發光二極管（LED）LED的發展LED發光原理LED芯片的制造過程LED的封裝與應用未來的展望主要內容：

能源問題已成為當今人類社會的熱門話題，節約能源與環保問題日趨提上議程。節能應成為各國的城市照明建設需要考慮的重要問題之一，目前約有21%的電源用于照明，如果能在固體照明領域節省一半的能源，則會對人類的節約能源作出巨大的貢獻。

20世紀中葉出現在市場上的第一批LED產品，經過50多年的發展歷程，在技術上已經取得了長足的進步。現在，LED的平均發光效率已達到了70lm/W（流明/瓦特），其光強已達到了燭光級，輻射光的顏色形成了包含白光的多元化色彩，并且壽命可達到數萬小時。特別是在最近幾年，LED的產品質量提高了近10倍，而制造成本已下降到早期的十分之一。

這種趨勢還在進一步的發展之中，從而使LED成為信息光電子新興產業中極具影響力的新產品。世界各個國家均積極參與研發工作。發光二極管Light-EmittingDiode

是由數層很薄的摻雜半導體材料制成。當通過正向電流時，n區電子獲得能量越過PN結與p區的空穴復合以光的形式釋放出能量。

發光效率lm/w12.555發光二極管的發展年代發光顏色材料發光效率lm/w1965紅Ge0.11968橙、黃GaAsP11971綠GaP180年代紅AlGaAs1090年代初紅、黃GaAlInP10090年代藍、綠GaInN5090年代藍GaN200LED的發展，芯片的發展可見光LED的發展史白熾燈通常只講瓦數而不講流明數，白熾燈最常用的瓦數有15瓦、30瓦、45瓦、60瓦、75瓦和100瓦等。LED的優點︰●壽命長,理論上為10萬小時，一般大于5萬小時（是熒光燈的10倍）●發熱量低，耗電量小,白熾燈的1/8,熒光燈的1/3）●體積小,重量輕,可封裝成各種類型，目前市面上最小的芯粒只有150um大小●堅固耐用,不怕震動。環氧樹脂封裝，防水，耐惡劣環境使用●多色顯示,利用RGB可實現七彩色顯示●工作溫度穩定性好

散熱好●響應時間快,一般為毫微秒(ns)級●冷光，不是熱光源●電壓低,可以用太陽能電池作電源什么是發光二極管概念：半導體發光二極管是一類發射波長覆蓋了可見光、紅外到遠紅外，結構較簡單的半導體發光器件。

（通常發光二極管是指發射可見光的二極管，發光光譜為390-760nm，為人眼所見。）一般短波長紅外光

高亮度長波長紅外光可見光不可見光LED波長450~780nm光波長850~1550nm850~950nm光子與電子基本上具有三種交互方式：吸收，自發放射及激發放射。原子的兩能級E1和E2，E1代表基態，E2代表第一激發態。在E1基態的原子吸收光子后躍遷至激發態E2，此能態的改變為吸收；激發態原子非常不穩定，經過很短的時間，不需任何外力下會跳回基態而釋放出光子，此程序為自發放射；當光子照射在激發態原子上，該原子被激發躍回基態而放出與照射原子同相釋放光子，此程序稱為激發放射。LED的發光原理LED在內部結構上有和半導體二極管相似的P區和N區，相交界面形成PN結。LED的電流大小是由加在二極管兩端的電壓大小來控制的。LED是利用正向偏置PN結中電子與空穴的輻射復合發光的，是自發輻射發光，發射的是非相干光。P-AIxGa1-xAsN-AIyGa1-yAsP-GaAs光輸出

雙異質結半導體發光二極管的結構示意圖LED的工作原理理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即λ≈1240/Eg（nm）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。

現在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管。LED材料的選擇

若要半導體材料發出的光為人眼所見，則禁帶寬度應為1.63-3.2eV之間，在此能量范圍之內，帶隙為直接帶的III-V族半導體材料只有GaN等少數材料。

解決這個問題的一個辦法是利用III-V族的二元化合物組成新的三元或四元III-V族固溶體，通過改變固溶體的組分來改變禁帶寬度與帶隙類型。舉例由兩種III-V族化合物（如GaP和GaAs、GaP和InP）組成三元化合物固溶體，它們也是半導體材料，并且其能帶結構、禁帶寬度都會隨著組分而變化，由一種半導體過渡到另一種半導體。

若以GaPxAs1-x為發光材料，則必須x<0.45，以確保其能帶結構為直接帶隙。X的取值GaPxAs1-x禁帶寬度波長與顏色x=0.2GaP0.2As0.81.66eVλ=747nm紅色X=0.35GaP0.35As0.651.848eVλ=671nm橙色由此可見，調節X的值就能改變材料的能級結構，即改變LED的顏色。此即所謂的能帶工程。發光材料由圖可知，這些材料的發光范圍由紅光到紫外線。照明領域使用的LED有兩大類，一類是磷化鋁、磷化鎵和磷化銦的合金（AlGaInP或AlInGaP），可以做成紅色、橙色和黃色的LED；另一類是氮化銦和氮化鎵的合金（InGaN）,可以做成綠色、藍色和白色的LED。發光材料大部分是Ⅲ-Ⅴ族。Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族元素的帶隙與晶格常數的關系BlueGreenYellowOrangeWhiteRedAmberW=White(GaN)(x=0.32/y=0.31)B=Blue(InGaN)470nmV=Verde-Green(InGaN)505nmT=TrueGreen(InGaN)525nmP=PureGreen(GaP)560nmG=Green(GaP:N)570nmY=Yellow(InGaAlP)587nmO=Orange(InGaAlP)605nmA=Amber(InGaAlP)615nmS=Super-Red(InGaAlP)630nmH=Hyper-Red(GaAlAs)645nms00,10,20,30,40,50,60,70,80,900,10,20,30,40,50,60,70,8bluegreenredyellowwhiteB=Blue(GaN)466nmW=White(InGaN)(x=0.32/y=0.31)Colourtriangle

CIE色度圖發光二極管的電流—電壓特性和普通二極管大體一致。發光二極管的開啟電壓很低，GaAs是1.0伏，GaAs1-xPx大約1.5伏。GaP（紅光）大約1.8伏，GaP（綠光）大約2.0伏。工作電流約為10mA。工作電壓和工作電流低，使得可以把它們做的很小，以至于看作點光源，這使得LED極適宜用于光顯示。LED產業分工LED外延片和LED芯片：~70%LED封裝：10%~20%LED應用：10%~20%１.利潤特點２.資源需求LED芯片的制造技術首先在襯低上制作各種相關基底的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延爐中完成的。準備好制作基底外延片所需的材料源和各種高純氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。接下來是對LEDPN結的兩個電極進行加工，電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然后對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。LED制作流程分為兩大部分：制作LED外延片的主要方法：氣相外延（VPE）：材料在氣相狀況下沉積在單晶基片上，這種生長單晶薄膜的方法叫氣相外延法，氣相外延有開管和閉管兩種方式。液相外延（LPE）：將用于外延的材料溶解在溶液中，使達到飽和，然后將單晶基片浸泡在這溶液中，再使溶液達到過飽和，這就導致材料不斷地在基片上析出結晶。控制結晶層的厚度得到新的單晶薄膜。分子束外延（MBE）：在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)：是利用高頻在兩平板電極之間激發氣體放電形成等離子體，高化學活性的反應物可使成膜反應在較低溫度下進行。金屬有機化合物氣相外延（MOCVD）：在氣相外延生長（VPE）的基礎上發展起來的一種新型汽相外延生長技術。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和Ⅴ族元素的氫化物等作為晶體生長原料，以熱分解反應方式在襯底上進行汽相外延，生長各種Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄膜層單晶材料。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD通過控制溫度、壓力、反應物濃度、Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設備。利用熔合設備將蝕刻好的晶片放入該項設備，一段時間，使蒸鍍金屬層之間或蒸鍍金屬與磊晶片表層原子相互熔合，目的形成歐姆接觸.利用化學藥水，通常是酸性藥水，將發光區裸露的金屬層蝕刻掉。依晶片的晶粒晶格大小圖案，作第一次切割，目的是為方便往后的晶粒點測。LED的測量參數：評價LED要涉及到很多技術指標（參數），其主要的技術指標包括：輸入參數為電量的各項指標，即電學指標；主要有：正向電壓VF，正向電流VI，反向漏電流IR，工作時的耗散功率PD。在高頻電路中，還要考慮：結電容Cj和響應時間。輸出參數為光學的指標，也含光的強弱和波長等各項指標；代表輸入與輸出之間電—光轉換效率的指標；主要有：光功率效率η，流明效率。與LED器件性能有關的熱學指標。主要有：熱阻Rth，儲存環境