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T/CSTM00316—2022光電晶體熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體Optoelectricsinglecrystals-Lithiumtantalatesinglecrystalsforpyroelectricinfrareddetection2022-11-11發布 2023-02-11實施中關村材料試驗技術聯盟 發布T/CSTM00316T/CSTM00316—2022II前 言本文件參照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準的結構和編寫規則》的規定起草。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件由中國材料與試驗團體標準委員會光電材料及產品領域委員會（CSTM/FC60）提出。本文件由中國材料與試驗團體標準委員會光電材料及產品領域委員會（CSTM/FC60）歸口。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202211光電晶體熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體范圍（以。下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1031產品幾何技術規范（GPS）表面結構輪廓法表面粗糙度參數及其數值GB/T3389.1鐵電壓電陶瓷詞匯GB/T11297.8GB/T11297.9 tanδGB/T11297.10TCGB/T11297.11熱釋電材料介電常數的測試方法JC/T2545高性能紅外探測器用熱釋電單晶NB/SH/T0632比熱容的測定差示掃描量熱法YS/T42-2010鉭酸鋰單晶GB/T3389.1和JC/T2545界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1熱釋電晶體均勻性homogeneityofpyroelectriccrystal用熱釋電系數p隨晶體不同位置的變化量Δp表示熱釋電晶體的均勻性。標記1T/CSTM00316T/CSTM00316—202222圖1 熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體的產品標記標記順序說明：—LT表示熱釋電鉭酸鋰晶體；—Z表示晶體切型為Z軸向；—D表示晶體直徑，單位為mm；—T表示晶片厚度，單位為μm；—P表示晶體專用于熱釋電紅外探測領域；標記示例：LT-Z-76.2-250-P表示該產品為專用于熱釋電紅外探測領域的Z軸向熱釋電鉭酸鋰晶體，晶體直徑為76.2mm，厚度為250μm。晶體應為無色。晶體外表面應無明顯的劃痕、崩邊、崩口、肉眼可見的裂紋、色斑或其他外觀缺陷。晶體表面應拋光。晶體邊緣倒角。晶體尺寸公差應滿足以下要求：—直徑的尺寸公差不超過±0.5mm；—厚度的尺寸公差不超過±10μm。晶體表面粗糙度不超過50nm。晶體切型沿Z軸，晶片和晶面的定向面角度偏差≤10'。單疇化T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202233晶體應呈單疇結構，且分布均勻，方向一致。晶體居里溫度為605℃±3℃。晶體的物理性能應符合表1的要求，也可根據供需雙方協商另行確定。表1 物性能序號項目指標要求1熱釋電系數（p）×10-4C/m2K≥1.52體積比熱容（Cv）×106J/m3K2.5～3.531-1000Hz下相對介電常數（εr）42～5041-1000Hz下介電損耗角正切（tanδ）≤0.1%5電流響應優值(Fi)×10-10m/V≥0.56電壓響應優值(Fv)m2/C≥0.17探測率優值(Fd)×10-5Pa-1/2≥4.58均勻性(Δp)≤5%在不低于40W的光源下對晶體的外觀質量采用目測檢驗，目測距離不超過0.3m。晶體的直徑采用分度值不大于0.02mm的游標、帶表或數顯卡尺進行檢測。晶體的厚度采用分度值不大于0.01mm的千分尺進行檢測。（不需要約定量具）晶體的表面粗糙度按GB/T1031（選取標準針對的適用相）的規定進行檢測。晶體的定向面偏差按YS/T42-2010的規定，采用X射線衍射儀進行檢測。T/CSTM00316T/CSTM00316—202244單疇化晶體的單疇化按YS/T42-2010中附錄A的規定進行檢測。晶體的居里溫度按GB/T11297.10的規定進行檢測。晶體的熱釋電系數按GB/T11297.8的規定檢驗，在測試溫度為25℃的條件下進行檢測。晶體的體積比熱容按NB/SH/T0632的規定檢驗，在測試溫度為25℃的條件下進行檢測。晶體的相對介電常數按按照GB/T11297.11的規定檢驗，在測試溫度為25℃，測試頻率為1kHz的條件下進行檢測。晶體的介電損耗角正切按照GB/T11297.9的規定檢驗，在測試溫度為25℃，測試頻率為1kHz的條件下進行檢測。晶體的電流響應優值按JC/T2545的規定進行計算。晶體的電壓響應優值按JC/T2545的規定進行計算。晶體的探測率優值按JC/T2545的規定進行計算。均勻性晶體的均勻性測量方法：分別選定晶體中心位置和4個以上的中心對稱且離中心位置有一定距離的周圍位置進行熱釋電系數測量，所有測量值的相對平均偏差定義為晶體的均勻性。檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗，檢驗項目見表2。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202255表2 檢項目檢驗順序檢驗項目要求條款號試驗方法條款號型式檢驗出廠檢驗1外觀質量5.16.1√√2直徑5.26.2√√3厚度5.26.2√√4粗糙度5.36.2√□5定向面偏差5.46.3√□6單疇化5.56.4√□7居里溫度5.66.5√□8熱釋電系數5.76.6.1√√9體積比熱容5.76.6.2√□10相對介電常數5.76.6.3√√11介電損耗角正切5.76.6.4√√12電流響應優值5.76.6.5√□13電壓響應優值5.76.6.6√□14探測率優值5.76.6.7√□15均勻性5.76.6.8√□注：表中“√”表示必檢項目；“□”表示選檢項目。組批每批由同一批原料，在同一條生產線上經相同工藝連續生產的，具有相同規格尺寸的晶體組成。應符合表3的規定。表3 抽方案批量數n0/片樣本數n/片1～10n011～10010＋（n0-10）×20%101～50030＋（n0-100）×10%>50070＋（n0-500）×5%應按表3的規定加倍抽樣重新檢驗，仍有一項或一項以上指標未符合規定要求，則應對提交的產品判定為不合格。凡有下列情況之一時，應進行型式檢驗：T/CSTM00316T/CSTM00316—202266晶體定型鑒定或產品轉廠生產時；正式生產后，如設備、原材料、工藝有改變，可能影響晶體的質量時；停產12個月及以上，恢復生產時；批量生產時，每隔12個月進行一次。按表3的抽樣方案進行。每個試樣的各項檢驗項目均符合要求，則判型式檢驗合格；若有一項不符合要求，則判型式檢驗不合格。標志包裝箱上的標志應包括：晶體名稱、型號規格、數量、生產企業名稱、地址。包裝晶體應用帶防潮內襯的塑料袋包裝。內外包裝袋需密封良好，并能對產品提供足夠的抗碰撞、抗擠壓和抗震動保護。內包裝里應附有產品合格證，其內容包括晶體名稱、批號、生產日期等。包裝