標準解讀

《GB/T 37053-2018 氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范》是一項國家標準，主要針對氮化鎵（GaN）材料的外延片和襯底片制定了統(tǒng)一的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的規(guī)定。該標準適用于以藍寶石、碳化硅或自由站立式氮化鎵作為襯底生長的氮化鎵外延層及相關產(chǎn)品。

在技術要求方面，標準詳細規(guī)定了氮化鎵外延片與襯底片的關鍵性能指標，包括但不限于晶體質(zhì)量（如位錯密度）、表面形貌（如粗糙度）、電學特性（如載流子濃度、遷移率）等參數(shù)的具體數(shù)值范圍。此外，還對產(chǎn)品的幾何尺寸及其允許偏差進行了明確限定，確保其符合下游應用的需求。

關于試驗方法部分，《GB/T 37053-2018》列舉了一系列用于檢測上述各項性能指標的標準測試程序，涵蓋X射線衍射法測定晶格常數(shù)與半峰寬、原子力顯微鏡觀察表面形態(tài)特征、霍爾效應測量電導率等先進技術手段，旨在為行業(yè)內(nèi)提供一套科學合理且可操作性強的質(zhì)量評價體系。

對于檢驗規(guī)則，《GB/T 37053-2018》提出了抽樣方案，并指定了型式檢驗與出廠檢驗的具體項目及合格判定準則，幫助企業(yè)有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，同時保障消費者權益。

最后，在包裝、標志、運輸和貯存環(huán)節(jié)，標準亦給出了相應指導原則，比如建議采用防靜電材料進行包裝以防損壞；要求在外包裝上清晰標注生產(chǎn)日期、批次號等信息便于追溯管理；強調(diào)在搬運過程中應輕拿輕放避免碰撞造成損傷；并推薦將成品存放于干燥通風處遠離熱源以延長使用壽命。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-12-28 頒布
  • 2019-07-01 實施
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GB/T 37053-2018氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

Generalspecificationforepitaxialwafersand

substratesbasedongalliumnitride

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37053—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位東莞市中鎵半導體科技有限公司合肥彩虹藍光科技有限公司蘇州納維科技有

:、、

限公司南京大學電子科學與工程學院中國電子技術標準化研究院

、、。

本標準主要起草人丁曉民劉南柳潘堯波徐科修向前孫永健王香張國義

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了氮化鎵外延片以下簡稱外延片及氮化鎵襯底片以下簡稱襯底片的通用規(guī)范包

()(),

括產(chǎn)品分類要求檢驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸和儲存等

、、、、、。

本標準適用于氮化鎵外延片與氮化鎵襯底片產(chǎn)品主要用于發(fā)光二極管激光二極管探測器等光

。、、

電器件以及微波與電力電子功率器件

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

顏色術語

GB/T5698—2001

半導體材料術語

GB/T14264—2009

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件為了便于使

GB/T5698—2001、GB/T14264—2009。

用以下重復列出中的某些術語和定義

,GB/T14264—2009。

31襯底結構

.

311

..

氮化鎵自支撐襯底free-standingGaNsubstrate

半導體工藝中的基底具有特定晶面和適當電學光學和機械特性的用于外延沉積擴散離子注入

,、、、

等后續(xù)工藝操作的氮化鎵基片

。

312

..

氮化鎵復合襯底GaNtemplate

由氮化鎵單晶薄膜材料與其支撐基底構成的復合結構用于外延沉積擴散離子注入等后續(xù)工藝

,、、

操作的氮化鎵基片

。

32襯底導電類型

.

321

..

氮化鎵半絕緣型襯底semi-insulatingGaNsubstrate

電阻率大于6的氮化鎵自支撐襯底

10Ω·cm。

33材料特性

.

331

..

面電阻均勻度sheetresistanceuniformity

外延片中薄層電阻的分布狀況一般表述為

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