第五章HT-7ECEI診斷的初步HT-7上的實驗已快結束了，而這時系統雖然已經有正常的信號了，但各道條件HT-7實驗運行插入安排些放電，記錄些測量數據，為下一輪的實驗積HT-7ECEITe道后,成像通道的水平位置也就決定了。從而成像系統的取樣就清楚了。圖所示的就是HT-7上第78896到78914，ECEI診斷系統各道所對應的位5.2.2所顯示的HT-7上觀測到的鋸齒信號分布的對稱性表明系統已經對準了HT-7的等離子體中心，所以通道垂直位置0.5cm5.2.2516道在系統安裝在到HT-7上時沒有了信號，由于時間緊迫，這一問題在這輪實驗中一直沒有被解決。此外，第7道中出現的矩形脈沖是經過處理后被削平掉了的HT-7ECEI97.5GHz的固定頻率上，因此，我們不為了得到校準系數，我們在相同參數條件下可以得出一個校準系數。經過校準后的溫度分布如圖5.2.3(b)所示。圖示經過程中出現的誤差較大所制。也有可能是HT-7放電控制偏上了點。5.2.3Te的絕對值，就需要對比來實現。然而，ECEI系統安裝在HT-7上時，散射測量還沒有調試好，診斷數據無法獲得。我們是根據與軟X射線能譜（SDD）測量到的Te剖面5.2.4X射線能譜是一個小Te剖面的時間演化清楚地顯示出了鋸齒振蕩（1-8道信號的噪聲太大，被剔除研究托卡等離子體的低頻相干漲落。ECEI系統校準完后，我們嘗試用掃描磁場的方法來獲得一個二維的電5.2.6所示，在相同放電條件下相鄰的兩78927與78928之間，系統的狀態出現了變化。各道信號，尤其是第3對后面的不可用，因而沒有獲得一個二維的電子溫度分布。HT- 背為這三個不同的區域可能有完全不同的輸運特性[12]q=1面子體的小半徑)的區域。這個區域通?？梢酝ㄟ^金屬探針接近。在這個區域，等[1,2]。在鋸齒芯部與邊界區之間的環形區域(rq=1<r<0.8a)被稱之為約束區，在這里的溫度和密度梯度最大[1,2]。在本中，等離子體芯部指鋸齒芯部和約束TEXT-UECEITe漲落的功率譜密度和統計色散關系與漂移波理論的相一致[3]，但在RTP上的ECEI診斷卻不支持這一結論，而與環位形i模的理論預期相吻合[4]。邊界探針測量表明，在HT-7中了進一步研HT-7上等離子體芯部的電子溫度漲落，為反常輸運的理論研究提我們對HT-7芯部等離子體的電子溫度漲落進行了初步的診斷研究。5.3.1所示的就是自相關方法失敗的一個例子。數據是從取樣區位于托卡的混頻通道中獲得的。處理過程中聯接了從78936到78940(Ip=150kA,ne21019m3,B1.92T)這5 可以看出，計算到的漲落值遠高于統計噪聲水平(StatisticalNoiseLevel)，總的漲5.3.19道信號的自相關可以看出，在正中間代表隨機噪聲的Te所示的就是由第15道信號計算得的位于托卡中平面以下7.1cm，低場側距等離子體中心12.4cm處的局域電子溫度漲落。計算得的電子溫度漲落Te2.47%。測量是在HT-7的歐姆加熱等離子體中進行的，R=1.22m,a=0.27m,B=1.92TIp=150kA,ne=21019m-3。數據是在從360到560ms的放電平頂獲取78936到78940(Ipne21019m3B1.92T)5歐姆放電的平頂段(360-560ms)15kHz的MHD信號,這里所有的自相關局域電子溫度漲落功率譜的計算都是通過將每360-560ms平頂段下用6MHz采樣得到的數據先經過處理除去零漂計算出平均detrend5個取樣點，也就是約0.83us，這樣兩列數據中的熱噪聲就是非相關的，而漲落信號依然相關，分200kHz200kHz時有個下降)，再除以前面計算出的平均值，就得到了兩列信號相對漲落的數據。再拼合5這樣的數據，1s400kcpsd通過改變縱場B（由1.82T1.92T，縱場變化3%），我們總共得到了托這個位置兩邊都逐漸變小。百kHz左右的寬譜漲落在這個位置沒有出現。78936到78940(Ip=150kA,ne21019m3B1.92T)5歐姆放電的平頂段(360-560ms)1s上進樣區是在r=12.4cm(r/a=0.46)2.1cm，輕微地在等離子體的中平面低場側偏TEXT-URTP都被觀察到過[3-6]。但類似的峰還711道信號的互功率譜中看到（5.3.5所示）。我們認為這應該是一個5.3.4的統計色散關系kf5.3.6kf是采用2.3.30b式通過兩個信號之間的交叉相位角測量計算得到的，誤差棒代表計算上的標準偏差[7]。由于兩個取樣區域的徑向分離是很小，分別約為r=12.5cm和12.4cm，波數的計算得到的kf絕大部分是在極向方向上的波數。由圖上可以看出漲落在40kHz以下是由第9道傳向第7道，根據這些放電的縱場方向(由上往下看是順時針方向)，這一是在電子逆磁漂移方向上的。這與在TEXT-URTP上的結果相一致[34]40kHzkf0附近5.3.757、9兩道電子溫度漲落信號的互功率r/a=0.45(r=12.4cm)10kHzMHD漲落有一個-5dB左右的MHDr/a>=0.41(r>=11.ocm)r/akf有所增加。法對于系統噪聲和干擾的嚴格要求，僅在15道測量信號上得以實現。但由于的局域漲落信號在r/a=0.41(r=11.0cm)處較大，在其兩邊有下降的趨勢。在第79TEXT-URTP上所看到位于40kHz以上時，信號已經接近統計噪聲水平所致。在不同徑向位置上的比較中，在10-40kHz之間的低頻MHD漲落在較大，在其兩邊有下降的趨勢，同時k(f)隨著頻率的增加有所增長。附5.2.5Te剖面的時間演化(shot#78911)1-8道信號的噪圖5.2.6在相鄰的相同放電參數的兩78927與78928間一維ECEI診斷系統給場的方法測定電子溫度的二維分布。放電參數B0=1.88T,Ipa=150kA,5.3.195.3.215平頂段(360-560ms)的數據

ne21019m3B1.92T)7893678940Ip=150kAne21019m3B1.92T)5歐姆放電的平頂段(360-560ms)，在1s上進行平均得到的。5.3.57115.3.65.3.479道電子溫度漲落信號的統計色散關系kf5.3.7795.3.879道測量到的統計色散關系kf)（Wootton,A.J.,etal.,FluctuationsandAnomalousTransportinPhysicsofFluidsB-PlasmaPhysics,1990.2(12):p.2879-Rogister,A.,etal.,TransportThroughDissipativeTrappedElectronModeandToroidalIonTemperatureGradientModeinTEXTOR.NuclearFusion,1988.28:p.1053.Deng,B.H.,etal.,ModestructureofturbulentelectrontemperaturefluctuationsintheTexasExperimentalTokamakUpgrade.PhysicsofPlasmas,1998.5(12):p.4117-4120.Deng,B.H.,etal.,ElectroncyclotronemissionimagingdiagnosticofT-eprofilesandfluctuations.PhysicsofPlasmas,2001.8(5):p.2163-2169.Deng,B.H.,etal.,ECEimagingofplasmaT-eprofilesandFusionEngineeringandDesign,2001.53:p.77-Deng,B.H.,etal.,ElectroncyclotronemissionimagingdiagnosticsystemforRijn