ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656—2014

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號

:155066·1-50707

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30656—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位北京天科合達藍光半導體有限公司中國科學院物理研究所

:、。

本標準主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺劉春俊劉振洲

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

1范圍

本標準規(guī)定了及碳化硅單晶拋光片的要求檢驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸儲存

4H6H、、、、、、、

質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于及碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片產(chǎn)品

4H6H。

主要用于制作半導體照明及電力電子器件的外延襯底

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

GB/T31351

半導體工藝材料試驗使用電容式探測器對半絕緣半導電切片電阻率的非接觸測定

DIN50448

(Testingofmaterialsforsemiconductortechnology-Contactlessdeterminationoftheelectricalresis-

tivityofsemi-insulatingsemi-conductorslicesusingacapacitiveprobe)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

六方空洞hexagonalvoid

獨立于晶片單晶區(qū)的具有六角形特征的空洞

。

32

.

微管micropipe

或碳化硅單晶拋光片中沿c軸方向延伸且徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍的中空管道

4H6H。

33

.

多型polytype

由同種化