犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０６０—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ４０６０—２００７

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

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電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書(shū)號(hào)：１５５０６６·１３０５３５

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話：（０１０）６８５２２００６

書(shū)

犌犅／犜４０６０—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３《硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３相比，主要變動(dòng)如下：

———檢測(cè)雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為０．００２×１０－９～１００×１０－９；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語(yǔ)”、“允許差”、“計(jì)算”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第５章“檢驗(yàn)條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ，長(zhǎng)度為１８０ｍｍ。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起，同時(shí)代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜４０６０—２００７

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長(zhǎng)的多晶硅棒基硼的檢驗(yàn)。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)雜質(zhì)濃度有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)?/p>

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

３術(shù)語(yǔ)和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

硅芯狊犾犻犿狉狅犱

小直徑硅棒，用以提供多晶沉積的基體。

３．２

生長(zhǎng)層犵狉狅狑狋犺犾犪狔犲狉

在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅層。

３．３

樣芯狊犪犿狆犾犲犮狅狉犲

用空心鉆頭，從多晶棒上鉆取的圓柱體。

３．４

控制棒犮狅狀狋狉狅犾狉狅犱

從有均勻沉積生長(zhǎng)層的已知其硼含量的多晶棒上取得的多晶硅圓柱體。

４方法提要

在真空度不低于１．３３×１０－２Ｐａ，以１．０ｍｍ／ｍｉｎ的速度區(qū)熔提純１４次成晶后，