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1、多晶矽TFT LCD應用指導老師：許進明學 生：曾祥修學 號：96L0231大綱多晶矽TFT LCD元件結構TFT LCD目前技術分為低溫多晶矽多晶矽TFT薄膜製作方法多晶矽TFT薄膜在元件之功能多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽TFT薄膜的優點參考文獻多晶矽TFT LCD元件結構TFT-LCD 即是thin-film transistor liquid-crystal display (薄膜電晶體液晶顯示器) 的縮寫TFT-LCD。 TFT LCD目前技術分為TFT LCD目前技術分為 非晶矽(a-Si TFT) 多晶矽(Poly-Si TFT) 高溫多晶矽 必須以攝氏1000度以上製程。 低

2、溫多晶矽 600度上下製程。 準分子雷射退火法(ELA) 固相結晶法(SPC) 金屬又發結晶（MIC/MICL）低溫多晶矽（固相結晶）固相結晶技術成本最低，也是最容易使用的方式。一般的作法是將非結晶矽薄膜放在爐管中進行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數幾退火條件。低溫多晶矽（金屬誘發結晶）利用金屬語系反應成介穩定的矽化合物，在矽化物移動的過程中，金屬原子的自由電子Si-Si共價鍵發生反應，降低a-Si結晶所需的能障降低，使得結晶問度降低。退火前退火後多晶矽TFT薄膜在元件之功能TFT（薄膜電晶體）靠電極間電場的驅動，引起液晶分子扭轉向列的電場效應，以控制光源的透射或遮斷功能 。

3、多晶矽TFT薄膜在元件之功能A A為TFTB B為液晶電容多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽晶膜結晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數量要一致，避免電晶體元件在電特性上成生不穩。I.500nm S.300nm多晶矽TFT薄膜的優點低溫多晶矽與a-Si TFT最大的差異在於p-Si TFT的電晶體需進一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉變為多晶矽薄膜層，使得p-Si TFT在矽晶結構上較a-Si TFT來的排列有序。多晶矽(Poly Si)TFTLCD與非晶矽(a-Si)TFTLCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達200(cm2/V-sec)，反應時間快10倍以上、多晶矽電子移動速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採更低功耗背光源差異 。多晶矽TFT薄膜的優點1. 反映速度加快 2. 輕薄化3. 降低材料成本4. 省電特性 5. 高解析度6. 降低不良率。參考文獻.tw/oesemi/new_page_24.htm國立成功大學 工程科學研究所 低溫多晶矽薄膜製成研究 陳毓儒國立雲科 光電工程研

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