標準解讀

《GB/T 8750-2014 半導體封裝用鍵合金絲》與《GB/T 8750-2007 半導體器件鍵合用金絲》相比,在多個方面進行了調整和更新。首先,標題的變化反映了標準適用范圍的擴大,從原來的“半導體器件鍵合用金絲”更改為“半導體封裝用鍵合金絲”,這表明新版標準不僅限于半導體器件領域,而是涵蓋了更廣泛的半導體封裝應用。

在技術內容上,《GB/T 8750-2014》對金絲的技術要求進行了更加詳細的描述,包括但不限于金絲直徑、抗拉強度等關鍵性能指標,并且增加了對金絲表面質量的要求,如不允許存在裂紋、夾雜物等缺陷。此外,對于金絲的包裝、標志以及運輸等方面也做了更為具體的規定,以確保產品在整個供應鏈過程中的品質穩定性。

試驗方法部分,《GB/T 8750-2014》引入了新的測試項目和技術手段來評估金絲的各項物理化學性質,比如采用電子顯微鏡檢查金絲內部結構,通過X射線熒光光譜儀測定金含量等先進方法,使得檢測結果更加準確可靠。


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....

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  • 被代替
  • 已被新標準代替,建議下載現行標準GB/T 8750-2022
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實施
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文檔簡介

ICS7715099

H68..

中華人民共和國國家標準

GB/T8750—2014

代替

GB/T8750—2007

半導體封裝用鍵合金絲

Goldbondingwireforsemiconductorpackage

2014-07-24發布2015-02-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T8750—2014

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

試驗方法

4…………………5

檢驗規則

5…………………5

標志包裝運輸和貯存

6、、…………………6

合同或訂貨單內容

7()……………………8

附錄資料性附錄金絲弧高測試方法

A()………………9

附錄資料性附錄金絲表面質量檢驗方法和典型缺陷

B()……………10

附錄規范性附錄金絲線軸規定

C()……………………13

附錄規范性附錄金絲長度測量方法

D()………………15

附錄規范性附錄金絲卷曲及軸向扭曲檢驗方法

E()…………………16

附錄規范性附錄金絲放絲性能檢測方法

F()…………20

GB/T8750—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替半導體器件鍵合用金絲

GB/T8750—2007《》。

本標準與原標準相比主要有如下變化

,:

標準名稱更改為半導體封裝用鍵合金絲英文

———“”,“Goldbondingwireforsemiconductorpackage”;

范圍修改為本標準規定了半導體分立器件集成電路封裝用鍵合金絲以下簡稱金絲

———“、、LED()

的要求試驗方法檢驗規則標志包裝運輸和貯存質量證明書合同或訂貨單等內容

、、、、、、、()。

本標準適用于半導體封裝用鍵合金絲

。”;

產品分類中根據不同封裝弧高范圍進行了用途說明

———,;

刪除型金絲增加兩種型號金絲和

———D-Y,AG2AG3;

直徑規格增加了

———0.014mm、0.016mm、0.017mm、0.019mm、0.021mm、0.022mm、0.024mm、

和等

0.026mm、0.027mm、0.028mm、0.029mm、0.033mm、0.043mm、0.044mm0.045mm

規格

;

增加了產品標記示例

———;

刪除了尺寸允許偏差中的重量允許范圍增加金絲重量允許范圍列表并增加了

———200mm,1m,

重量計算規定

;

金絲力學性能增加了同一直徑下不同型號半硬態金絲最小拉斷力和伸長率范圍刪除了硬態

———,

和軟體的最小拉斷力參數

;

增加取樣規定對具體性能取樣要求細化

———,;

增加附錄金絲弧高測試方法

———A,;

增加附錄金絲表面典型缺陷

———B,;

附錄中金絲卷曲試驗檢驗方法增加了卷曲試驗檢驗方法

———E2。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位北京達博有色金屬焊料有限責任公司有色金屬技術經濟研究院浙江佳博科技

:、、

股份有限公司山東科大鼎新電子科技有限公司

、。

本標準主要起草人陳彪杜連民向磊張蘊薛子夜苗海川陳志張立平閆茹向翠華楊志新

:、、、、、、、、、、、

趙月國周曉光

、。

本標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T8750—2007、GB/T8750—1997、GB/T8750—1988。

GB/T8750—2014

半導體封裝用鍵合金絲

1范圍

本標準規定了半導體分立器件集成電路封裝用鍵合金絲以下簡稱金絲的要求試驗方

、、LED()、

法檢驗規則標志包裝運輸和貯存質量證明書合同或訂貨單等內容

、、、、、、()。

本標準適用于半導體封裝用鍵合金絲

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

有色金屬細絲拉伸試驗方法

GB/T10573

金化學分析方法銀銅鐵鉛銻和鉍量的測定原子發射光譜法

GB/T11066.5、、、、

貴金屬及其合金材料幾何尺寸測量方法

GB/T15077

3要求

31產品分類

.

金絲按化學成分分為摻雜金絲和合金金絲兩大類摻雜金絲根據金絲所能達到的最低弧高分為

三個系列可根據摻雜元素及其含量不同分為等合金金絲

GS、GW、TS,GW1,GW2……TS1,TS2……;

根據合金成分分為兩個型號金絲的種類型號狀態用途直徑應符合表的規定

AG2、AG3。、、、、1。

表1

種類型號狀態用途直徑

/mm

一般適用于弧高在以上范圍的

250μm

GS高弧鍵合

一般適用于弧高在范0.013,0.014,0.015,0.016,0.017,0.018,

摻雜金絲200μm~300μm

GW圍的中高弧鍵合

。0.019.0.020,0.021,0.022,0.023,0.024,

半硬態

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