1、太陽(yáng)能光伏術(shù)語(yǔ)及名詞解釋文章出處：semi大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)發(fā)布時(shí)間：2014/08/12|3270次閱讀AA,Ampere的縮寫，安培a-Si,amorphoussilicon的縮寫，含氫的,非結(jié)晶性硅。amorphes/kristallinesSIHriumamorpliesSiliziuTnkristalLinesSilizium整注目5Und.j-iJ|r4ungSchemarisch&rAufbautfes列宙um-K前扣的次通行vonamorph&mundkristatlinmAbsorption,吸收。Absorptionofthephotons:光吸收；當(dāng)能量大于禁帶寬度的光子入射

2、時(shí)，太陽(yáng)電池內(nèi)的電子能量從產(chǎn)生仙子空穴對(duì)的作用，稱為光吸收。Absorptionscoefficient,吸收系數(shù)，吸收強(qiáng)度。AC,交流電。Ah,安培小時(shí)。Acceptor,接收者，在半導(dǎo)體中可以接收一個(gè)電子。Alternatingcurrent,交流電，簡(jiǎn)稱交流.一般指大小和方向隨時(shí)間作周期性變化的電壓或電流形式是正弦電流.我國(guó)交流電供電的標(biāo)準(zhǔn)頻率規(guī)定為50赫茲。交流電隨時(shí)間變化的形式可以是多同變化形式的交流電其應(yīng)用范圍和產(chǎn)生的效果也是不同的。以正弦交流電應(yīng)用最為廣泛，且其他一般都可以經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)處理后，化成為正弦交流電的迭加。AM,airmass的縮寫，空氣質(zhì)量。直射陽(yáng)光光束透過(guò)大氣層所通過(guò)的

3、路程，以直射太陽(yáng)光束從天頂?shù)竭_(dá)海平面所通過(guò)的路程的倍數(shù)當(dāng)大氣壓力P=1.013巴，天空無(wú)云時(shí)，海平面處的大氣質(zhì)量為1。AirMassZenit48*AM1.5AM1.025kmAtmosphare1000W/mSonn&nlichC由aufrf;eE虱總起世,所必屈rracttEi時(shí)EK兩用istunfschiedlichi&沖園2geduichd沁日00Ph也9箝用或囹InMsere#町e北如門丹das5。皿助印詠安口/七法durchdasAM1.5SpHrumdarestelitwerden;amAquuroFdunrhdasAM1.0Speianjniamorphoussiliconso

4、larcell:非晶硅太陽(yáng)電池（asi太陽(yáng)電池）用非晶硅材料及其合金制造的太陽(yáng)電池稱為非晶硅太陽(yáng)電池，亦稱無(wú)定形硅太陽(yáng)電池，簡(jiǎn)稱Angleofinclination，傾斜角，即電池板和水平方向的夾角，0-90度之間。NeigungswinkelAnode,陽(yáng)極，正極。BackSurfaceField,縮寫B(tài)SF,在晶體太陽(yáng)能電池板背部附加的電子層,來(lái)提高電流值。bandbreak,在半導(dǎo)體中，價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的空隙，對(duì)于半導(dǎo)體的吸收特性有重要意義。Becquerel,Alexandre-Edmond,法國(guó)物理學(xué)家，在1839年發(fā)現(xiàn)了電池板效應(yīng)。BSF,backsurfacefield的縮寫。By

5、pas-Diode,與太陽(yáng)能電池并聯(lián)的二極管，當(dāng)一個(gè)太陽(yáng)能電池被擋住，具他太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電流可以從它處通過(guò)。Bypass-DiodeByp需*DiodeDuEd電Re詁物5碗聞呻rmMW3h俗就W州d訕abgesc/iatteteSoiarzelleaufundkannzerrtort懵enc/erhDurchBypasidiodenwindder5tmmcfer曲rigeninRetirelisten5加以反包拉h(huán)anrfreservorbeigeitet,CCadmium-Tellurid,縮寫CdTe;位于II/VI位的半導(dǎo)體，帶空隙值為1,45eV,有很好的吸收性，應(yīng)用于超薄太陽(yáng)能電

6、池板，或者是連接半導(dǎo)體。Cathode,陰極，或負(fù)極，是在電池板電解液里的帶負(fù)電的電極，是電池板電解液里帶電粒子和導(dǎo)線里導(dǎo)電電子的過(guò)渡點(diǎn)。C-Si,crystalline-silicon的縮寫。Celltemperature:電池溫度。系指太陽(yáng)電池中P-n結(jié)的溫度。Chargecontrol,充電控制器，在電池板設(shè)備和電池之間聯(lián)接。它控制并監(jiān)控充電的過(guò)程。其他的功能如MPP（最大功率點(diǎn)跟蹤）和保護(hù)電池不過(guò)多放電而損壞。CIGS,CopperIndiumGalliumDiselenide的縮寫。CIS,Copper-Indium-Diselenide的縮寫。Concentratorsolarce

7、ll,濃縮電池板，借助反光鏡或是透鏡使陽(yáng)光匯聚在電池板上，缺點(diǎn)是要不停地控制它的焦點(diǎn)一直在電池板上，因?yàn)樘?yáng)在不停地動(dòng)。Concentration?ratio:聚光率;聚光器接收到的陽(yáng)光光通量與太陽(yáng)電池接收到的光通量之比叫聚光率。Conductibility,當(dāng)金屬或半導(dǎo)體加上電磁場(chǎng)后，將會(huì)有一個(gè)和電磁場(chǎng)成比例增加的電流存在，該電流可以用電流密度來(lái)描述，即單位面積的電流強(qiáng)度。該電流強(qiáng)度越大，則說(shuō)明該物質(zhì)的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，單位是S/cm2o西門子每平方厘米Conductionband,導(dǎo)帶，通過(guò)許多原子的交換效應(yīng)，在半導(dǎo)體內(nèi)部會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)帶和價(jià)帶，之間通過(guò)帶溝隔開，電子可以運(yùn)動(dòng)到空穴里，空穴可以運(yùn)行到

8、價(jià)帶里，例如在電磁場(chǎng)的作用下或通過(guò)傳播，空穴電子對(duì)等。Connectionsemiconductor,連接半導(dǎo)體，指由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)元素組成的半導(dǎo)體，如錢神，鎘端，銅鈿等。Copper-Indium,銅鈿化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰Γ~的電子價(jià)帶具有1.0電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到15.4%的效率。Copper-Indium-Galium,銅鈿化合物化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰Γ趽诫s錢的銅的電子價(jià)帶具有1.0到2.7電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到17.7%的效率。Cornborder,多晶硅每個(gè)晶體之間的邊界，阻礙電荷的移動(dòng)，因

9、此單晶硅的效率總的來(lái)說(shuō)比多晶硅高。Crystalsilicon,晶體硅Current,電流，電流是指電荷的定向移動(dòng)。電流的大小稱為電流強(qiáng)度（簡(jiǎn)稱電流，符號(hào)為I）,是指單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)線某一截面的電荷量，每秒通過(guò)一庫(kù)侖的電量稱為一安培（A）o安培是國(guó)際單位制中所有電性的基本單位。除了A,常用的單位有毫安（mA）及微安（pA）。Czochralsky-Procedure,制造單晶體硅的方法，從硅中熔煉出來(lái)。DDC,直流電的縮寫。Degradation,太陽(yáng)能電池板的效率會(huì)隨著光照時(shí)間增加而降低。Diffusion,電荷擴(kuò)散，產(chǎn)生一個(gè)濃度層。Diode,二極管，電流只能朝一個(gè)方向流動(dòng)。太陽(yáng)能電池其實(shí)

10、理論上就是一個(gè)大面積，被照射的二極管,I/U曲線特性。Donator,捐贈(zèng)者，在半導(dǎo)體中可給出一個(gè)電子。對(duì)于硅，原則上磷可作為捐贈(zèng)者。Dotieratomn-Bereirhp-BerkhSiliziumKris.termitAlomrLimpfQnundElektrnnen:FunfwrtigeF電f加仃P(guān)hosphaP)ie5力RuEWism”habeneinE也出團(tuán)dxM它市自甘(Bor,BeineszuwenrtDuennschichtsolarzelle,一種不用晶片，而是才用超薄技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的超薄太陽(yáng)能電池板，具材料為a-Si:H,CdTe,CIS,GaAs。Duennschicht

11、technik,生產(chǎn)超薄太陽(yáng)能電池板的技術(shù)，直接從便宜的基層材料制作，比如玻璃，金屬層，塑料層。優(yōu)點(diǎn)是省材料，能源，可制作大面積的太陽(yáng)能電池板。使用金屬為a-Si:H,CdTe,CIS,GaAs。EEfficiency,效率，指一個(gè)光伏單元產(chǎn)生的電能除以它所受的光照強(qiáng)度。EFG-Procedure,EdgedefinedFilmGrowth的縮寫。用這個(gè)方法可以從硅中熔煉出8角形的管子，棱長(zhǎng)10厘米，總長(zhǎng)可以到5米，可以切割成10x10厘米晶片。優(yōu)點(diǎn)是切割損耗少。EG-Si,ElecronicGradeSilizium的縮寫，用于芯片制作的高純度硅。Electrolyte,電解質(zhì)。Elektr

12、on,電子。Elektronen-Loch-Paar,電子空穴對(duì)，半導(dǎo)體吸收一個(gè)光子，釋放出一個(gè)電子和一個(gè)空穴。Elektronen-Lach*PaarEntslehungdnesElekt/cnen-Loch-Paa加eimmHit出&i愜r加赴AbsorptionvanLichtEnclosure,包裝，防風(fēng)雨模塊的保護(hù)。例如玻璃，等材料。EVA,Ethylen-Venyl-Acetat的縮寫。封裝太陽(yáng)能電池板的薄膜。FFresnellens:菲涅爾透鏡；用微分切割原理制成的薄板式透鏡。FZ,float-zone-procedure的縮寫。GGaAs,GallliumArsenid的縮寫。

13、半導(dǎo)體，被用于太陽(yáng)能電池板時(shí)，效率可達(dá)22%。Geometricalconcentratorratio:幾何聚光率；聚光器面積與太陽(yáng)電池面積之比叫幾何聚光率。Grid,太陽(yáng)能電池板上的金屬導(dǎo)線。電阻越小越好，這樣能量損失少。GndfurdieSerienverschaltung日Meulider加電nHolesaw,空穴鋸，空穴鋸是一個(gè)非常薄的金屬片，就像耳膜一樣薄，這個(gè)薄片在正中央有一個(gè)洞，它的邊緣使用金剛石刀。使用該薄片切割使損耗在0.2到0.3微米之間。Hole,空穴，正的帶電體，在半導(dǎo)體接收光照后，和電子同時(shí)出現(xiàn)的帶電體，一般成為空穴電子對(duì)。HotSpot,熱點(diǎn)，在電池板部分被陰影遮擋

14、時(shí)，被遮擋的單元不能發(fā)電同時(shí)有很大的電阻，對(duì)于串聯(lián)的電路會(huì)有很大的熱損耗，甚至燒壞該點(diǎn)的電池板。為了避免此情況的發(fā)生，旁路二極管與各自的單元并聯(lián)。從而便免歐姆的熱損失。II:電流的縮寫，國(guó)際單位為安培Indium-Zinn-Oxid:縮寫（ITO）,鈿鋅氧化物，透明的半導(dǎo)體，并具有很高的導(dǎo)電性，作為透明接觸層應(yīng)用于對(duì)很薄的電池板單元或是彩色物質(zhì)單元。Ingo:從多晶硅或是單晶硅提煉出的塊狀物。Integratedserialswitching:集成的串聯(lián)技術(shù)，在生產(chǎn)大面積的電池板時(shí)應(yīng)用于薄膜技術(shù)。在生產(chǎn)過(guò)程中大面積的電池板單元被激光束裁成單個(gè)的薄片，但是這個(gè)薄片的上表面要和鄰居薄片的下表面組成

15、串聯(lián)。集成的串聯(lián)技術(shù)是除了節(jié)省材料外的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)的薄膜技術(shù)。IntegrierteSerienverschaltungEZJTCOanorphepinSohrzelleMcHUntaktschEmatisclier叫egdesStrcimesdurehdieSerienversehaltLinqIntensity:光照強(qiáng)度，物理測(cè)量的單位面積的光照功率，單位是瓦特每平Intrinsic:描述一個(gè)沒(méi)有摻雜的半導(dǎo)體和一個(gè)摻雜半導(dǎo)體的對(duì)比。Inverter:逆變器，將變化的MPP由太陽(yáng)能電池板提供的直流電轉(zhuǎn)化為電網(wǎng)交流電的變頻器。Ion：離子，分正和負(fù)的原子或者分子，離子在電解液里起到導(dǎo)電的作用。

16、ISC:短路電流。Islandsystem:孤島系統(tǒng)，是不和大電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，只是供自己使用的光伏系統(tǒng)，例如只是在山里或是小島上的光伏發(fā)電系統(tǒng)。ITO:是鈿睇氧化物的縮寫。I-U-characteristiccurve:電池板I-U特征曲線，代表太陽(yáng)能電池的典型特征。在這里太陽(yáng)能電池板的輸出的電壓和電流的關(guān)系。從I-U-曲線里可以看出該電池板以下的特征：電池板最大利用率，短路電流，開路電壓，電池板效率等。KkT,熱學(xué)能量（k=Boltzmann常數(shù)，1.381x10-23J/K,T=Kelvin絕對(duì)溫度）kWh：千瓦時(shí)，能量的單位。1kW=1000瓦，是一千瓦的燈泡亮一個(gè)小時(shí)鎖消耗的能量。kWp,p

17、eak:指的是最大的功率點(diǎn)，單位是千瓦，一般太陽(yáng)能逆變器的功率就是指的是最大功率。LLaminate:一種薄片材料，來(lái)保護(hù)電池板芯片，例如EVA或Tedlar。通過(guò)該物質(zhì)將電池板芯片整個(gè)用透明的物質(zhì)密封起來(lái)，一方面保護(hù)電池板芯片，另外一方面還要保持陽(yáng)光的穿透力。Lighttrapping:光的增透，在光完全被電池板吸收前，進(jìn)入電池板的光通過(guò)反射和內(nèi)表面的阻礙，光的增透對(duì)薄層電池板有著非常特別的意義，表面處理技術(shù)起著重要的作用。OberftachenstrukturDJcpyrarridenRjnnigeOberflachenstrukturvennindmdeReRexioaundvertae

18、ktrileStratiljngsleistunsdichtederSonn?El(X)incertiaLbdurAtmosplurv(AM15)imVe-rgleichzuripektnltnStrahliifigEehtungFichteenideilenSonnenspeibtimsSurfaceconstruction:表面處理，通過(guò)機(jī)械或者化學(xué)方法摩擦電池板的表面，這樣有助于吸收太陽(yáng)光，例如通過(guò)增透的方式(lighttrapping)。Systemefficiency:系統(tǒng)的效率，指光伏系統(tǒng)向電網(wǎng)傳輸?shù)哪芰砍怨庹漳芰俊Tandemsolarcell:疊型光伏單元，指由兩個(gè)疊在一起

19、的單元組成的光伏電池，主要是由超薄層技術(shù)來(lái)生產(chǎn)。Tedlar:塑料薄膜，應(yīng)用于生產(chǎn)光伏模塊的薄膜。Temperaturecoefficient:當(dāng)溫度上升時(shí)，給出了每一度的溫度對(duì)光電電池板效率的衰減，取決于電池板的材料。theoreticalefficiency:理論效率，指電池板在理想的情況下的效率。Timeconstant:時(shí)間常數(shù)；輻射度發(fā)生一次突變后，輻射表或光伏發(fā)電器恢復(fù)到穩(wěn)定值的63.2%所需的時(shí)間。Tracking:跟蹤。TransparentConductiveOxide:透明導(dǎo)電氧化層。Tripelsolarcell:三層光伏單元，由三層疊在一起的電池單元組成，每一層對(duì)不同的光譜有很強(qiáng)的吸收能力，主