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文檔簡介

2.1半導體的基本知識

2.2PN結的形成及特性2.3半導體二極管第二章半導體二極管及其基本電路2.5特殊二極管2.4二極管基本電路1.半導體材料2.1半導體的基本知識

半導體的導電能力介于導體、絕緣體之間，其導電性能還有其獨特的特點。常用的半導體材料有：

元素半導體：硅（Si）和鍺（Ge）

化合物半導體：砷化鎵（GaAs）等

導體純凈（本征）半導體物質(zhì)分類半導體（導電能力）絕緣體雜質(zhì)半導體本征半導體化學成分純凈的半導體。它在物理結構上呈單晶體形態(tài)。2.半導體共價鍵結構（硅）

硅和鍺是四價元素，在原子最外層軌道上的四個電子稱為價電子。它們分別與周圍的四個原子的價電子形成共價鍵。共價鍵中的價電子為這些原子所共有，并為它們所束縛，在空間形成排列有序的晶體。(a)硅晶體的空間排列(b)共價鍵結構平面示意圖+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子和空穴都稱為載流子，自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，它們的方向相反。只不過空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現(xiàn)的。電子空穴移動二.雜質(zhì)半導體在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。摻入雜質(zhì)的本征半導體稱為雜質(zhì)半導體。1.N型半導體

N型半導體中摻入5價元素(磷P).

多數(shù)載流子(多子)是電子，主要由摻雜形成；少數(shù)載流子(少子)是空穴，由熱激發(fā)形成。2.P型半導體

P型半導體中摻入3價元素(硼B(yǎng)).多子是空穴，主要由摻雜形成；少子是電子,由熱激發(fā)形成。N型半導體結構簡圖P型半導體結構簡圖應該注意到，半導體中的正負電荷是相等的，因此保持電中性。本征半導體、雜質(zhì)半導體

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