1、結型場效應管第1頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二PNNg(柵極)s源極d漏極P溝道結型場效應管結構基底 ：P型半導體兩邊是N區導電溝道dgs第2頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二NgsdvDSvGSNNPiDP正常工作條件vDS為正值， vGS為負值。一、NJFET工作原理-+-（2）vGS越負則耗盡區越寬，導電溝道越窄,電阻越大， iD越小。vGS對溝道導電能力的影響（1）當vGS較小時，耗盡區寬度有限，存在導電溝道。ds間相當于線性電阻。第3頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二NJFET工作原理NgsdvDSNNPiD

2、P-+-vGSvGS對溝道導電能力的影響（3） vGS達到一定值時（夾斷電壓VP）,耗盡區碰到一起，ds間被夾斷，這時，即使vDS 0V，漏極電流iD=0A。VP:夾斷電壓兩側阻擋層相遇，溝道消失， iD0時的電壓第4頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二NJFET工作原理vDS對溝道導電能力的控制NgsdvDSvGSNNiD-+-PP源極：反偏電壓vGS最小溝道最寬漏極： 反偏電壓vGDvGS vDS最大，溝道最窄（1） vGDVP即vDS0vGS0vGS0vGSVT或VP放大：vDSvGS-VT(或VP)第19頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二g

3、sd增強型MOSgsd耗盡型MOS結型P溝道場效應管dgsvGSiDvGSiDiDvGSvGS0vGS0vGS0vDS0vGSVT或VPiD-v DSiD-v DSiD-v DS放大：vDSvGS-VT（或VP）第20頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二場效應管與三極管的比較1、場效應管是電壓控制器，而三極管是電流控制器件，場效應管輸入電阻高， IGFET為10101015 ，JFET為1081012 ，三極管輸入電阻在若干千歐 以下。2、場效應管只有多子參與導電，三極管多子、少子 都參與導電，少子易受溫度、輻射等影響，所以 FET比三極管抗輻射能力強。3、IGFET比三

4、極管噪聲低，JFET比IGFET還要低。IGFET ：絕緣柵型場效應管（MOSFET概念上屬于IGFET）第21頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二4、耗盡型IGFET的 vGS可正可負，有的場效應管 d 、s可以互換，所以FET的電路設計的靈活性更大。5、FET的輸入電壓動態范圍較大（可達幾伏），三極管一般小于幾百毫伏，但三極管的輸出電壓動態范圍較大，因為它的飽和壓降僅零點幾伏，而FET上升區轉入恒流區的轉折點處的電壓約有幾伏的緣故。6、MOSFET制造工藝簡單，芯片面積很小，功耗很小，便于大規模集成。第22頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二場效

5、應管的使用注意事項 1、電源極性按規定接入，注意不能超過極限 參數的規定數值。 2、對JFET要注意柵源電壓極性不要接反，以免PN結正偏過流而燒壞管子。 3、MOSFET管的襯底和源極常連在一起，若需分開，則襯源電壓使襯源的PN結反偏。 4、對于IGFET要特別注意柵極感應電壓過高所造成的擊穿問題第23頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二 IGFET 有很高的輸入電阻，柵極處于絕緣狀態，因此若人體或其它物體在柵極上感應生成的電荷很難被泄放掉，電荷在柵極的積累造成柵壓的升高，由于一般的 FET的極間電容很小，因此數量不多的電荷就會引起較高的電壓，如果感應電壓過大，就會把二氧

6、化硅絕緣層擊穿，使管子在未經焊接和使用情況下就失效或損壞了。 為了避免上述事故，關鍵要減小外界感應的影響，避免柵極的懸空，在保存IGFET 時，可選用導線將三個電極繞在一起等到已經形成柵極直流通路后再解開纏繞的導線，還應使用外殼接地良好的電烙鐵，最好是焊接時不加交流電，利用電烙鐵余熱（外殼仍接地）更為安全。在測量及使用中，仔細檢查儀器、儀表的漏電及接地情況。MOSFET只能用測試儀，不能用萬用表。第24頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二思考對圖中的各電路，決定場效應管的（1）溝道類型、（2）電源極性、（3）耗盡型還是增強型、（4）結型管還是MOS管。第25頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二例：設：試確定Q點？解：由于IG=0, 在靜態時無電流流過Rg3, VG的大小僅取決于Rg2、Rg1對VDD的分壓，而與Rg3無關，因此有假設JFET工作在飽和區, 則有所以第26頁，共28頁，2022年，5月20日，18點51分，星期二ID不應