ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國國家標準

GB/T24581—2022

代替GB/T24581—2009

硅單晶中ⅢⅤ族雜質含量的測定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

TestmethodforⅢandⅤimpuritiescontentinsinglecrystalsilicon—

LowtemperatureFT-IRanalysismethod

2022-03-09發布2022-10-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T24581—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測

GB/T24581—2009《Ⅲ、Ⅴ

試方法與相比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

》,GB/T24581—2009,,:

刪除了目的見年版的第章

a)“”(20091);

更改了硼磷砷鋁銻鎵的測定范圍并增加了銦含量的測

b)(B)、(P)、(As)、(Al)、(Sb)、(Ga),(In)

定見第章年版的第章

(1,20092);

更改了術語和定義見第章年版的第章

c)(3,20095);

增加了雜質含量小于11-3的樣品的測量條件見

d)5.0×10cm(5.6);

增加了用次強吸收譜帶-1來計算磷元素的含量見

e)P(275cm)(P)(5.8);

增加了摻雜硅單晶對測量的影響見

f)(5.9);

更改了多晶轉變為單晶的方法見年版的

g)(5.12,20098.1);

更改了傅立葉變換紅外光譜儀的要求見年版的

h)(7.4,20097.4);

增加了千分尺及其精度要求見

i)(7.5);

更改了非零響應值譜線范圍見年版的

j)(9.2,200910.2);

更改了背景光譜的掃描次數見年版的

k)(9.7,200911.5);

更改了樣品的掃描次數見年版的

l)(9.10,200911.8);

表中增加了-1對應的峰位置基線和積分范圍及校準因子見

m)1P(275cm)、(10.1);

更改了雜質含量的單位并對計算公式進行了相應的修約見年版的

n),(10.4,200913.1、13.2);

更改了測量結果的精密度見第章年版的第章

o)(11,200915);

更改了試驗報告的內容見第章年版的第章

p)(12,200914);

刪除了偏差關鍵詞見年版的第章章

q)、(200916、17)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備與材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位樂山市產品質量監督檢驗所青海芯測科技有限公司江蘇中能硅業科技發展有

:、、

限公司亞洲硅業青海股份有限公司新特能源股份有限公司有研半導體硅材料股份公司四川永祥

、()、、、

股份有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司江蘇鑫華半導體材料科技有限公司洛陽中硅

、、、

高科技有限公司新疆協鑫新能源材料科技有限公司國標北京檢驗認證有限公司有色金屬技術經

、、()、

濟研究院有限責任公司宜昌南玻硅材料有限公司江蘇秦烯新材料有限公司義烏力邁新材料有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人梁洪趙曉斌萬濤薛心祿魏東亮王彬邱艷梅楊素心李素青李朋飛

:、、、、、、、、、、

趙培芝王永濤魏強楚東旭周延江劉文明劉紅何建軍皮坤林

、、、、、、、、。

本文件于年首次發布本次為第一次修訂

2009,。

Ⅰ

GB/T24581—2022

硅單晶中ⅢⅤ族雜質含量的測定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

1范圍

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中族雜質含量的方法

Ⅲ、Ⅴ。

本文件適用于硅單晶中的族雜質鋁銻砷硼鎵銦和磷含

Ⅲ、Ⅴ(Al)、(Sb)、(As)、(B)、(Ga)、(In)(P)

量的測定各元素的測定范圍以原子數計為10-314-3

,()1.0×10cm~4.1×10cm。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

分子吸收光譜法術語

GB/T8322

半導體材料術語

GB/T14264

用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程

GB/T29057

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T8322、GB/T14264。

4方法原理

將硅單晶樣品冷卻至以下此時紅外光譜主要是由雜質元素引起的一系列吸收譜帶用一個

15K,。

連續白光光源照射樣品使其光線能量大于補償雜質的能帶將紅外光束直接透射樣品采集透射光

,。,

譜該光譜扣除背景光譜后轉化為吸收光譜在雜質元素特征吸收譜帶上建立基線并計算其吸收譜帶

,。

面積根據通用吸收定律及本文件給出的族雜質元素校準因子計算出族雜質元素的含量

。Ⅲ、ⅤⅢ、Ⅴ。

5干擾因素

51為消除自由載流子的影響樣品應冷卻至以下測量族雜質元素將樣品固定在冷頭上

.,15KⅢ、Ⅴ。

時樣品和冷頭之間應保持良好的接觸以獲得較高的熱傳導效率