1、電子技術(shù)半導(dǎo)體類型和應(yīng)用1.1 半導(dǎo)體二極管1.2 雙極型晶體三極管1.3 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的某些物質(zhì)。如硅、鍺、硒和砷化鎵等都是半導(dǎo)體。1.1 半導(dǎo)體二極管1.1.1 半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻雜靈敏性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo) 體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化 (可做 成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極 管、光敏三極管等)。熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng) (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。1.1.2 本征半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體及N型半導(dǎo)體1

2、.本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅(14)和鍺32)，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子排列完全一致的晶體稱為單晶。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為本征半導(dǎo)體，無光照和未受熱時(shí)不導(dǎo)電。在硅和鍺晶體中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層周圍電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵就是相鄰兩個(gè)原子中的價(jià)電子作為共用電對(duì)而形成的相互作用力。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4+4+4+4+4表示除去價(jià)電子后的原子 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常

3、溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，導(dǎo)電能力很弱。當(dāng)溫度升高或受到光照后,共價(jià)鍵中的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵束縛,成為自由電子,稱為本征激發(fā)。本征激發(fā)后留下的空位稱為空穴。空穴和電子一樣可以參與導(dǎo)電,是帶正電荷的載流子。本征激發(fā)中產(chǎn)生的兩種載流子總是成對(duì)出現(xiàn)的。實(shí)際上,在自由電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的過程中,還同時(shí)存在復(fù)合過程。溫度一定時(shí),激發(fā)和復(fù)合達(dá)到平衡。2.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。載流子：電子，空穴N型半導(dǎo)體（多數(shù)載流子為電子，電子導(dǎo)電型半導(dǎo)體）P型半導(dǎo)體（多數(shù)載流子為

4、空穴，空穴導(dǎo)電型半導(dǎo)體）N型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。每個(gè)磷原子給出一個(gè)電子，稱磷為施主雜質(zhì)。硅或鍺 +少量磷 N型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+N型硅表示多余電子磷原子硅原子SiPSiSiP型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或鋁,銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴可能

5、吸引束縛電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱硼為受主雜質(zhì)。硅或鍺 +少量硼 P型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體P型硅表示空穴硼原子SiSiSiB硅原子空穴被認(rèn)為帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng)雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P型半導(dǎo)體+N型半導(dǎo)體 PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。PN結(jié)形成空間電荷區(qū),內(nèi)電場由N區(qū)指向P區(qū)。P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場E漂移運(yùn)動(dòng)空間電荷區(qū)(耗盡層)PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng)+擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸變薄。漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場EPN結(jié)處

6、載流子的運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)加寬。漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng)所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。半導(dǎo)體二極管及其特性半導(dǎo)體二極管的核心部分就是一個(gè)PN結(jié)。P區(qū)引出端叫正極(或陽極)，N區(qū)引出端叫負(fù)極(或陰極)。二極管一般采用文字符號(hào)“D”表示，箭頭所指方向是PN結(jié)正向電流的方向，它表示二極管具有單向?qū)щ娦浴?1.二極管的單向?qū)щ娦远O管的正向接法:P區(qū)加高電壓、N區(qū)加低電壓。二極管的反向接法:P區(qū)加低電壓、N區(qū)加高電壓。PN結(jié)正向偏置+內(nèi)電場減弱，使擴(kuò)散加強(qiáng)，

7、擴(kuò)散漂移，正向電流大空間電荷區(qū)變薄PN+_正向電流PN結(jié)反向偏置空間電荷區(qū)變厚+NP_+內(nèi)電場加強(qiáng)，使擴(kuò)散停止，有少量漂移，反向電流很小反向飽和電流很小，A級(jí) 基本結(jié)構(gòu)(a) 點(diǎn)接觸型(b)面接觸型 結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。 結(jié)面積大、結(jié)電容大、正向電流大。用于低頻大電流整流電路。(c) 平面型 用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。2. 二極管的結(jié)構(gòu)和外型圖陰極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層P型硅N型硅( c ) 平面型金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼( a ) 點(diǎn)接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線(

8、b ) 面接觸型二極管的結(jié)構(gòu)示意圖陰極陽極( d ) 符號(hào)D3.二極管的伏安特性曲線及參數(shù)UIE+-U反向擊穿電壓U(BR)死區(qū)電壓 硅管0.5V,鍺管0.2V。導(dǎo)通壓降: 硅管0.60.7V,鍺管0.20.3V。反向漏電流（很小，A級(jí)）反向截止區(qū)二極管的特性可以分為以下幾個(gè)區(qū)域： 1）正向特性 （a）不導(dǎo)通區(qū)(也叫死區(qū)) 二極管開始外加電壓較小，正向電流幾乎為零，電阻較大，曲線比較平坦，稱作不導(dǎo)通區(qū)或者死區(qū)。死區(qū)電壓，一般硅二極管約伏，鍺二極管約伏。 （b）導(dǎo)通區(qū) 當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，正向電流急劇增大。該段曲線陡直，電流隨電壓增長很快，稱作導(dǎo)通區(qū)。二極管正向?qū)妷?硅二極管為伏，鍺二

9、極管為伏。 2）反向特性 （a）反向截止區(qū) 加反向電壓時(shí)，PN結(jié)內(nèi)電場阻礙多子擴(kuò)散,使二極管呈現(xiàn)很大的電阻。少數(shù)載流子形成很小的反向飽和電流，它會(huì)隨溫度變化。一般硅管在幾十微安以下，鍺管達(dá)幾百微安，大功率二極管的反向電流將更大些。 （b）反向擊穿區(qū) 當(dāng)反向電壓增大到超過某一個(gè)值時(shí)，電流急劇加大，叫反向擊穿。擊穿后反向電壓基本不變,不同的二極管，反向擊穿電壓不同。(注意:擊穿后只要限制電流,二極管不會(huì)損壞。穩(wěn)壓管就工作在反向擊穿區(qū)) 二極管工作特點(diǎn):單向?qū)щ娦?主要參數(shù)1. 最大整流電流 IFM二極管長期使用時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。2. 反向工作峰值電壓URM是保證二極管不被擊穿而

10、規(guī)定的反向工作電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之一。二極管擊穿后可能會(huì)損壞。電流和電壓越大,功率消耗越大。超過極限參數(shù)可能會(huì)損壞二極管。二極管的識(shí)別和簡易檢測方法用萬用表判斷二極管的好壞:正向時(shí)電阻小;反向時(shí)電阻大。普通二極管的正向時(shí)電阻越小,反向時(shí)電阻越大性能越好。指針式萬用表(電阻檔)的紅表筆是電池負(fù)極,黑表筆是電池正極.數(shù)字式萬用表剛好相反。用指針式萬用表R100或R1K檔測量二極管,不同電阻檔測量二極管時(shí),電阻會(huì)有不同。數(shù)字式萬用表不用電阻檔測量。1.1.5 二極管的應(yīng)用1.二極管整流電路 將交流電變換為直流電的過程稱為整流 圖1.1-14 整流器的結(jié)構(gòu)電源變壓器: 將

11、交流電網(wǎng)電壓u1變?yōu)楹线m的交流電壓u2。整流電路: 將交流電壓u2變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓u3。濾波電路: 將脈動(dòng)直流電壓u3轉(zhuǎn)變?yōu)槠交闹绷麟妷簎4。 (1)單相半波整流電路u2 0 時(shí)，二極管導(dǎo)通。iLu1u2aTbDRLuL忽略二極管正向壓降： uL=u2u1u2aTbDRLuLiL=0u20 時(shí)D1,D3導(dǎo)通D2,D4截止電流通路:A D1RLD3Bu20 時(shí)D2,D4導(dǎo)通D1,D3截止電流通路:B D2RLD4A輸出是脈動(dòng)的直流電壓！u2橋式整流電路輸出波形及二極管上電壓波形uD4,uD2uD3,uD1uou2D4D2D1D3RLuLAB負(fù)載上的電壓和電流平均值 每只二極管承受的最大反向電

12、壓就是u2的峰值，即： 平均電流(ID)與反向峰值電壓(URM)是選擇整流管的主要依據(jù)。如： 在橋式整流電路中，每個(gè)二極管只有半周導(dǎo)通。因此，流過每只整流二極管的平均電流 ID 是負(fù)載平均電流的一半。 二極管截止時(shí)兩端承受的最大反向電壓：例如:單相橋式整流電路變壓器次級(jí)輸出電壓U2=6V，整流后接1K的負(fù)載，那么負(fù)載上直流電流的平均值為多少? 解: UL2 IL=UL/RL一、二倍壓整流電路u2的正半周時(shí)：D1導(dǎo)通，D2截止，理想情況下，電容C1的電壓充到：u2的負(fù)半周時(shí)：D2導(dǎo)通，D1截止，理想情況下，電容C2的電壓充到：負(fù)載上的電壓： （4）單相倍壓整流電路C1u1u2D1D2C2+二、多

13、倍壓整流電路u2的第一個(gè)正半周：u2、D1、C1構(gòu)成回路，C1充電到：u2的第一個(gè)負(fù)半周：u2、D2、C2 、C1構(gòu)成回路，C2充電到：+C1u1u2D1D2D3D4D5C3C5C2C4+u2的第二個(gè)正半周：u2、C2、D3 、C3、C1構(gòu)成回路， C1補(bǔ)充電荷，C3充電到：u2的第二個(gè)負(fù)半周： u2、C1、C3、D4、C4 、C2構(gòu)成回路， C2補(bǔ)充電荷， C4充電到：把負(fù)載接在相應(yīng)電容組的兩端，即可獲得所需的多倍壓直流輸出。+C1u1u2D1D2D3D4D5C3C5C2C4+二極管數(shù)量輸出電壓平均值UO二極管上承受的最高電壓二極管上的平均電流半波1Uo=0.45U2ID = IL全波2Uo

14、=0.9U2ID =0.5 IL橋式4Uo=0.9U2ID =0.5 IL倍壓N例題1:某飛機(jī)儀表中需要2KV的直流電壓，試求:分別利用二倍壓、四倍壓整流電路時(shí)，整流變壓器的次級(jí)電壓和整流二極管的最大反向電壓。因?yàn)橐驗(yàn)樗运远O管的最大反向電壓二極管的最大反向電壓解:1、采用二倍壓整流電路時(shí)2、采用四倍壓整流電路時(shí)例如:某負(fù)載電阻為20K，需要5mA的直流電流，若采用四倍壓整流電路，變壓器次級(jí)輸出電壓約為多少 ? 解:UL=RLIL=205=100V 濾波電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn): 電容與負(fù)載 RL 并聯(lián)，或電感與負(fù)載RL串聯(lián)。交流電壓脈動(dòng)直流電壓整流濾波直流電壓原理：利用儲(chǔ)能元件電容兩端的電壓(或通

15、過電感中的電流)不能突變的特性, 濾掉整流電路輸出電壓中的交流成份，保留其直流成份，達(dá)到平滑輸出電壓波形的目的。2. 濾波電路 電容濾波電路以電容濾波為例進(jìn)行分析，其電路如圖所示。濾波原理橋式整流電容濾波電路au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+RL未接入時(shí)(忽略整流電路內(nèi)阻)u2tuot設(shè)t1時(shí)刻接通電源t1整流電路為電容充電充電結(jié)束沒有電容時(shí)的輸出波形RL接入（且RLC較大）時(shí) (忽略整流電路內(nèi)阻)u2tuot電容通過RL放電，在整流電路電壓小于電容電壓時(shí)，二極管截止，整流電路不為電容充電，uo會(huì)逐漸下降。只有整流電路輸出電壓大于uo時(shí)，才有充電電流iD 。因此整流電路的輸出電流是

16、脈沖波。可見，采用電容濾波時(shí)，整流管的導(dǎo)通角較小。 電感濾波電路結(jié)構(gòu): 在橋式整流電路與負(fù)載間串入一電感L就構(gòu)成了電感濾波電路。電感濾波電路u2u1RLLuouoRu2u1C1C2uo1RL RC 型濾波電路 其他形式的濾波電路 L-C 型濾波電路u2u1LuoCRLuo1LC 型濾波電路u2u1LuoC2RLuo1C1顯然， LC 型濾波電路輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)比只有LC濾波時(shí)更小，波形更加平滑；由于在輸入端接入了電容，因而較只有LC濾波時(shí)，提高了輸出電壓。3二極管的串并聯(lián) 在整流設(shè)備中，有時(shí)會(huì)遇到要求輸出很高電壓或很大電流的情況。這時(shí)，單個(gè)的整流器件已不能滿足要求，一般采用同型號(hào)的二極管串聯(lián)

17、或并聯(lián)使用。但二極管特性的差異會(huì)使電路損壞。（1）二極管的串聯(lián)均壓電阻的作用：防止反向電阻大的二極管先擊穿。均壓電阻的阻值為二極管反向電阻的1/3到1/5 。用于提高反向電壓（2）二極管的并聯(lián)均流電阻的作用：防止正向電阻小的二極管先燒壞。均流電阻的阻值為二極管正向電阻的3-4倍 。用于提高正向電流4二極管箝位電路箝位電路：一種稱為波形箝位，可將信號(hào)的波形幅值限制在選定的電壓范圍之內(nèi)，這種電路又叫限幅電路；另一種是電位箝位，將電路中某點(diǎn)電位值箝制在選定的數(shù)值上，使接于該處的負(fù)載在一定范圍內(nèi)變動(dòng)時(shí)，該點(diǎn)電位值保持不變。 1.1.6 特殊二極管及其應(yīng)用特殊二極管包括： 穩(wěn)壓管,變?nèi)荻O管,PIN二極

18、管,肖特基二極管,光電二極管(發(fā)光二極管),可控硅整流器和單結(jié)晶體管等應(yīng)用：整流、逆變和各種自動(dòng)控制設(shè)備中。穩(wěn)壓管-+穩(wěn)壓二極管符號(hào)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下,工作電流IZ在Izmax和 Izmin之間時(shí),其兩端電壓近似為常數(shù)IZmaxUIUZIZ穩(wěn)壓二極管特性曲線IZmin正向同普通二極管穩(wěn)定電流穩(wěn)定電壓例：穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用RLuiuORDZiiziLUZ穩(wěn)壓二極管技術(shù)數(shù)據(jù)為：穩(wěn)壓值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，負(fù)載電阻RL=2k，輸入電壓ui=12V，限流電阻R=200 。若負(fù)載電阻變化范圍為1.5 k 4 k ，是否還能穩(wěn)壓？RLuiuORDZiiziLU

19、ZUZW=10V ui=12VR=200 Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k (1.5 k 4 k) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA）RL=1.5 k , iL（mA）, iZ（mA）RL=4 k , iL（mA）, iZ（mA）負(fù)載變化,但iZ仍在12mA和2mA之間,所以穩(wěn)壓管仍能起穩(wěn)壓作用作業(yè)并聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖。Ui=10V、穩(wěn)壓電壓UZ=6V、R=100，求：(1)電路空載時(shí)穩(wěn)壓管電流IZ和輸出電壓UO；(2)加上RL=400的負(fù)載后，IZ

20、、UL和負(fù)載電流IL；(3)加上RL=100的負(fù)載后，IZ、UL和負(fù)載電流IL。UZIZRUiRLIL2變?nèi)荻O管 變?nèi)荻O管通常是由硅半導(dǎo)體材料制成，其特點(diǎn)是結(jié)電容隨電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管工作在反向截止?fàn)顟B(tài)，其結(jié)電容隨著反向電壓的增大而下降。 圖1.1-31 變?nèi)荻O管的符號(hào)和特性曲線 圖1.1-31 變?nèi)荻O管結(jié)構(gòu)隨反向偏壓的變化 3PIN二極管 在PIN二極管中，在兩層半導(dǎo)體之間還有一層高阻的I(本征)型半導(dǎo)體，它是完全不摻雜的或極微量摻雜的N型半導(dǎo)體。 特性：在頻率1MHz以下時(shí)，與常見的二極管相似。在較高頻率（約大于10MHz)時(shí)，PIN二極管不再具有單向?qū)щ娦裕腿缤粋€(gè)電阻

21、，其阻值隨導(dǎo)電電流的增大而減小。在電視和天線放大器中,可實(shí)現(xiàn)無失真的幅度調(diào)節(jié)4肖特基二極管 肖特基二極管是利用金屬-半導(dǎo)體的接觸來代替PN結(jié)，在N型半導(dǎo)體與金屬的界面中構(gòu)成一個(gè)阻擋層。 圖1.1-34 肖特基二極管 圖1.1-35 肖特基二極管電荷分布肖特基二極管與PN結(jié)差別：肖特基二極管是依靠一種載流子工作的器件，消除了PN結(jié)中存在的少數(shù)載流子儲(chǔ)存現(xiàn)象，因而適用于高頻高速電路。其次，省掉了P型半導(dǎo)體，因而有很低的正向電阻。肖特基二極管中的阻擋層薄，相應(yīng)的正向?qū)妷汉头聪驌舸╇妷壕^PN結(jié)低。5光電二極管 在光的照射下，某些半導(dǎo)體中受激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，改變了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。反之，在某些

22、半導(dǎo)體中，當(dāng)半導(dǎo)體中自由電子和空穴復(fù)合時(shí)，產(chǎn)生光的輻射，且不同的半導(dǎo)體材料，會(huì)輻射出不同顏色的光。例如，磷砷化鎵(GaAsP)發(fā)紅光或黃光，磷化鎵(GaP)發(fā)紅光或綠光，氮化鎵(GaN)發(fā)藍(lán)光，砷化鎵(GaAs)發(fā)不可見的紅外光等。 應(yīng)用：利用上述光電轉(zhuǎn)換可以制成各種光電二極管，例如發(fā)光二極管、光敏二極管和光電耦合器等。 （1）發(fā)光二極管發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode ，簡寫為 LED)是由電能轉(zhuǎn)換為光能的一種半導(dǎo)體器件。特性：當(dāng)外加正偏電壓時(shí)，P型半導(dǎo)體接電源的正極，N型半導(dǎo)體接電源的負(fù)極，N區(qū)中的多數(shù)載流子電子注入P區(qū)，并與其間的多數(shù)載流子空穴復(fù)合而發(fā)光。同理，P區(qū)中

23、的多數(shù)載流子空穴注入N區(qū)，并與其間的電子復(fù)合而發(fā)光。發(fā)光二極管的伏安特性與普通二極管相似，它的正向?qū)妷涸诘街g，其最高反向截止電壓約在3V與6V之間。發(fā)光二極管的發(fā)光亮度隨通過的正向電流成正比地增加，但正向電流過大時(shí)，亮度的增加趨緩。發(fā)光二極管的典型工作電流為10mA。發(fā)光二極管廣泛用來構(gòu)成七段數(shù)字顯示器可顯示0到9的十個(gè)數(shù)字。有共陽極和共陰極連接的兩種方法，R為限流電阻。（2）光敏二極管光敏二極管：光能轉(zhuǎn)換為電能的一種半導(dǎo)體器件，它有一個(gè)能受到光輻射的PN結(jié)。當(dāng)這樣的光子進(jìn)入PN結(jié)后，便會(huì)將它的能量賦給電子，而電子接受到足夠的能量后，就能夠掙脫原子軌道的束縛，于是便成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，它們將對(duì)流過PN結(jié)的電流發(fā)生影響。這種作用過程稱為內(nèi)部的光電效應(yīng)。 圖1.1-39 光敏二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)圖1.1-40 光敏二極管的特性曲