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巨磁阻錳氧化物薄膜材料I10690116巨磁效應(yīng)（GiantMagnetoresistance）巨磁阻效應(yīng)是一種量子力學(xué)和凝聚態(tài)物理學(xué)現(xiàn)象，磁阻效應(yīng)的一種，可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層（幾個納米厚）結(jié)構(gòu)中觀察到。這種結(jié)構(gòu)物質(zhì)的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關(guān)，兩層磁性材料磁化方向相反情況下的電阻值，明顯大于磁化方向相同時的電阻值，電阻在很弱的外加磁場下具有很大的變化量。磁阻的定義：MR=Δρ/ρ=（ρ0

-ρH）/ρHx100%錳氧化物具有巨磁阻效應(yīng)PLDPLD是一種利用激光對物體進(jìn)行轟擊，然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD一般可以分為以下四個階段：1.激光輻射與靶的相互作用2.熔化物質(zhì)的動態(tài)3.熔化物質(zhì)在基片的沉積4.薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成巨磁阻錳氧化物薄膜的應(yīng)用巨磁阻效應(yīng)自從被發(fā)現(xiàn)以來就被用于開發(fā)研制用于硬磁盤的體積小而靈敏的數(shù)據(jù)讀出頭。到目前為止，巨磁阻技術(shù)已經(jīng)成為全世界幾乎所有電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。磁阻傳感器：線性和角位置傳感器、

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