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端子壓著處電壓降主要影響因素本文以實驗、結論方式驗證分析了端子壓著處電壓降的主要影響因素，期望后續有高手進行理論驗證。品管部模擬項目壓著端子后測量數據壓降是否合格結論1、模擬芯線斷/線徑0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格斷1根銅絲影響壓降值﹢0.2~0.5mv，非電壓降超標主要原因斷銅絲數111111111標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.81.310.71.31.11.51.31.72、模擬壓著松緊/線徑0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格壓著高度超過標準高度對電壓降影響≈0.5mv，屬于正常波動范圍，非電壓降超標主要原因松（壓著高度）1.51.521.511.431.431.421.771.771.78標準高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.71.20.91.211.11.40.81.2緊（壓著高度）1.331.331.321.271.281.281.751.741.75標準高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.50.50.30.10.30.30.710.63、模擬氧化0.50.50.50.750.750.751.01.01.0超標端子表面氧化膜達到發灰顏色程度影響壓降﹢10mv，氧化膜達到黑色程度影響壓降﹢20mv，影響程度最高氧化時間（天）202060202060202060氧化程度（顏色）灰灰黑灰灰黑灰灰黑標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降7.210.718.211.413.717.91213.224.7刮亮端子頭后壓降5.33.58.54.75.63.13.45.74.5刮亮壓著處后壓降1.20.82.71.22.70.80.30.62.1數據分析1、端子氧化對電壓降影響機理端子氧化產生氧化膜，發生膜層電阻，膜層電阻高于端子材質電阻，造成電壓降升高，氧化層過厚使測量端子壓著處電壓降超標。2、膜層電阻產生濕度和雜質生產過程中手接觸端子，手汗使端子加速氧化空氣濕度/水加速端子氧化氧化膜層與其他污染物構成的膜層電阻溫度用車過程中由于發熱使導電體接觸表面強烈氧化，產生電阻比導電體本身大得多的氧化層，使接觸電阻大大增加，致使接觸處發熱劇增，形成惡性循環，使導電體接觸處松動、變形、甚至產出熔材質端

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