失真，增大R1。截止失真，減小R1。（6+6+12分

V

，ICQIBQVccVceIBQICQRc1c1Vce0.7c

R R1RV3.78V，

Vce0.730.8μA，

R

s ib Rc

交流小信號等效電 vi

，viRR

，r

126mV20010126mV bR2RcRL

vAov vovo

100 R1rbeR1rbeR1rbeRsv viRiR1Ro

rbeRc