1、1第十一章第十一章 晶體薄膜衍襯成像分析晶體薄膜衍襯成像分析 211-1 概概 述（述（2） 薄晶電子顯微分析：薄晶電子顯微分析： 60年代以來(lái)：年代以來(lái)：因高性能電子顯微鏡、薄晶樣品制備方法高性能電子顯微鏡、薄晶樣品制備方法及電電子衍射理論子衍射理論的發(fā)展，晶體薄膜電子顯微分析已成為材料微觀組織、結(jié)構(gòu)不可缺少的基本手段。 90年代透射電鏡，年代透射電鏡，用于觀察薄晶樣，其晶格分辨率已達(dá)晶格分辨率已達(dá) 0.1nm ，點(diǎn)分辨率為點(diǎn)分辨率為0.14nm。 薄晶電子顯微分析：薄晶電子顯微分析： 能直接清晰觀察內(nèi)部精細(xì)結(jié)構(gòu)，發(fā)揮電鏡高分辨率的特長(zhǎng)； 還可結(jié)合電子衍射，獲得晶體結(jié)構(gòu)（點(diǎn)陣類型、位向關(guān)系、

2、晶體缺陷組態(tài)和其它亞結(jié)構(gòu)等）有關(guān)信息。311-1 概概 述（述（3） 若配備加熱加熱、冷卻冷卻、拉伸拉伸等特殊樣品臺(tái)特殊樣品臺(tái)，還能在高分辨下進(jìn)行材料薄膜的原位動(dòng)態(tài)分析原位動(dòng)態(tài)分析，用于研究材料相變和形變機(jī)理，揭示其微觀組織、結(jié)構(gòu)和性能之間的內(nèi)在關(guān)系。 迄今為止，只有利用薄膜透射技術(shù)，方能在同一臺(tái)儀器上同時(shí)對(duì)材料的微觀組織材料的微觀組織和結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行同位分析。進(jìn)行同位分析。4第第 二二 節(jié)節(jié) 薄薄 膜膜 樣樣 品品 的的 制制 備備 5一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（1）1. 薄膜樣對(duì)電子束須有足夠的薄膜樣對(duì)電子束須有足夠的“透明度透明度” 。 電子束的穿透能力和加

3、速電壓有關(guān)。電子束的穿透能力和加速電壓有關(guān)。 當(dāng) U=200kV 時(shí)，可穿透500nm厚厚的鐵膜； 當(dāng) U= 1000kV時(shí)，可穿透1500nm厚厚的鐵膜。 從圖像分析角度來(lái)看：從圖像分析角度來(lái)看： 樣品較厚，樣品較厚，膜內(nèi)不同層上的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)彼此重疊而互相干擾，得到圖像復(fù)雜，難以進(jìn)行分析。 樣品太薄，樣品太薄，表面效應(yīng)明顯，組織、結(jié)構(gòu)有別于大塊樣品。 因此，不同研究目的，樣品厚度選用應(yīng)適當(dāng)。 對(duì)一般金屬材料，樣品厚度都在一般金屬材料，樣品厚度都在 500 nm 以下。以下。6一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（2）2. 薄晶組織結(jié)構(gòu)須和塊樣相同，樣品制備時(shí)，組織結(jié)構(gòu)不變

4、。薄晶組織結(jié)構(gòu)須和塊樣相同，樣品制備時(shí)，組織結(jié)構(gòu)不變。 直接使用薄膜：直接使用薄膜：只有少數(shù)情況（光學(xué)或電子器件）。 大塊體：大塊體：占絕大多數(shù)。 工程材料大都是以塊體形式被制造、加工、處理和應(yīng)用，觀察分析用薄晶，應(yīng)代表大塊體固有性質(zhì)。 大塊樣品須大塊樣品須經(jīng)一系列不致引起組織、結(jié)構(gòu)變化方法，逐步減減薄薄到電子束能穿透的厚度。 特別在最后減薄，只能用特別在最后減薄，只能用化學(xué)或電化學(xué)等無(wú)應(yīng)力拋光法，以化學(xué)或電化學(xué)等無(wú)應(yīng)力拋光法，以減少機(jī)械損傷或熱損傷。減少機(jī)械損傷或熱損傷。但也不能完全保持原有狀態(tài)。7一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（一、薄膜樣品應(yīng)具備的基本要求（3）3. 薄膜應(yīng)有較大透明面積，減

5、薄應(yīng)盡可能均勻。薄膜應(yīng)有較大透明面積，減薄應(yīng)盡可能均勻。 以便選擇典型的視域進(jìn)行分析。4. 薄膜樣品應(yīng)有一定強(qiáng)度和剛度。薄膜樣品應(yīng)有一定強(qiáng)度和剛度。 在制備、夾持和操作過(guò)程中，在一定的機(jī)械力作用而不會(huì)引起變形或損壞。 5. 在制備樣品時(shí)，不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕。在制備樣品時(shí)，不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕。 因氧化和腐蝕會(huì)使樣品的透明度下降，并造成多種假像。 8透射樣品制備工藝示意圖透射樣品制備工藝示意圖 從塊料制備金屬薄膜大致可分為三個(gè)步驟：三個(gè)步驟：9二、薄膜制備工藝過(guò)程（二、薄膜制備工藝過(guò)程（1） 1、 從實(shí)物或大塊試樣上切割厚度從實(shí)物或大塊試樣上切割厚度為為0.30.5mm的薄片。的薄片。

6、 導(dǎo)電樣品：導(dǎo)電樣品：電火花線切割法，電火花線切割法， 應(yīng)用最廣泛，切割損傷層較淺，且可在后續(xù)磨制或減薄中去除。 不導(dǎo)電樣品：不導(dǎo)電樣品：用金剛石刃內(nèi)圓切金剛石刃內(nèi)圓切割機(jī)割機(jī)切片，如陶瓷等。 10 超聲波切割機(jī)：超聲波切割機(jī)： 對(duì)半導(dǎo)體、陶瓷、地質(zhì)等脆性薄片材料進(jìn)行切割。 切割厚度：0)為位矢 r 處原子面散射波相對(duì)于上表面散射波的相位角差； rKK)(2S 偏離矢量72二、理想晶體的衍射強(qiáng)度（理想晶體的衍射強(qiáng)度（2） 又考慮 s 與 r 近似平行，近似有振幅01透射波K衍射波KsgKK因?yàn)椋篸zeidrKKigg)(2即：szrsrg整數(shù)，dzeidiszgg2即為衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)理論的基本方程

7、衍射運(yùn)動(dòng)學(xué)理論的基本方程小柱體的衍射強(qiáng)度 (S 0)S 偏離矢量szrsrKK22)(273二、理想晶體的衍射強(qiáng)度（理想晶體的衍射強(qiáng)度（3） 將該小柱體內(nèi)所有厚度元的散射波振幅按位向疊加按位向疊加， 即得：柱體底部柱體底部衍射波的合成振幅衍射波的合成振幅g 。dzeidiszgg2tiszggdzei02istggessti)sin(小柱體的衍射強(qiáng)度 (S 0) 積分得：74二、理想晶體的衍射強(qiáng)度（理想晶體的衍射強(qiáng)度（4） 衍射波強(qiáng)度 I g 正比于其振幅g平方： I g = | g |2 當(dāng)波用復(fù)數(shù)形式表示時(shí)，2222)()(sin)(sstIggI g + I T1*gggI理想晶體衍襯運(yùn)

8、動(dòng)學(xué)基本方程理想晶體衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)基本方程 表明：表明：理想晶體的衍射強(qiáng)度理想晶體的衍射強(qiáng)度 I g 隨樣品的隨樣品的厚度厚度 t 和衍射晶面與和衍射晶面與精確布拉格位向間的精確布拉格位向間的偏離矢量偏離矢量 s ，而呈周期性的變化。，而呈周期性的變化。 衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)理論認(rèn)為：明、暗場(chǎng)的襯度是互補(bǔ)的。明、暗場(chǎng)的襯度是互補(bǔ)的。75三、理想晶體衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)方程的應(yīng)用三、理想晶體衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)方程的應(yīng)用76（一）等厚條紋（一）等厚條紋77（一）等厚條紋（一）等厚條紋 若衍射晶面位向確定，即偏離矢量 S常數(shù)常數(shù)，則衍射強(qiáng)度衍射強(qiáng)度 I g 隨晶體厚度厚度 t 發(fā)生周期性振蕩周期性振蕩。2max)(1ggsI衍射強(qiáng)

9、度 Ig 隨晶體厚度t的變化 振蕩周期： t = 1/s 當(dāng)當(dāng) tns (n為整數(shù)為整數(shù)) ， I g 0； 當(dāng)當(dāng) t（n1/2）s ， I g 為最大。為最大。222)()(sin1sstIgg衍射強(qiáng)度I g 78（一）等厚條紋（厚度消光條紋）（一）等厚條紋（厚度消光條紋） 衍射強(qiáng)度衍射強(qiáng)度 I g 隨 t 周期性振蕩規(guī)律，可定性解釋薄膜樣孔洞邊薄膜樣孔洞邊緣緣呈楔形楔形 （厚度變化區(qū)域）（厚度變化區(qū)域） 出現(xiàn)的厚度消光條紋。厚度消光條紋。 a) 等厚條紋形成原理的示意圖 b) 樣品邊緣形成的厚度條紋厚度條紋79等厚條紋等厚條紋（Thickness Contour） 入射束（藍(lán)）入射束（藍(lán)）

10、和和衍射束（紅）衍射束（紅）強(qiáng)度隨強(qiáng)度隨厚度厚度變化變化 （未計(jì)吸收）（未計(jì)吸收） 用用入射（衍射）束入射（衍射）束可可成明（暗）明（暗）衍射襯度像。衍射襯度像。010246810Thickness variationw雙束衍射條件下的暗場(chǎng)象，襯度隨晶體厚度增加而減少80晶界和相界的襯度晶界和相界的襯度 等厚條紋襯度：等厚條紋襯度： 也常在兩塊晶體間傾斜于薄膜表面的界面上，如晶界晶界、亞晶亞晶界界、孿晶界和層錯(cuò)層錯(cuò)等傾斜傾斜界面處觀察到。 下方晶體：下方晶體：偏離布拉格條件甚遠(yuǎn)，無(wú)衍射；偏離布拉格條件甚遠(yuǎn)，無(wú)衍射； 上方晶體：上方晶體：偏差矢量偏差矢量S=常數(shù)常數(shù)，可產(chǎn)生，可產(chǎn)生等厚條紋。等厚

11、條紋。傾斜界面示意圖 立方Zr02傾斜晶界條紋 81晶界和相界的襯度晶界和相界的襯度 界面兩側(cè)晶體界面兩側(cè)晶體因位向不同位向不同，或點(diǎn)陣類型不同點(diǎn)陣類型不同，一邊處雙光束條件，另一邊不滿足衍射條件，無(wú)強(qiáng)衍射，相當(dāng)于一個(gè)“空洞”，等厚條紋等厚條紋由此產(chǎn)生。 若傾動(dòng)樣品，不同晶粒或相區(qū)間衍射條件發(fā)生變化，相互間亮度差別也會(huì)變化。82（二）等傾條紋（二）等傾條紋83（二）等傾條紋（二）等傾條紋 當(dāng)厚度當(dāng)厚度 t 一定，一定，I g 隨隨 S 也呈周期性變也呈周期性變化。化。振蕩周期：振蕩周期： S= 1 / t 。衍射束Ig直射束 I-Ig222maxggtI衍射強(qiáng)度 Ig 隨偏離矢量 s 的變化

12、當(dāng)當(dāng) Snt (n非零整數(shù)非零整數(shù)) ， I g 0；直射束達(dá)最大；直射束達(dá)最大； 當(dāng)當(dāng)S= (n + ) / t ， I g 極大值，但隨極大值，但隨| s |的的 增大迅速衰減。增大迅速衰減。 當(dāng)當(dāng) S= 0時(shí)，時(shí)， I g 最大值；最大值；2222)()(sin)(tssttIgg84（三）等傾條紋（三）等傾條紋 當(dāng)厚度厚度 t 一定，一定， I g 隨隨 s 周期性變化周期性變化，可解釋薄晶樣品中彈性薄晶樣品中彈性變形（彎曲、隆起或凹陷）區(qū)變形（彎曲、隆起或凹陷）區(qū)出現(xiàn)彎曲消光輪廓。彎曲消光輪廓。TiAl 薄膜明場(chǎng)像中的彎曲消光條紋 當(dāng)無(wú)缺陷薄晶發(fā)生彎曲：當(dāng)無(wú)缺陷薄晶發(fā)生彎曲：在衍襯圖

13、像衍襯圖像會(huì)出現(xiàn)等傾條等傾條紋。紋。 因同一條紋上，晶體偏離偏離矢量矢量 s 的數(shù)值相等， 故稱 “等傾條紋等傾條紋”。 85（三）等傾條紋衍襯成像原理（三）等傾條紋衍襯成像原理86（三）等傾條紋衍襯成像原理（三）等傾條紋衍襯成像原理 薄晶厚度厚度t = 常數(shù)常數(shù)，而晶體內(nèi)不同部位衍射晶面（h k l） 因彎曲而與入射束存在不同程度偏離，即薄晶上各點(diǎn)有不同的即薄晶上各點(diǎn)有不同的偏離矢量偏離矢量 S 。等傾條紋形成原理示意(a) 晶體彎曲前的狀態(tài) 晶體彎曲前：晶體彎曲前： 若入射束和（hkl）晶面處于對(duì)稱入射對(duì)稱入射位置，偏離矢量偏離矢量S很大，很大，則不發(fā)生衍射。不發(fā)生衍射。 明場(chǎng)像：明場(chǎng)像：

14、均勻的亮度均勻的亮度。 對(duì)稱入射，對(duì)稱入射， S很大，很大，不發(fā)生衍射不發(fā)生衍射87（三）等傾條紋衍襯成像原理（三）等傾條紋衍襯成像原理 晶體彎曲后：晶體彎曲后： 因各點(diǎn)彎曲程度不同，各（因各點(diǎn)彎曲程度不同，各（hkl）晶面對(duì)入射束偏離角逐漸）晶面對(duì)入射束偏離角逐漸變化，隨與變化，隨與 0 點(diǎn)距離增大，點(diǎn)距離增大，| S |變小。變小。 等傾條紋形成原理示意圖 b） 晶體彎曲后衍射條件的變化 晶體彎曲，晶體彎曲，各點(diǎn)晶面各點(diǎn)晶面| S | 變小S0，衍射強(qiáng)度最大 若在若在A、B兩點(diǎn)：兩點(diǎn)： S0，則發(fā)生衍射，則發(fā)生衍射， I g 最大，最大， 該處在明場(chǎng)像：呈黑條紋。明場(chǎng)像：呈黑條紋。 即晶體

15、彎曲消光條紋。晶體彎曲消光條紋。 88等傾條紋等傾條紋 等傾條紋：等傾條紋：不同傾角即為不同傾角即為偏離矢量偏離矢量 s 的變化。的變化。89（二）倒易桿長(zhǎng)度的解釋（二）倒易桿長(zhǎng)度的解釋 當(dāng)薄晶厚度厚度 t 一定，由 I g 隨偏離矢量偏離矢量 s 周期性變化，周期性變化，可用于對(duì)倒易桿長(zhǎng)度的解釋。 當(dāng) S3/2t 時(shí)，二次衍射強(qiáng)度二次衍射強(qiáng)度很??； 1/t 范圍：范圍：看成是偏離布拉格角后能產(chǎn)生能產(chǎn)生衍射強(qiáng)度的界限。衍射強(qiáng)度的界限。衍射強(qiáng)度界限倒易桿長(zhǎng)度S2/tI g 隨偏離矢量S的變化 該界限即為 倒易桿長(zhǎng)度倒易桿長(zhǎng)度， 即 S 2 / t。 晶體厚度晶體厚度 t 越薄越薄, 倒易桿長(zhǎng)度倒

16、易桿長(zhǎng)度（2 / t）越長(zhǎng)。越長(zhǎng)。90四、非理想（缺陷）晶體的衍射襯度四、非理想（缺陷）晶體的衍射襯度91（一）缺陷矢量（一）缺陷矢量 R 的引入的引入 當(dāng)晶體存在缺陷晶體存在缺陷，晶柱會(huì)發(fā)生畸變晶柱會(huì)發(fā)生畸變，電子穿過(guò)后，晶柱底部衍射波振幅計(jì)算較為復(fù)雜?？梢肴毕菔噶咳毕菔噶縍（位移矢量）位移矢量）來(lái)描述畸變大小和方向。dzeeiRigisztgg220附加（缺陷）相位因子 與完整晶體相比Rg2因R附加位相角 R 大?。捍笮。簽檩S線坐標(biāo)軸線坐標(biāo) z 的函數(shù)。 顯然，rrR，經(jīng)計(jì)算： 衍射波合成振幅：衍射波合成振幅： 92（二）缺陷晶體的衍射襯度（二）缺陷晶體的衍射襯度 即在缺陷晶體衍射振幅缺

17、陷晶體衍射振幅中出現(xiàn)一個(gè)附加位向因子附加位向因子R。dzeeiRigisztgg220tiszggdzei02缺陷矢量R 附加（缺陷）相位因子 完整晶體相位因子 缺陷區(qū)缺陷區(qū)完整區(qū)完整區(qū) 因兩區(qū)域衍射強(qiáng)度兩區(qū)域衍射強(qiáng)度不同，則在衍襯圖像中顯示反映出晶體缺陷的襯度。晶體缺陷的襯度。93第七節(jié)第七節(jié) 晶體缺陷分析晶體缺陷分析9411-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（1） 晶體缺陷：晶體缺陷：主要是下列三種， 層錯(cuò)，層錯(cuò)，位錯(cuò)，位錯(cuò)，第二相粒子周圍造成的畸變。第二相粒子周圍造成的畸變。 堆垛層錯(cuò)：堆垛層錯(cuò)：發(fā)生在確定晶面上，層錯(cuò)面上、下方分別是位向相同的兩塊理想晶體，但下方晶體下方晶體相對(duì)于上方晶體

18、上方晶體存在一個(gè)恒定的位移恒定的位移 R。 面心立方晶體：面心立方晶體：層錯(cuò)面：層錯(cuò)面：111， 位移矢量：位移矢量： R1/3 或或 1/6。 可看作：層錯(cuò)面一側(cè)晶體整個(gè)地沿 方向平移了平移了1/3或平行于層錯(cuò)面切變切變1/6的位移，的位移，分別代表著層錯(cuò)生成的兩種機(jī)制。9511-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（2） 對(duì)于R1/6的層錯(cuò)，附加相位角附加相位角 ： 2g R 2( ha*kb*lc* ) 1/6( ab2c ) /3 ( hk2l )。 因面心立方晶面的因面心立方晶面的 h、k、l 為全奇或全偶，不消光。為全奇或全偶，不消光。 故故只可能是只可能是0，2或或2/3 。 如果選用

19、 g =11-1 或 311 等 ， 層錯(cuò)將不顯襯度； 若 g 為 200 或 220 等， 2/3 ，可以觀察到這種缺陷。 9611-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（3）（1）平行于薄膜表面層錯(cuò)）平行于薄膜表面層錯(cuò) ： 薄膜厚度為 t ，層錯(cuò)CD平行于表面，則 對(duì)無(wú)層錯(cuò)區(qū)無(wú)層錯(cuò)區(qū)，衍射波振幅為：stsdzetiszg)sin(02dzeedzeittisztiszg211202(a)平行薄膜表面的層錯(cuò) 對(duì)層錯(cuò)區(qū)層錯(cuò)區(qū)，衍射波振幅則為 ： 顯然，gg，衍襯圖像亮度不同，構(gòu)成了襯度。 層錯(cuò)區(qū)：層錯(cuò)區(qū)：顯示為均勻的亮區(qū)或暗區(qū)。均勻的亮區(qū)或暗區(qū)。 9711-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（4）（2）

20、傾斜于薄膜表面層錯(cuò)：）傾斜于薄膜表面層錯(cuò)：層錯(cuò)區(qū)的衍射波振幅仍為： dzeedzeittisztiszg211202(b)傾斜薄膜表面層錯(cuò) 但該區(qū)不同位置晶體柱上、下部分的厚度 t1和 t2 t - t1是逐點(diǎn)變化的。 若若 t1ns，則 A(t)A(t)， 亮度與無(wú)層錯(cuò)區(qū)相同亮度與無(wú)層錯(cuò)區(qū)相同； 若若 t1(n1/2)s，則 A (t) 最大或最小，最大或最小， A(t) A(t) 。 9811-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（5） 傾斜于薄膜表面的堆積層錯(cuò)：傾斜于薄膜表面的堆積層錯(cuò)：與傾斜界面等傾斜界面等相似 顯示為：顯示為：平行于層錯(cuò)，與上、下表面交線的亮、暗相間的條亮、暗相間的條紋，紋

21、，其深度周期深度周期為 t g =1s。不銹鋼中的層錯(cuò)形態(tài) 9911-7 晶體缺陷分析（晶體缺陷分析（6） 晶體中孿晶形態(tài)：晶體中孿晶形態(tài)：不同于層錯(cuò)。 由黑白襯度相間、寬度不等的平行條帶構(gòu)成，黑白襯度相間、寬度不等的平行條帶構(gòu)成，相間的相同襯度條帶為同一位向，而另一襯度條帶為相對(duì)稱的位向。單斜ZrO2中的孿晶形貌 層錯(cuò)：等間距的條紋。等間距的條紋。不銹鋼中的層錯(cuò)形態(tài) 100101四、位錯(cuò)的襯度四、位錯(cuò)的襯度102位錯(cuò)的襯度位錯(cuò)的襯度 非完整晶體衍射襯運(yùn)動(dòng)學(xué)基本方程：可清楚地說(shuō)明螺位錯(cuò)線的成像原因。 如圖為一條和薄晶體表面平行的螺型位錯(cuò)線，螺型位錯(cuò)線附近有應(yīng)變場(chǎng)，使晶體PQ畸變成PQ。 由螺型

22、位錯(cuò)線周圍原子的位移特性，可確定缺陷矢量R的方向和布氏矢量b方向一致。103位錯(cuò)的襯度位錯(cuò)的襯度 圖中： x晶柱和位錯(cuò)線間的水平距離。 y位錯(cuò)線至膜上表面的距離。 z晶柱內(nèi)不同深度的坐標(biāo)，薄晶厚度為薄晶厚度為t t。 因晶柱在螺位錯(cuò)應(yīng)力場(chǎng)中，其內(nèi)各點(diǎn)應(yīng)變量都不相同，因此，各點(diǎn)上R 矢量也均不相同，即 R 是坐標(biāo) z 的函數(shù)。104位錯(cuò)的襯度位錯(cuò)的襯度 為便于描繪晶體畸變特點(diǎn)，把度量R的長(zhǎng)度坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成角坐標(biāo)，其關(guān)系如下2bR2bR xyz 1tanxyzbR1tan2nxyzbghkl1tan 從式中可看出晶柱位置確定后（x和y一定），R是z的函數(shù)。因?yàn)榫w中引入缺陷矢量后，其附加位相角=2gh

23、klR，故105位錯(cuò)的襯度位錯(cuò)的襯度 g ghklhklbb可等于零，也可是正、負(fù)的整數(shù)。 若g ghklhklb=0b=0，則附加位相角0，此時(shí)即使有螺位錯(cuò)線存在也不顯示襯度。 若g ghklhklb0b0，則螺位錯(cuò)線附近的襯度和完整晶體部分的襯度不同。nxyzbghkl1tan106位錯(cuò)的襯度位錯(cuò)的襯度 位錯(cuò)線不可見性判據(jù)：位錯(cuò)線不可見性判據(jù)： 當(dāng)ghklhklb=0時(shí)，稱為位錯(cuò)線不可見性判據(jù)位錯(cuò)線不可見性判據(jù)，利用它可確定位錯(cuò)線的布氏矢量。 因ghklhklb=0時(shí)，表示ghklhkl和b相垂直，若選擇兩個(gè)g矢量作操作衍射時(shí)，位錯(cuò)線均不可見，則就可列出兩方程，即可以確位錯(cuò)的Burgers

24、矢量：B B00222111bgbglkhlkhB / g1g2107刃型位錯(cuò)襯度的產(chǎn)生及其特征刃型位錯(cuò)襯度的產(chǎn)生及其特征 位錯(cuò)引起附近晶面的局部轉(zhuǎn)動(dòng)，意味著在此應(yīng)變場(chǎng)范圍內(nèi)，（hkl）晶面存在著額外的附加偏差。 位錯(cuò)線像：位錯(cuò)線像：將出現(xiàn)在其實(shí)際位置的另一側(cè)。 位錯(cuò)線像：位錯(cuò)線像：總是有一定的寬度，對(duì)應(yīng)“應(yīng)變場(chǎng)襯度應(yīng)變場(chǎng)襯度”. .108位錯(cuò)襯度位錯(cuò)襯度Al-Mg合金中的位錯(cuò)胞結(jié)構(gòu)合金中的位錯(cuò)胞結(jié)構(gòu)30CrMnSiA高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)鋼中高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)鋼中的沉淀相的沉淀相Cr23C6與位錯(cuò)與位錯(cuò)(BF)109位錯(cuò)襯度位錯(cuò)襯度18Cr-8Ni不銹鋼1100，1.5h淬火兩組平行滑移面上的位錯(cuò)列（BF）110五、第二相粒子襯度