1、2022-4-131/48第五章第五章 準(zhǔn)靜態(tài)電磁場(chǎng)準(zhǔn)靜態(tài)電磁場(chǎng)Quasistatic Electromagnetic Field7 電磁屏蔽電磁屏蔽6 導(dǎo)體交流內(nèi)阻抗導(dǎo)體交流內(nèi)阻抗5 渦流及其損耗渦流及其損耗4 集膚效應(yīng)與鄰近效應(yīng)集膚效應(yīng)與鄰近效應(yīng)3 電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電荷馳豫電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電荷馳豫2 磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與集總電路磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與集總電路1 電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)主要內(nèi)容主要內(nèi)容（Electroquasistatic） 簡(jiǎn)寫簡(jiǎn)寫 EQS（Magnetoquasistatic ）簡(jiǎn)寫）簡(jiǎn)寫 MQS2022-4-132/48本本 章章 要要 求求1 了解了解EQS和和MQS的共

2、性和個(gè)性，的共性和個(gè)性，2 掌握工程計(jì)算中簡(jiǎn)化為準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的條件；掌握工程計(jì)算中簡(jiǎn)化為準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的條件；3 掌握準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的計(jì)算方法。掌握準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的計(jì)算方法。2022-4-133/481 電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)特點(diǎn)特點(diǎn): 與靜電場(chǎng)相比，磁場(chǎng)方程發(fā)生變化，電場(chǎng)方程無(wú)變化。與靜電場(chǎng)相比，磁場(chǎng)方程發(fā)生變化，電場(chǎng)方程無(wú)變化。0 , , ,0BDtDJHE5.1 電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)和磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)和磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)Electroquasistatic and Magnetoquasistatic基本方程組（微分形式）：基本方程組（微分形式）：定義：定義：0)(cicEEEE若庫(kù)侖電場(chǎng)若庫(kù)侖電場(chǎng)Ec遠(yuǎn)大于感應(yīng)電場(chǎng)遠(yuǎn)大于感

3、應(yīng)電場(chǎng)Ei，電場(chǎng)呈無(wú)旋時(shí)，電場(chǎng)呈無(wú)旋時(shí)，即即 此時(shí)的電磁場(chǎng)稱為電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。此時(shí)的電磁場(chǎng)稱為電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。 2022-4-134/48電荷電荷分布分布靜電場(chǎng)公式靜電場(chǎng)公式、0 ,BtDJH、求解方法：分兩步求解方法：分兩步1）電場(chǎng)的求解采用靜電場(chǎng)的公式）電場(chǎng)的求解采用靜電場(chǎng)的公式2）磁場(chǎng)的求解通過(guò)電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的基本方程求解）磁場(chǎng)的求解通過(guò)電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的基本方程求解2022-4-135/48例例1 內(nèi)外導(dǎo)體半徑分別為內(nèi)外導(dǎo)體半徑分別為a和和b的同軸圓柱形電容器，其長(zhǎng)度為的同軸圓柱形電容器，其長(zhǎng)度為l（a,b），充填有電介質(zhì)（），充填有電介質(zhì)（，）。若內(nèi)外導(dǎo)體間加一正弦電壓）。若內(nèi)外導(dǎo)體間加一正弦電壓u=

4、U0sint，且假定頻率不高，則可認(rèn)為電容器內(nèi)的電場(chǎng)分布與恒定情，且假定頻率不高，則可認(rèn)為電容器內(nèi)的電場(chǎng)分布與恒定情況相同。試求（況相同。試求（1）電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度）電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度E；（；（2）證明通過(guò)半徑為）證明通過(guò)半徑為的的圓柱面的位移電流總值等于電容器引線中的傳導(dǎo)電流。圓柱面的位移電流總值等于電容器引線中的傳導(dǎo)電流。解：由于頻率不高，故電場(chǎng)為電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)解：由于頻率不高，故電場(chǎng)為電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)eabtUE)/ln(sin0etEtDJD)/ln(cos0abtUtUCtUablabtUliDDcoscos)/ln(2)/ln(cos2000sSJd2022-4-136/480 , ,BD

5、tBEJH特點(diǎn)特點(diǎn): 與恒定磁場(chǎng)相比，電場(chǎng)方程發(fā)生變化，磁場(chǎng)方程無(wú)變化與恒定磁場(chǎng)相比，電場(chǎng)方程發(fā)生變化，磁場(chǎng)方程無(wú)變化2 磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng) 基本方程組（微分形式）：基本方程組（微分形式）：JtDJH若傳導(dǎo)電流遠(yuǎn)大于位移電流，忽略二次源若傳導(dǎo)電流遠(yuǎn)大于位移電流，忽略二次源 的的作用，即作用，即tD定義：定義：此時(shí)的電磁場(chǎng)稱為磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。此時(shí)的電磁場(chǎng)稱為磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。2022-4-137/48/,22JAtAEA,B 求解方法：分兩步求解方法：分兩步1）磁場(chǎng)的求解靜態(tài)場(chǎng)的公式）磁場(chǎng)的求解靜態(tài)場(chǎng)的公式2）電場(chǎng)的求解通過(guò)磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的基本方程求解）電場(chǎng)的求解通過(guò)磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的基本方程求解似穩(wěn)場(chǎng)似穩(wěn)場(chǎng)20

6、22-4-138/48忽略位移電流的條件（似穩(wěn)條件）忽略位移電流的條件（似穩(wěn)條件）a. 導(dǎo)體內(nèi)的時(shí)變電磁場(chǎng)導(dǎo)體內(nèi)的時(shí)變電磁場(chǎng) |JtJJtEJtD渦流場(chǎng)：渦流場(chǎng)：導(dǎo)體中的磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。導(dǎo)體中的磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)。良導(dǎo)體：良導(dǎo)體：滿足滿足的導(dǎo)體。的導(dǎo)體。b. 理想介質(zhì)中的時(shí)變電磁場(chǎng)理想介質(zhì)中的時(shí)變電磁場(chǎng) R R 121RvRevRj-近區(qū)或似穩(wěn)區(qū)近區(qū)或似穩(wěn)區(qū)2022-4-139/48MQS場(chǎng)的電場(chǎng)按場(chǎng)的電場(chǎng)按 計(jì)算。計(jì)算。EQS 與與 MQS 的共性與個(gè)性的共性與個(gè)性思考思考1. 滿足泊松方程，說(shuō)明滿足泊松方程，說(shuō)明 EQS 和和 MQS 忽略了滯后效忽略了滯后效 應(yīng)，屬于似穩(wěn)場(chǎng)。應(yīng)，屬于似穩(wěn)場(chǎng)。A,EQ

7、S場(chǎng)的磁場(chǎng)按場(chǎng)的磁場(chǎng)按 計(jì)算。計(jì)算。t DJH 3. EQS 場(chǎng)的電場(chǎng)與靜電場(chǎng)滿足相同的微分方程，在任一時(shí)場(chǎng)的電場(chǎng)與靜電場(chǎng)滿足相同的微分方程，在任一時(shí) 刻刻 t ，兩種電場(chǎng)分布一致，解題方法相同。，兩種電場(chǎng)分布一致，解題方法相同。 2. 在在 EQS 和和 MQS 場(chǎng)中，同時(shí)存在著電場(chǎng)與磁場(chǎng)，兩者相互場(chǎng)中，同時(shí)存在著電場(chǎng)與磁場(chǎng)，兩者相互 依存。依存。4. MQS場(chǎng)的磁場(chǎng)與恒定磁場(chǎng)滿足相同的基本方程，在任一時(shí)場(chǎng)的磁場(chǎng)與恒定磁場(chǎng)滿足相同的基本方程，在任一時(shí) 刻刻 t ，兩種磁場(chǎng)分布一致，解題方法相同。，兩種磁場(chǎng)分布一致，解題方法相同。t BE2022-4-1310/48SJ dSSJSJSJd d

8、 d332211SSS0321 iii即集總電路的基爾霍夫電流定律即集總電路的基爾霍夫電流定律 0i1 證明基爾霍夫電流定律證明基爾霍夫電流定律5.2 磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電路磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電路MQS Filed and Circuit在在 MQS 場(chǎng)中，場(chǎng)中， 0 JJH0 SJSd結(jié)點(diǎn)電流結(jié)點(diǎn)電流2022-4-1311/482 證明基爾霍夫電壓定律證明基爾霍夫電壓定律)(eEEJet JAJEEBABABABAelJlltAlEdddd環(huán)路電壓環(huán)路電壓AB.)(tE EtiLddtiCtqCd1)(1RiiSlCLRsuuutictiLRiud1dd即集總電路的基爾霍夫電壓定律即集總電路的基爾霍夫電

9、壓定律 0u2022-4-1312/483 磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電路磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電路a. 磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)方程是交流電路的場(chǎng)理論基礎(chǔ)。磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)方程是交流電路的場(chǎng)理論基礎(chǔ)。b. 電路理論是在特殊條件下的麥克斯韋電磁理論電路理論是在特殊條件下的麥克斯韋電磁理論的近似。的近似。c. 當(dāng)系統(tǒng)尺寸遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)時(shí)，推遲效應(yīng)可以忽略，當(dāng)系統(tǒng)尺寸遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)時(shí)，推遲效應(yīng)可以忽略，此時(shí)采用磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)定律來(lái)研究。此時(shí)采用磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)定律來(lái)研究。2022-4-1313/48例例2 用磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的方法處理同軸電纜內(nèi)的電磁問(wèn)題。用磁準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)的方法處理同軸電纜內(nèi)的電磁問(wèn)題。設(shè)電源到負(fù)載的距離遠(yuǎn)小于六分之一波長(zhǎng)。設(shè)電源到負(fù)載的距離遠(yuǎn)小于六分

10、之一波長(zhǎng)。解：解：zeabIUHES)/ln(22* eIH2eabUE)/ln(EHSIabRe)/ln(Re)/ln(2Re*2*IUdabIUdSabIUPbaS 2022-4-1314/48電荷馳豫電荷馳豫: 在導(dǎo)體中，自由電荷體密度隨時(shí)間衰減的過(guò)程。在導(dǎo)體中，自由電荷體密度隨時(shí)間衰減的過(guò)程。設(shè)導(dǎo)電媒質(zhì)設(shè)導(dǎo)電媒質(zhì) 均勻，且各向同性，均勻，且各向同性， 由電荷守恒定律由電荷守恒定律,t J0tt DD)(5.3 電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電荷馳豫電準(zhǔn)靜態(tài)場(chǎng)與電荷馳豫 EQS Field and Charge Relaxation1 電荷在均勻?qū)w中的馳豫過(guò)程電荷在均勻?qū)w中的馳豫過(guò)程 （Charge

11、Relaxation Process in Uniform Conductive Medium)自由電荷密度滿足的方程：自由電荷密度滿足的方程：由由 及高斯定律及高斯定律 DEJ 2022-4-1315/48 為為 時(shí)的電荷分布時(shí)的電荷分布 ， 馳豫時(shí)間。馳豫時(shí)間。 在導(dǎo)體中的自由電荷體密度隨時(shí)間按指數(shù)規(guī)律衰減，其在導(dǎo)體中的自由電荷體密度隨時(shí)間按指數(shù)規(guī)律衰減，其衰減快慢取決于馳豫時(shí)間。衰減快慢取決于馳豫時(shí)間。 o/e0t其解為其解為etoe0t 良導(dǎo)體中良導(dǎo)體中 ， 0半無(wú)限大導(dǎo)體中，正弦電流沿半無(wú)限大導(dǎo)體中，正弦電流沿 y y 軸流動(dòng)，并在軸流動(dòng)，并在yozyoz平面上處處相等，則平面上處處

12、相等，則)()(22xJkxJyy2022-4-1328/48通解通解kxkxyeCeCxJ21)(式中式中jk) j1 (1dj) j1 (2/yyJkxJ222dd當(dāng)當(dāng) 有限，故有限，故yJx , 02C01) 0(JJCy2022-4-1329/48xxyeeJxEj01)(xxyeeJxJj0)(則xxzeeJkxHj0j)(HEj由電流密度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及磁場(chǎng)強(qiáng)度的電流密度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及磁場(chǎng)強(qiáng)度的振幅振幅沿導(dǎo)體縱深按沿導(dǎo)體縱深按指數(shù)規(guī)律指數(shù)規(guī)律衰減衰減，相位相位也隨之也隨之改變改變。22022-4-1330/4821d透入深度透入深度（skin depth）d：表示場(chǎng)量在良導(dǎo)體中的集膚

13、程度。：表示場(chǎng)量在良導(dǎo)體中的集膚程度。它等于場(chǎng)量振幅衰減到其表面值的它等于場(chǎng)量振幅衰減到其表面值的1/e 時(shí)所經(jīng)過(guò)的距離。時(shí)所經(jīng)過(guò)的距離。1eed結(jié)論：結(jié)論：頻率越高，導(dǎo)體導(dǎo)電性能越好，集膚效應(yīng)越顯著。頻率越高，導(dǎo)體導(dǎo)電性能越好，集膚效應(yīng)越顯著。2022-4-1331/481 渦流（渦流（Eddy Current ）當(dāng)導(dǎo)體置于交變的磁場(chǎng)中，與磁場(chǎng)正交的曲面上將產(chǎn)生閉當(dāng)導(dǎo)體置于交變的磁場(chǎng)中，與磁場(chǎng)正交的曲面上將產(chǎn)生閉合的感應(yīng)電流，即渦流。合的感應(yīng)電流，即渦流。 渦流渦流5.5 渦流及其損耗渦流及其損耗 Eddy Current and Loss其特點(diǎn)：其特點(diǎn)： 1）熱效應(yīng)；）熱效應(yīng)； 2）去磁效

14、應(yīng)。）去磁效應(yīng)。 2022-4-1332/482 渦流場(chǎng)分布（渦流場(chǎng)分布（Eddy Field Distribution）以變壓器鐵芯疊片為例，研究渦流場(chǎng)分布。以變壓器鐵芯疊片為例，研究渦流場(chǎng)分布。變壓器鐵芯疊片變壓器鐵芯疊片薄導(dǎo)電平板的簡(jiǎn)化物理模型薄導(dǎo)電平板的簡(jiǎn)化物理模型假設(shè)：假設(shè)：ah, l場(chǎng)量場(chǎng)量E，H近似為近似為x的函數(shù)，不隨的函數(shù)，不隨 y, z 變化；變化；板中渦流無(wú)板中渦流無(wú)分量；分量；忽略忽略y方向兩端邊緣效應(yīng)，方向兩端邊緣效應(yīng)，E、J僅有僅有y分量，分量，僅有僅有z分量。分量。2022-4-1333/48在在 MQS 場(chǎng)中，場(chǎng)中，zzzkxHHH222jdd薄導(dǎo)電平板薄導(dǎo)電平

15、板)(0kxchZBH)(0kxchBBzkxkxzCCxHee)(21通解通解 由對(duì)稱條件由對(duì)稱條件 )2()2(aHaHzz即即)()(kxCchxHzCCC2121故故當(dāng)當(dāng) x = 0 時(shí)，時(shí)，/)0(0BCHZHH22k2022-4-1334/48)(0kxchZBH)()(00kxshJkxshkBJy根據(jù)根據(jù)HJxHxJzy)()()()(00kxshEkxshBkxEy根據(jù)根據(jù)EJ2022-4-1335/48式中式中 2/K) j1 (jKk210)2cos2(21KxKxchBBz210)2cos2(21KxKxchJJy結(jié)論結(jié)論:模值分布曲線模值分布曲線 和和 的幅值分別為的

16、幅值分別為zByJ由于去磁效應(yīng)，由于去磁效應(yīng)， 薄板中心處磁場(chǎng)最小；薄板中心處磁場(chǎng)最小；由于集膚效應(yīng)，電流密度奇對(duì)稱于由于集膚效應(yīng)，電流密度奇對(duì)稱于y 軸，表面密度大軸，表面密度大, 中心處為中心處為0 薄板內(nèi)部，電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布不均勻，愈深入內(nèi)部，場(chǎng)量愈小，薄板內(nèi)部，電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布不均勻，愈深入內(nèi)部，場(chǎng)量愈小，場(chǎng)的分布集中在薄板表面附近，呈現(xiàn)集膚效應(yīng)現(xiàn)象。場(chǎng)的分布集中在薄板表面附近，呈現(xiàn)集膚效應(yīng)現(xiàn)象。2022-4-1336/48)2cos2(210KxKxchBBz2/K2/ax5050013 . 25 . 44 .42 .27 . 0)(Hzf)(mmaKa0/ BBz20005 . 0

17、5 . 05 . 0a 為鋼片厚度為鋼片厚度工程應(yīng)用工程應(yīng)用 曲線表示材料的集膚程度。以電工鋼片曲線表示材料的集膚程度。以電工鋼片為例，設(shè)為例，設(shè) KxBBz2/0ms/10,100070電工鋼片的集膚電工鋼片的集膚效應(yīng)效應(yīng)集膚效應(yīng)嚴(yán)重，若頻率不變，必須減小鋼片厚度。集膚效應(yīng)嚴(yán)重，若頻率不變，必須減小鋼片厚度。2022-4-1337/483 渦流損耗（渦流損耗（Eddy Loss）體積體積V中導(dǎo)體損耗的平均功率為中導(dǎo)體損耗的平均功率為KachKaKashKaKalhBVPVzavyecossin2d1222J 若要減少若要減少 Pe ,必須減小必須減小 （采用硅鋼），（采用硅鋼）， 減小減小

18、a（采用疊片），提高（采用疊片），提高 （但要考慮磁滯損耗）。（但要考慮磁滯損耗）。，1, aPe磁感應(yīng)強(qiáng)度在板厚上的平均值磁感應(yīng)強(qiáng)度在板厚上的平均值VPzav22121Ba2當(dāng)頻率較低時(shí)，當(dāng)頻率較低時(shí)，2022-4-1338/485.6 導(dǎo)體的交流阻抗導(dǎo)體的交流阻抗Conductors Impedance直流或低頻交流直流或低頻交流SlR高頻交流高頻交流SHEIXRSd)(1j*2Z電流均勻分布電流均勻分布由于集膚效應(yīng)、去磁效應(yīng)，電流分布不均勻由于集膚效應(yīng)、去磁效應(yīng)，電流分布不均勻SSHEZId)(*2Z 等效交流阻抗等效交流阻抗or導(dǎo)體的交流內(nèi)阻抗導(dǎo)體的交流內(nèi)阻抗導(dǎo)體消耗的復(fù)功率為：導(dǎo)體消

19、耗的復(fù)功率為：2022-4-1339/48例例 1 設(shè)有設(shè)有x0半無(wú)限大導(dǎo)體，如圖。試求半無(wú)限大導(dǎo)體，如圖。試求 圖示斜線柱體體圖示斜線柱體體積（底面積為積（底面積為ha）的交流內(nèi)阻抗。）的交流內(nèi)阻抗。解：解：xkyEJe0 xkyEEe0 xkzEkHe0jxEaSJIxkydd00eSkEa02022-4-1340/48SHEIXRSd)(1j*2Z20*| IHExzyah) j1 (2) j1 (dahahdahRdahXiLd 很小時(shí)，很小時(shí)，Z 稱表面阻抗稱表面阻抗d2022-4-1341/48例例 2 求半徑為求半徑為a的圓截面導(dǎo)線單位長(zhǎng)度上的交流電阻。假的圓截面導(dǎo)線單位長(zhǎng)度上的

20、交流電阻。假設(shè)半徑遠(yuǎn)大于透入深度。設(shè)半徑遠(yuǎn)大于透入深度。解：解：daR2121aRddaRRd2單位長(zhǎng)度的交流電阻單位長(zhǎng)度的交流電阻單位長(zhǎng)度的直流電阻單位長(zhǎng)度的直流電阻同一根導(dǎo)線交流電阻與直流電阻的比值同一根導(dǎo)線交流電阻與直流電阻的比值為為2022-4-1342/485.7 鄰近效應(yīng)和電磁屏蔽鄰近效應(yīng)和電磁屏蔽1 鄰近效應(yīng)（鄰近效應(yīng)（Proximate effect）傳輸線傳輸線 相互靠近的導(dǎo)體通有交變電流時(shí)，各導(dǎo)體中的電流分布相互靠近的導(dǎo)體通有交變電流時(shí)，各導(dǎo)體中的電流分布會(huì)受到鄰近別的導(dǎo)體的影響，這種現(xiàn)象稱為鄰近效應(yīng)。會(huì)受到鄰近別的導(dǎo)體的影響，這種現(xiàn)象稱為鄰近效應(yīng)。 頻率越高，導(dǎo)體靠得越近

21、，鄰近效應(yīng)愈顯著。頻率越高，導(dǎo)體靠得越近，鄰近效應(yīng)愈顯著。 鄰近效應(yīng)與集膚效應(yīng)共存，它會(huì)使導(dǎo)體的電流分布更不鄰近效應(yīng)與集膚效應(yīng)共存，它會(huì)使導(dǎo)體的電流分布更不均勻。均勻。電流不再對(duì)稱地分布在導(dǎo)體電流不再對(duì)稱地分布在導(dǎo)體中，而是比較集中在兩導(dǎo)線中，而是比較集中在兩導(dǎo)線相對(duì)的內(nèi)側(cè)。相對(duì)的內(nèi)側(cè)。2022-4-1343/48兩根交流匯流排的鄰近效應(yīng)兩根交流匯流排的鄰近效應(yīng)例例 1 有一對(duì)通以交流電流的匯流排，如圖所示。若有一對(duì)通以交流電流的匯流排，如圖所示。若abl，試分析匯流排中電流密度的分布。試分析匯流排中電流密度的分布。解：解：在在MQS中，有中，有ablyyykxHHH222jddbIdHadH

22、yy)2( , 0)2()2()()(xadchkkabshIHJzz12( )eekxkxyHxCC)2()(shxadshkkabIHyd2022-4-1344/48匯流排中電流密度分布云圖匯流排中電流密度分布云圖2022-4-1345/48屏蔽原理屏蔽原理 利用導(dǎo)體內(nèi)渦流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)，對(duì)外加電磁場(chǎng)利用導(dǎo)體內(nèi)渦流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)，對(duì)外加電磁場(chǎng)起抵制作用，對(duì)給定區(qū)域進(jìn)行屏蔽。又稱起抵制作用，對(duì)給定區(qū)域進(jìn)行屏蔽。又稱渦流屏蔽渦流屏蔽。 2 電磁屏蔽（電磁屏蔽（Electromagnetic Shielding）)2(dh電磁屏蔽電磁屏蔽 在電磁場(chǎng)工程中，用于減弱由某些源產(chǎn)生的在電磁場(chǎng)工程中，用于減弱由某些源產(chǎn)生的空間某個(gè)區(qū)域內(nèi)（不包括源）的電磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)。它是抑空間某個(gè)區(qū)域內(nèi)（不包括源）的電磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)。它是抑制鄰近效應(yīng)的一種常用措施。制鄰近效應(yīng)的一種常用措施。屏蔽材料屏蔽材料 金屬（非鐵磁）材料，如銅、鋁、鋼等