第六章半導體存儲器6.1概述6.2只讀存儲器（ROM）6.3隨機存取器（RAM）6.4存儲器的應用6.1概述(1)一、存儲器的構造特點：1、數目龐大與管腳有限2、分組技術3、地址譯碼技術4、共享通道技術從存、取功能上分

只讀存儲器(ROM)

隨機存儲器(RAM)

SRAMDRAM

二、存儲器的分類從制造工藝上分

雙極型MOS型UVEPROME2PROM快閃存儲器

（FLASHMEMORY)掩模ROMPROMEPROM6.1概述(2)ROM（ReadOnlyMemory）是存儲固定信息的存儲器件，即先把信息和數據寫入到存儲器中，在正常工作時它存儲的數據是固定不變的，只能讀出，不能迅速寫入。ROM特點：掉電后存儲的數據不會丟失。RAM（RandomAccessMemory）是隨機存取存儲器

，讀寫方便。RAM特點：

所存儲信息會因斷電而丟失。三、存儲器的主要技術指標：1、存儲容量：所存放信息的多少，用Bit表示2、存儲時間：用讀（寫）周期表示6.1概述(2)6.2只讀存儲器（ROM）)ROM的電路結構

ROM的電路結構包含存儲矩陣、地址譯碼器和輸出緩沖器三個組成部分一、掩模只讀存儲器6.2只讀存儲器（ROM）(2)ROM中的數據表地址數據A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110ROM中的數據表ROM中的數據表二、可編程只讀存儲器(PROM)

6.2只讀存儲器（ROM）(3)PROM在出廠時，制作的是一個完整的二極管或三極管存儲單元矩陣，相當于所有的存儲單元全部存入1。在每個單元的三極管發射極上都接有快速熔絲，它是用低熔點的合金或很細的多晶硅導線制成的。6.2只讀存儲器（ROM）(4)三、可擦除的可編程ROM(EPROM)1、UVEPROM6.2只讀存儲器（ROM）(5)采用浮柵型MOS器件，紫外線照射擦除，需要10——30分鐘，可擦除上萬次。2、E2PROM6.2只讀存儲器（ROM）(6)同樣采用浮柵工藝，但可利用一定寬度電脈沖擦除。3、快閃存儲器

6.2只讀存儲器（ROM）(7)快閃存儲器既吸收了EPROM結構簡單、編程可靠的優點，又保留了E2PROM用隧道效應擦除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。6.4存儲器的應用(5)四、實用存儲器芯片1、EPROM27162、EEPROM28646.4存儲器的應用(6)6.3隨機存取器一、靜態隨機存儲器(SRAM)1、SRAM的結構和工作原理

SRAM電路通常由存儲矩陣、地址譯碼器和讀／寫控制電路三部分組成。6.3隨機存取器(2)（六管NMOS靜態存儲單元）2、SRAM的靜態存儲單元6.3隨機存取器(3)3、SRAM61166.4存儲器的應用(7)二、動態隨機存儲器(DRAM)1、DRAM的動態存儲單元的特點1）利用MOS管柵極電容存儲電荷2）柵極電容的容量很小(通常僅為幾皮法)，漏電流又不可能絕對等于零，所以電荷保存的時間有限3）為了及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信號丟失，必須定時地給柵極電容補充電荷---刷新或再生。(三管MOS動態存儲單元)6.4存儲器的應用一、思路：1、存儲器的譯碼器輸出包含了輸入地址變量全部的最小項2、存儲器數據輸出又都是若干個最小項之和3、而任何的組合邏輯函數可用輸入邏輯變量的最小項之和表示二、推論

n位輸入地址、m位數據輸出的存儲器可以設計一組(最多為m個)任何形式的n輸入邏輯變量組合邏輯函數三、方法：只要根據函數的形式向存儲器寫入相應的數據即可。6.4存儲器的應用(2)四、步驟：1、根據輸入變量數和輸出端個數確定存儲器的類型；2、將函數化為最小項之和的形式（列出函數的真值表）；3、列出函數的數據表；4、畫出相應的電路的結點圖（編程寫入數據）

6.4存儲器的應用(3)1、作函數運算表電路（Y=X2）2、實現組合邏輯函數3、用ROM設計一個8段字符顯示的譯碼器4、數字波形發生數據存儲器舉例6.4存儲器的應用(4)一、試用ROM構成實現函數的運算表電路，x的取值范圍為0～15的正整數。解：(1)分析要求、設定變量x的取值范圍為0～15的正整數，用B=B3B2B1B0表示；Y的最大位是＝225，用Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。(2)列真值表、函數運算表一、試用ROM構成實現函數的運算表電路，x的取值范圍為0～15的正整數。

（3）寫出邏輯函數表達式

（3）寫出邏輯函數的最小項表達式

(4)畫出ROM存儲矩陣結點邏輯圖

為作圖方便，將ROM矩陣中的存儲單