1、電子技術電子技術 第一章 半導體器件模擬電路部分模擬電路部分第一章第一章 半導體器件半導體器件 1.1 半導體的根本知識半導體的根本知識 1.2 PN 結及半導體二極管結及半導體二極管 1.3 特殊二極管特殊二極管 1.4 半導體三極管半導體三極管 1.5 場效應晶體管場效應晶體管1.1.1 導體、半導體和絕緣體導體、半導體和絕緣體導體：自然界中很容易導電的物質稱為導體，金屬導體：自然界中很容易導電的物質稱為導體，金屬普通都是導體。普通都是導體。絕緣體：有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡絕緣體：有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半導體：另有一類物

2、質的導電特性處于導體和絕緣半導體：另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。1.1 半導體的根本知識半導體的根本知識半導體的導電機理不同于其它物質，所以它具有半導體的導電機理不同于其它物質，所以它具有不同于其它物質的特點。例如：不同于其它物質的特點。例如： 當受外界熱和光的作用時，它的導電能當受外界熱和光的作用時，它的導電能 力明顯變化。力明顯變化。 往純真的半導體中摻入某些雜質，會使往純真的半導體中摻入某些雜質，會使 它的導電才干明顯改動。它的導電才干明顯改動。1.1.2 本征半

3、導體本征半導體一、本征半導體的構造特點一、本征半導體的構造特點GeSi經過一定的工藝過程，可以將半導體制成晶體。經過一定的工藝過程，可以將半導體制成晶體。現代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們現代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子價電子都是四個。的最外層電子價電子都是四個。本征半導體：完全純真的、構造完好的半導體晶體。本征半導體：完全純真的、構造完好的半導體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子而四個其它原子位于

4、四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間構成共價鍵，共用一對價與其相臨的原子之間構成共價鍵，共用一對價電子。電子。硅和鍺的晶硅和鍺的晶體構造：體構造：硅和鍺的共價鍵構造硅和鍺的共價鍵構造共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4+4+4+4+4表示表示除去價除去價電子后電子后的原子的原子共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自在電子，因此本征半導體中的自在電子很少，所以在電子，因此本征半導體中的自在電子很少，所以本征半導體的導電才干很弱。本征半導體的導電才干很弱

5、。構成共價鍵后，每個原子的最外層電子是構成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定構造。八個，構成穩定構造。共價鍵有很強的結合力，使原子規共價鍵有很強的結合力，使原子規那么陳列，構成晶體。那么陳列，構成晶體。+4+4+4+4二、本征半導體的導電機理二、本征半導體的導電機理在絕對在絕對0 0度度T=0KT=0K和沒有外界激發時和沒有外界激發時, ,價電價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子即載流子，它的導電才以運動的帶電粒子即載流子，它的導電才干為干為 0 0，相當于絕緣體。，相當于絕緣體。在常溫下，由于熱激發，使一些價電子獲在

6、常溫下，由于熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自在得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自在電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。1.1.載流子、自在電子和空穴載流子、自在電子和空穴+4+4+4+4自在電子自在電子空穴空穴束縛電子束縛電子2.本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結果來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于而空穴的遷移相當于正電荷的挪動，因此正電荷的挪動，因此可以以為空穴是載流

7、可以以為空穴是載流子。子。本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即自在電子和空穴。自在電子和空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導體的導電才干越強，溫度是影響半導體性導體的導電才干越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部要素，這是半導體的一能的一個重要的外部要素，這是半導體的一大特點。大特點。本征半導體的導電才干取決于載流子的濃度。本征半導體的導電才干取決于載流子的濃度。本征半導體中電流由兩部分組成：本征半導體中電流由兩部分組成： 1. 自在電子挪動產生的電流。自在電子挪動產生的電流。 2. 空穴挪動產生的

8、電流。空穴挪動產生的電流。1.1.3 雜質半導體雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。其緣由是摻使半導體的導電性能發生顯著變化。其緣由是摻雜半導體的某種載流子濃度大大添加。雜半導體的某種載流子濃度大大添加。P 型半導體：空穴濃度大大添加的雜質半導體，也型半導體：空穴濃度大大添加的雜質半導體，也稱為空穴半導體。稱為空穴半導體。N 型半導體：自在電子濃度大大添加的雜質半導體，型半導體：自在電子濃度大大添加的雜質半導體，也稱為電子半導體。也稱為電子半導體。一、一、N 型半導體型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷在硅

9、或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷或銻，晶體點陣中的某些半導體原子被或銻，晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導體原子構成共價鍵，其中四個與相鄰的半導體原子構成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發而成為自在電子，這樣磷原子很容易被激發而成為自在電子，這樣磷原子就成了不能挪動的帶正電的離子。每個磷原就成了不能挪動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。子給出一個電子，稱為施主原子。+4+4+5+4多余多余電子電子磷原子磷原子N 型半導體中

10、型半導體中的載流子是什的載流子是什么？么？1.1.由施主原子提供的電子，濃度與施主原子一樣。由施主原子提供的電子，濃度與施主原子一樣。2.2.本征半導體中成對產生的電子和空穴。本征半導體中成對產生的電子和空穴。摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自在電子濃度遠大于空穴濃度。自在電子稱為多數自在電子濃度遠大于空穴濃度。自在電子稱為多數載流子多子，空穴稱為少數載流子少子。載流子多子，空穴稱為少數載流子少子。二、二、P P 型半導體型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼或銦，晶體點陣中的某些半導體原子被

11、雜質或銦，晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導體原子構成共價鍵時，半導體原子構成共價鍵時，產生一個空穴。這個空穴產生一個空穴。這個空穴能夠吸引束縛電子來填補，能夠吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能挪動使得硼原子成為不能挪動的帶負電的離子。由于硼的帶負電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為原子接受電子，所以稱為受主原子。受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半導體中空穴是多子，電子是少子。型半導體中空穴是多子，電子是少子。三、雜質半導體的表示表示法三、雜質半導體的表示表示法P 型半導體型半導體+

12、N 型半導體型半導體雜質型半導體多子和少子的挪動都能構成電流。雜質型半導體多子和少子的挪動都能構成電流。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。近似以為多子與雜質濃度相等。近似以為多子與雜質濃度相等。2.1.1 PN 結的構成結的構成在同一片半導體基片上，分別制造在同一片半導體基片上，分別制造P P 型半導型半導體和體和N N 型半導體，經過載流子的分散，在它們的型半導體，經過載流子的分散，在它們的交界面處就構成了交界面處就構成了PN PN 結。結。1.2 PN結及半導體二極管結及半導體二極管P型半導體型半導體N型半導體型半導體+分散運動分散運動內電

13、場內電場E E漂移運動漂移運動分散的結果是使空間分散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。間電荷區越寬。內電場越強，就使漂移內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。間電荷區變薄。空間電荷區，空間電荷區，也稱耗盡層。也稱耗盡層。漂移運動漂移運動P型半導體型半導體N型半導體型半導體+分散運動分散運動內電場內電場E E所以分散和漂移這一對相反的運動最終到達平衡，所以分散和漂移這一對相反的運動最終到達平衡，相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度固定不變。厚度固定不變。+空間空間電荷電荷區區N型

14、區型區P型區型區電位電位V VV01.1.空間電荷區中沒有載流子。空間電荷區中沒有載流子。2.2.空間電荷區中內電場妨礙空間電荷區中內電場妨礙P P中的空穴中的空穴.N.N區區 中的電子都是多子向對方運動分散中的電子都是多子向對方運動分散運動。運動。3.P 3.P 區中的電子和區中的電子和 N N區中的空穴都是少子，區中的空穴都是少子，數量有限，因此由它們構成的電流很小。數量有限，因此由它們構成的電流很小。留意留意: :2.1.2 PN結的單導游電性結的單導游電性 PN 結加上正向電壓、正向偏置的意思都是：結加上正向電壓、正向偏置的意思都是： P 區區加正、加正、N 區加負電壓。區加負電壓。

15、PN 結加上反向電壓、反向偏置的意思都是：結加上反向電壓、反向偏置的意思都是： P區區加負、加負、N 區加正電壓。區加正電壓。+RE一、一、PN PN 結正向偏置結正向偏置內電場內電場外電場外電場變薄變薄PN+_內電場被減弱，多內電場被減弱，多子的分散加強可以子的分散加強可以構成較大的分散電構成較大的分散電流。流。二、二、PN PN 結反向偏置結反向偏置+內電場內電場外電場外電場變厚變厚NP+_內電場被被加強，多內電場被被加強，多子的分散受抑制。少子的分散受抑制。少子漂移加強，但少子子漂移加強，但少子數量有限，只能構成數量有限，只能構成較小的反向電流。較小的反向電流。RE2.1.3 半導體二極

16、管半導體二極管一、根本構造一、根本構造PN 結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。引線引線外殼線外殼線觸絲線觸絲線基片基片點接觸型點接觸型PN結結面接觸型面接觸型PN二極管的電路符號：二極管的電路符號： 二、伏安特性二、伏安特性UI死區電壓死區電壓 硅管硅管0.6V,鍺管鍺管0.2V。導通壓降導通壓降: : 硅硅管管0.60.7V,0.60.7V,鍺管鍺管0.20.3V0.20.3V。反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR三、主要參數三、主要參數1. 最大整流電流最大整流電流 IOM二極管長期運用時，允許流過二極管的最大二極管長期運用時，允許流過二極管的最大正向平

17、均電流。正向平均電流。2. 反向擊穿電壓反向擊穿電壓UBR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單導游電性被破壞，甚至流劇增，二極管的單導游電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向任務電過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向任務電壓壓UWRMUWRM普通是普通是UBRUBR的一半。的一半。3. 反向電流反向電流 IR指二極管加反向峰值任務電壓時的反向電指二極管加反向峰值任務電壓時的反向電流。反向電流大，闡明管子的單導游電性流。反向電流大，闡明管子的單導游電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響

18、，溫度越高反向電流越大。硅溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數，二極管的運用是以上均是二極管的直流參數，二極管的運用是主要利用它的單導游電性，主要運用于整流、限幅、主要利用它的單導游電性，主要運用于整流、限幅、維護等等。下面引見兩個交流參數。維護等等。下面引見兩個交流參數。4. 微變電阻微變電阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二極管特性曲線上任是二極管特性曲線上任務點務點Q 附近電壓的變化與附近電壓的變化與電流的變化之比：電流的變化之比：DDDiu

19、r顯然，顯然，rD是對是對Q附近的微小附近的微小變化區域內的電阻。變化區域內的電阻。5. 二極管的極間電容二極管的極間電容二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢壘電容勢壘電容CBCB和分散電容和分散電容CDCD。勢壘電容：勢壘區是積累空間電荷的區域，當電壓變化時，勢壘電容：勢壘區是積累空間電荷的區域，當電壓變化時，就會引起積累在勢壘區的空間電荷的變化，這樣所表現出就會引起積累在勢壘區的空間電荷的變化，這樣所表現出的電容是勢壘電容。的電容是勢壘電容。分散電容：為了構成正向電流分散電容：為了構成正向電流分散電流，注入分散電流，注入P P 區的少子

20、區的少子電子在電子在P P 區有濃度差，越接區有濃度差，越接近近PNPN結濃度越大，即在結濃度越大，即在P P 區有電區有電子的積累。同理，在子的積累。同理，在N N區有空穴的區有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產生的電容就是分散多。這樣所產生的電容就是分散電容電容CDCD。P+-NCB在正向和反向偏置時均不能忽略。而反向偏在正向和反向偏置時均不能忽略。而反向偏置時，由于載流子數目很少，分散電容可忽略。置時，由于載流子數目很少，分散電容可忽略。PN結高頻小信號時的等效電路：結高頻小信號時的等效電路：勢壘電容和分散電勢壘電容和分散電容的綜合效應容的綜合效應

21、rd二極管：死區電壓二極管：死區電壓=0 .5V，正向壓降，正向壓降0.7V(硅二極管硅二極管) 理想二極管：死區電壓理想二極管：死區電壓=0 ，正向壓降，正向壓降=0 RLuiuouiuott二極管的運用舉例二極管的運用舉例1：二極管半波整流：二極管半波整流二極管的運用舉例二極管的運用舉例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo1.3.1 穩壓二極管穩壓二極管UIIZIZmax UZ IZ穩穩壓壓誤誤差差曲線越曲線越陡，電陡，電壓越穩壓越穩定。定。+-UZ動態電阻：動態電阻：ZZIUZrrz越小，穩越小，穩壓性能越好。壓性能越好。1.3 特殊二極管特殊二極管4穩定電流穩定電流IZ、最大、最小

22、穩定電流、最大、最小穩定電流Izmax、Izmin。5最大允許功耗最大允許功耗maxZZZMIUP穩壓二極管的參數穩壓二極管的參數:1穩定電壓穩定電壓 UZ2電壓溫度系數電壓溫度系數U%/ 穩壓值受溫度變化影響的的系數。穩壓值受溫度變化影響的的系數。3動態電阻動態電阻ZZIUZr負載電阻負載電阻 。要求當輸入電壓由正常值發要求當輸入電壓由正常值發生生20%動搖時，負載電壓根本不變。動搖時，負載電壓根本不變。穩壓二極管的運用舉例穩壓二極管的運用舉例uoiZDZRiLiuiRL5mA 20mA, V,10minmaxzzzWIIU穩壓管的技術參數穩壓管的技術參數: k2LR解：令輸入電壓到達上限時

23、，流過穩壓管的電解：令輸入電壓到達上限時，流過穩壓管的電流為流為Izmax 。求：電阻求：電阻R和輸入電壓和輸入電壓 ui 的正常值。的正常值。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi方程方程1令輸入電壓降到下限令輸入電壓降到下限時，流過穩壓管的電時，流過穩壓管的電流為流為Izmin 。mA10minLZWzRUIi101080RUiRu.zWi方程方程2uoiZDZRiLiuiRL聯立方程聯立方程1、2，可解得：，可解得：k50V7518.R,.ui1.3.2 光電二極管光電二極管反向電流隨光照強度的添加而上升。反向電流隨光照強度的添加而上升。IU照度添加照度添加1.3.

24、3 發光二極管發光二極管有正向電流流過有正向電流流過時，發出一定波長時，發出一定波長范圍的光，目前的范圍的光，目前的發光管可以發出從發光管可以發出從紅外到可見波段的紅外到可見波段的光，它的電特性與光，它的電特性與普通二極管類似。普通二極管類似。1.4.1 根本構造根本構造BECNNP基極基極發射極發射極集電極集電極NPN型型PNP集電極集電極基極基極發射極發射極BCEPNP型型1.4 半導體三極管半導體三極管BECNNP基極基極發射極發射極集電極集電極基區：較薄，基區：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區：集電區：面積較大面積較大發射區：摻發射區：摻雜濃度較高雜濃度較高BECNNP基極基極發射極發

25、射極集電極集電極發射結發射結集電結集電結1.4.2 電流放大原理電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區空基區空穴向發穴向發射區的射區的分散可分散可忽略。忽略。IBE進入進入P區的電子區的電子少部分與基區少部分與基區的空穴復合，的空穴復合，構成電流構成電流IBE ，多數分散到集多數分散到集電結。電結。發射結發射結正偏，正偏，發射區發射區電子不電子不斷向基斷向基區分散，區分散，構成發構成發射極電射極電流流IE。BECNNPEBRBECIE集電結反偏，集電結反偏，有少子構成的有少子構成的反向電流反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE從基區分從基區分散來的電散來的電子

26、作為集子作為集電結的少電結的少子，漂移子，漂移進入集電進入集電結而被搜結而被搜集，構成集，構成ICE。IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEICE與與IBE之比稱為電流放大倍數之比稱為電流放大倍數要使三極管能放大電流，必需使發射結正要使三極管能放大電流，必需使發射結正偏，集電結反偏。偏，集電結反偏。BCCBOBCBOCBECEIIIIIIIIBECIBIEICNPN型三極管型三極管BECIBIEICPNP型三極管型三極管1.4.3 特性曲線特性曲線ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 實驗線路實驗線路一、輸入特性一

27、、輸入特性UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8任務壓降：任務壓降： 硅管硅管UBE0.60.7V,鍺鍺管管UBE0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死區電死區電壓，硅管壓，硅管0.5V，鍺，鍺管管0.2V。二、輸出特性二、輸出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域此區域滿足滿足IC=IB稱為線稱為線性區性區放大放大區。區。當當UCE大于大于一定的數值一定的數值時，時，IC只與只與IB有關，有關，IC=IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中此區

28、域中UCEUBE,集電集電結正偏，結正偏，IBIC，UCE0.3V稱為稱為飽和區。飽和區。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區域中此區域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE0.3V (3) 截止區：截止區： UBE 死區電壓，死區電壓， IB=0 ， IC=ICEO 0 例：例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 當當USB = -2V，2V，5V時，時，晶體管的靜態任務點晶體管的靜態任務點Q位位于哪個區？于哪個區？當當USB =-2V時：時：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEmA261

29、2maxCSCCRUIIB=0 ， IC=0IC最大飽和電流：最大飽和電流：Q位于截止區位于截止區 例：例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 當當USB = -2V，2V，5V時，時，晶體管的靜態任務點晶體管的靜態任務點Q位位于哪個區？于哪個區？IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大區。位于放大區。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB =2V時：時：9mA01070702.RUUIBBESBB0.95mA9mA01050.IIBCUSB =5V時時:例：例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 當當USB = -2

30、V，2V，5V時，時，晶體管的靜態任務點晶體管的靜態任務點Q位位于哪個區？于哪個區？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ 位于飽和區，此時位于飽和區，此時IC 和和IB 已不是已不是 倍的關系。倍的關系。mA061070705.RUUIBBESBBcmaxBI.I5m03mA061050mA2cmaxcII三、主要參數三、主要參數前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法。集接法。共射直流電流放大倍數：共射直流電流放大倍數：BCII_任務于動態的三極管，真正的

31、信號是疊加在任務于動態的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為直流上的交流信號。基極電流的變化量為 IBIB，相應的集電極電流變化為相應的集電極電流變化為 ICIC，那么交流電流，那么交流電流放大倍數為：放大倍數為：BIIC1. 電流放大倍數電流放大倍數和和 _例：例：UCE=6V時：時：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的計算中，普通作近似處置：在以后的計算中，普通作近似處置： =2.集集-基極反向截止電流基極反向截

32、止電流ICBO AICBOICBO是是集電結集電結反偏由反偏由少子的少子的漂移構漂移構成的反成的反向電流，向電流，受溫度受溫度的變化的變化影響。影響。BECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO進入進入N區，構區，構成成IBE。根據放大關系，根據放大關系，由于由于IBEIBE的存的存在，必有電流在，必有電流IBEIBE。集電結反集電結反偏有偏有ICBO3. 集集-射極反向截止電流射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影受溫度影響很大，當溫響很大，當溫度上升時，度上升時，ICEO添加很快，添加很快，所以所以IC也相應也相應添加。三極管添加。三極管的溫度特性較的溫度特性

33、較差。差。4.集電極最大電流集電極最大電流ICM集電極電流集電極電流ICIC上升會導致三極管的上升會導致三極管的值的下值的下降，當降，當值下降到正常值的三分之二時的集值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為電極電流即為ICMICM。5.集集-射極反向擊穿電壓射極反向擊穿電壓當集當集-射極之間的電壓射極之間的電壓UCEUCE超越一定的數值超越一定的數值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是2525C C、基極開路時的擊穿電壓、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEOU(BR)CEO。6. 集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗PCM 集電極電流集電極電流IC

34、 流過三極管，流過三極管， 所發出的焦耳所發出的焦耳 熱為：熱為：PC =ICUCE 必定導致結溫必定導致結溫 上升，所以上升，所以PC 有限制。有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO平安任務區平安任務區場效應管與雙極型晶體管不同，它是多子場效應管與雙極型晶體管不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩定性好。導電，輸入阻抗高，溫度穩定性好。結型場效應管結型場效應管JFET絕緣柵型場效應管絕緣柵型場效應管MOS場效應管有兩種場效應管有兩種:1.5 場效應晶體管場效應晶體管N基底基底 ：N型半導體型半導體PP兩邊是兩邊是P區區G(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極一、構造一、構造1.5.1 結型場效應管結型場效應管:導電溝道導電溝道NPPG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極N溝道結型場效應管溝道結型場效應管DGSDGSPNNG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極P溝道結型場效應管溝道結型場效應管DGSDGS二、任務原理以二、任務原理以P溝道為例溝道為例UDS=0V時時P