二、教學內容及基本要求第一章：固體晶格結構（4學時）教學內容：1.1半導體材料1.2固體類型1.3空間晶格1.4原子價鍵1.5固體中的缺陷與雜質1.6半導體材料的生長教學要求：1、了解半導體材料的特性,掌握固體的基本結構類型；2、掌握描述空間晶格的物理參量,了解原子價鍵類型；3、了解固體中缺陷與雜質的類型；4、了解半導體材料的生長過程。授課方式：講授第二章：量子力學初步（4學時）教學內容：2.1量子力學的基本原理2.2薛定諤波動方程2.3薛定諤波動方程的應用2.4原子波動理論的延伸教學要求：1、掌握量子力學的基本原理，掌握波動方程及波函數的意義；2、掌握薛定諤波動方程在自由電子、無限深勢阱、階躍勢函數、矩形勢壘中應用；3、了解波動理論處理單電子原子模型。授課方式：講授第三章：固體量子理論初步（4學時）教學內容：3.1允帶與禁帶格3.2固體中電的傳導3.3三維擴展3.4狀態密度函數3.5統計力學教學要求：1、掌握能帶結構的基本特點，掌握固體中電的傳導過程；2、掌握能帶結構的三維擴展，掌握電子的態密度分布；3、掌握費密-狄拉克分布和玻耳茲曼分布。授課方式：講授第四章：平衡半導體（6學時）教學內容：4.1半導體中的載流子4.2摻雜原子與能級4.3非本征半導體4.4施主與受主的統計學分布4.5電中性狀態4.6費密能級的位置教學要求：1、掌握本征載流字電子和空穴的平衡分布；2、掌握摻雜原子的作用，掌握非本征載流字電子和空穴的平衡分布；3、掌握完全電離和束縛態，掌握補償半導體平衡電子和空穴濃度；4、掌握費密能級隨摻雜濃度和溫度的變化。授課方式：講授第五章：載流子輸運現象（4學時）教學內容：5.1載流子的漂移運動5.2載流子擴散5.3雜質梯度分布5.4霍爾效應教學要求：1、掌握載流子漂移運動的規律，掌握載流子漂移擴散的規律；2、了解雜質梯度分布規律，了解霍爾效應現象。授課方式：講授第六章：非平衡過剩載流子（6學時）教學內容：6.1載流子的產生與復合6.2過剩載流子的性質6.3雙極輸運6.4準費密能級6.5過剩載流子的壽命6.6表面效應教學要求：1、掌握載流子產生與復合的規律，掌握連續性方程與擴散方程；2、掌握雙極輸運方程的推導與應用，掌握準費密能級的確定；3、了解肖克萊-里德-霍爾復合理論及非本征摻雜和小注入的約束條件；4、了解表面態與表面復合速。授課方式：講授第七章：PN結（2學時）教學內容：7.1PN結的基本結構7.2零偏7.3反偏7.4非均勻摻雜PN結教學要求：1、掌握PN結的基本結構，掌握內建電勢差與空間電荷區寬度；2、掌握勢壘電容與單邊突變結，了解線性緩變結與超突變結。授課方式：講授第八章：PN結二極管（4學時）教學內容：8.1PN結電流8.2PN結的小信號模型8.3產生與復合電流8.4結擊穿8.5電荷存儲與二極管瞬態8.6隧道二極管教學要求：1、掌握PN結內電荷流動的定性描述，掌握擴散電阻與等效電路；2、掌握反偏產生電流正偏復合電流；3、了解結擊穿的物理圖像，了解關瞬態與開瞬態，了解隧道二極管的基本特征。授課方式：講授第九章：雙極晶體管（6學時）教學內容：10.1雙極晶體管的工作原理10.2少子的分布10.3低頻共基極電流增益10.4非理想效應10.5等效電路模型10.6頻率上限教學要求：1、掌握雙極晶體管的工作原理，掌握少子的分布規律；2、了解有用因素及電流增益的數學表達式；3、掌握基區寬度調制效應及大注入效應；4、了解Ebers-Moll模型及Gummel-Poon模型；5、了解延時因子的概念及晶體管截止頻率。授課方式：講授第十章：MOS場效應管（1）（4學時）教學內容：11.1雙端MOS結構11.2電容—電壓特性11.3MOSFET基本原理11.4頻率限制特性11.5CMOS技術教學要求：1、掌握能帶圖、耗盡層厚度、功函數、平帶電壓、閾值電壓、電荷分布；2、掌握理想C-V特性及頻率特性；3、掌握MOSFET的結構及電流--電壓關系的數學推導；4、了解小信號等效電路，了解CMOS制備技術。授課方式：講授第十一章：MOS場效應管（2）（4學時）教學內容：12.1非理想效應12.2MOSFET按比例縮小理論12.3閾值電壓的修正12.4附加電學特性12.5輻射和熱電子效應