QUICKREFERENCEDATAVQUICKREFERENCEDATAVDS￡=100VlD=23A^ds；on：百7了ml】IRF540N溝道MOS管特性‘Thrench'工藝低的導通內阻快速開關低熱敏電阻綜述使用溝渠工藝封裝的N通道增強型場效應功率晶體管應用:DC到DC轉換器開關電源電視及電腦顯示器電源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常規鉛的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安裝的包裹。管腳管腳描述1Gate2Drain3SourceTabDrainSOT404(DJPAK)tab極限值系統絕對最大值依照限制值符號參數條件最小值最大值單位V_DSS漏源極電壓Tj=25?Cto175?C-100VVDGR漏門極電壓Tj=25?Cto175?C;-100V

V_GS門源極電壓RGS=20k?-士20Vl_D連續漏電流-23ATmb=25?C;VGS=10V-16AI_DM脈沖漏電流Tmb=100?C;VGS=10V-92AP_D總功耗Tmb=25?C-100WTj,Tsig操作點和Tmb=25?C-55175C存儲溫度雪崩能量極限值符號參數條件最小值最大值單位Eas非重復性雪Unclampedinductiveload,IAS=10A;-230mJ崩能量tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?C;1最大非重復VDDW25V;RGS=50?;VGS=10V;-23A1AS性雪崩電流refertofig:14熱敏電阻符號參數條件最小值典型值最大值單位D:安裝底座交界--1.5K/WRhj_mb處的熱阻周圍環境熱阻SOT78封裝，自由空間-60-K/WChj-aSOT404封裝，PCB上-50-K/W電特性25C除非另有說明符號參數條件最小值典型值最大值單位V(BR)DSS漏源極崩潰電壓Vgs=0V;ID=0.25mA100--VTj:=-55?C89--VVGS(TO)門閥電壓VDS=Vss;ID=1mA234VTj=175?C1--VTj:=-55?C--6VRDS(ON)漏源極導通電阻Vgs=10V;ID=17A-4977mQTj=175?C132193mQ

gfs向前跨導Vds=25V;Id=17A8.715.5-S1GSS門源極泄漏電流Vgs=±20V；Vds=0V-10100nA1DSS0門極電壓漏電流VDS=100V;VGS=0V-0.0510uAVDS=80V;VGS=0V;Tj=175?C--250uAQg(tot)總共門極電荷ID=17A--65nCQgs門源極電荷VDD=80V;--10nCQgd門漏極電荷VGS=10V--29nCTdon開啟延遲時間Vdd=50V;Rd=2.2?；-8-nsTr開啟上沿時間Vdd=10V;Rg=5.6?-39-nsTdoff關閉延遲時間Resistiveload-26-nsTf關閉卜沿時間-24-nsLd內部漏電感Measuredtabtocentreofdie-3.5-nHLd內部漏電感Measuredfromdrainleadtocentre-4.5-nHofdie(SOT78packageonly)Ls內部源極電感Measuredfromsourceleadtosource-7.5-nHbondpadCiSS輸入電容Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz-8901187pFCoSS輸出電容-139167pFCrSS反饋電容-83109pF反向二極管極限值及特性符號參數條件最小值典型值最大值單位

1S連續源極電流IF=28A;--23A1SM脈沖源極電流Vgs=0V--92AVds二極管正向電壓-0.941.5Vtrr反向恢復之間If=17A;Vgs=OV；-61-nsQrr反向恢復命令-d|F/dt=100A/us;Vr=25V-200-nC圖圖2:自然持續漏電流NormalisedPowerDerating,PD(%)Fig.1.Normalisedpowerdissipation.卩。％才00尸疔礙￡“（丁韻底座溫度-自然功率降低百分比圖1：自然功率損耗NormalisedCurrentDerating,ID(%)Fig.2.Normalisedcontinuousdraincurrent.ID%=1001^2^0=f(Tmb);conditions:VGS>10V底座溫度-漏電流降低百分比圖圖4:瞬態熱阻抗Fig.3.Safeoperatingarea.Tmb=25CC怙&価二H%）；Ssinglepube;p^enieter匚漏源極電壓-脈沖漏極電流峰值圖3:安全操作區域Fig.4.Transientthermalimpedance,巳怡阿t>=說）；parameterD=t/T脈寬-瞬態熱阻抗圖圖6:典型導通阻抗Drain-SourceVoltagerVDS(V)Fig.5.Typicaloutputcharacteristics,7}=25C二f(V°s)漏源極電壓-漏極電流圖5:典型輸出特性Drain-SourceOnResistance,RDS(on)(Ohms)Fig.6.Typicalon-stateresistance,T}=25CC.^DS(ON)=f(lD)漏極電流-漏源極導通阻抗圖圖10:門閥電壓I I Inrxe■inv廠ILJAI ■//n廠175C_J/Tj=r-'J////*P jF■十Draincurrent,ID(A)0064208642086420322222111110 1 23456789 10Gate-sourcevoltage,VGS(V)Fig*7.Typicaltransfercharacteristics.

Id=f(VGS)圖7:典型傳遞特性Fig8Typicaltransconductance,7｝二25C

9fS=f(lo)圖&典型跨導

NormalisedOn-stateResistanceNormalisedOn-stateResistance-60 -40 -20 0 20 40 60 80 10Q120140160160Junctiontemperature^Tj(C)Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.^DS(On/f^DS(ON)25C=f(Tj)圖9:漏源極導通阻抗ThresholdVoltage,VGS(TO)(V)JunctionTemperature,Tj(C)Fig.10.Gatethresholdvoltage.仏ThresholdVoltage,VGS(TO)(V)JunctionTemperature,Tj(C)Fig.10.Gatethresholdvoltage.仏g=f(T)；conditions:b二1mA;J二gs3030圖圖14:最大允許非重復性雪崩電流 （IAS）和雪崩的時間圖圖12:典型電容值Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=conditions:T產Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=conditions:T產25=C;VDS=J1000Q100010010A II八屮 ILII II八W(M 1 10 100Drain-SourceVoltage,VDS(V)Capacitances,Cis$fCoss,Crss(pF)CrssFig.72Typicalcapacitances,CISSiCoss,C*

C=f(VDS):conditions:VGS=0V;f=1MHz

vciS-0V~7vciS-0V~7:/f//.丿/n/r/ij=C/?J廠廠J-4tdr1) 23262422Source-DrainDiodeCurrentIF(A)08642086420CM.11-0 0.10.20.30.40.50,60,70.S0.9 1 1.11.21,31,41.5Source-DrainVoltage,VSOS(V)Fig.73.Typicalreversediodecurrent,