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1、！單元數龐大！輸入/輸出引腳數目有限EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動態靜態A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫是一次性編程，不能改！編程時將不用的熔斷有出廠時，每個結點上都熔絲由易熔合金制成寫入時，要使用編程器管疊柵注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置柵控制柵:fcGG通處正常邏輯高電平下導上未充負電荷，則若導通處正常邏輯高電平下不上充以負電荷，則若工作原理：cfcfGGGG年）光燈下分鐘（陽光下一周，熒紫外線照射空穴對，提供泄放通道生電子“擦除”：通過照射產形成注入電荷到達吸引高速電子穿過寬的正脈沖，上加同時在發生雪崩擊穿

2、）間加高壓（“寫入”：雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD)(管浮柵隧道氧化層采用點擦除慢，操作不便的缺為克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效應”電子會穿越隧道）當場強達到一定大小（厚度之間有小的隧道區，與,/cmVmSiODGf78210102導通）下，電壓（未充電荷時，正常讀出截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW電子隧道區接的正脈沖，加充電：01020,上電荷經隧道區放電加正脈沖，接放電：fjiCGBWG,0（隧道區）區有極小的重疊區與）更薄（與襯底間SGnmOSGfif15102的正脈沖，加接），加

3、正壓（，充電利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*上電荷經隧道區放電的正脈沖加放電，利用隧道效應fsscfGnsVVGG100120,作存儲單元觸發器，為基本RSTT41相通、與、導通，行中被選中，時，能在jjiBBQQTTX6511,單元與緩沖器相連列第行第導通，這時時，所在列被選中，jiTTYj871,，讀操作截止，與導通，則若時，當OIQAAAWRSC32110,，寫操作導通，與截止，則若QOIAAAWR3210,六管N溝道增強型MOS管SCWRAAOIOI片選信號：寫信號：讀地址線：數據線：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI寫信號：讀地址線：數據線：/987070,):(110025625670A個地址個字，需要每一片提供SCYYAAAA分別接四片的譯成即將兩位代碼區分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSC1110010029292929AAAAAAAA,四片的地址分配就是：01AA4321SCSCSCSC01AA912AAAA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDC

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