1、第一章2、列出20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)。P2答：真空管電子學(xué)、無線電通信、機(jī)械制表機(jī)及固體物理。3、什么時(shí)間、什么地點(diǎn)、由誰發(fā)明了固體晶體管？P3答：1947年12月16日在貝爾電話實(shí)驗(yàn)室由威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明了固體晶體管。5、列出5個(gè)集成時(shí)代，指出每個(gè)時(shí)代的時(shí)間段，并給出每個(gè)時(shí)代每個(gè)芯片上的元件數(shù)。P46、什么是硅片？什么是襯底？什么是芯片？答：芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路），硅圓片通常被稱為襯底8、列出集成電路制造的5個(gè)重要步驟，簡要描述每個(gè)步驟。P410、列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢

2、，簡要描述每個(gè)趨勢。P811、什么是芯片的關(guān)鍵尺寸？這種尺寸為何重要？P913、什么是摩爾定律？它預(yù)測了什么？這個(gè)定律正確嗎？P1014、自1947年以來靠什么因素使芯片價(jià)格降低？給出這種變化的兩個(gè)原因。16、描述硅片技師和設(shè)備技師的職責(zé)。P16第三章11.解釋pn結(jié)反偏時(shí)發(fā)生的情況。P45答：導(dǎo)致通過二極管的電流很小，甚至沒有電流。12.解釋pn結(jié)正偏時(shí)發(fā)生的情況。P45答：將一正偏施加于pn結(jié)，電路中n區(qū)電子從偏壓電源負(fù)極被排斥。多余的電子從負(fù)極注入到充滿空穴的p區(qū)，使n區(qū)中留下電子的空穴。同時(shí)，p區(qū)的空穴從偏壓電源正極被排斥。由偏壓電源正極提供的空穴中和由偏壓電源負(fù)極提供的電子。空穴和電

3、子在結(jié)區(qū)復(fù)合以及克服勢壘電壓大大的減小了阻止電流的行為。只要偏壓對(duì)二極管能維持一個(gè)固定的空穴和電子注入，電流就將持續(xù)的通過電路。13.雙極晶體管有多少個(gè)電極、結(jié)和類型？電極的名稱分別是什么？類型名稱分別是什么？P46答：有三電極和兩個(gè)pn結(jié)、兩種類型。電極名稱：發(fā)射極、基極、集電極。類型名稱：pnp、npn.16BJT是什么類型的放大器器件？它是怎么根據(jù)能量要求影響它的應(yīng)用的？P47答：驅(qū)動(dòng)電流的電流放大器件。發(fā)射極和集電極都是n型的重?fù)诫s，比如砷或磷。基極是p型雜質(zhì)硼的輕摻雜。基極載流子減少，基極吸引的電流將明顯地比集電極吸引的電流小。這種差別說明了晶體管從輸入到輸出電流的增益。晶體管能線性

4、地將小的輸入信號(hào)放大幾百倍來驅(qū)動(dòng)輸出器件。18.雙極技術(shù)有什么顯著特征？雙極技術(shù)的最大缺陷是什么？P48 答：高速、耐久性、功率控制能力。缺陷：功耗高。19.場效應(yīng)晶體管（FET）有什么優(yōu)點(diǎn)？P49答：利于提高集成度和節(jié)省電能。22.FET的最大優(yōu)勢是什么？P49答：低電壓和低功耗。25.FET的兩種基本類型是什么？他們之間的主要區(qū)別是什么？P50答：結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物型（MOSFET）半導(dǎo)體。區(qū)別是：MOSFET作為場效應(yīng)晶體管輸入端的柵極由一層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實(shí)際上同晶體管其他電極形成物理的pn結(jié)。26.MOSFET有哪兩種類型？它們?cè)趺磪^(qū)分？P50

5、答：nMOS(n溝道)和pMOS（p溝道）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)分。第四章1.列舉得到半導(dǎo)體級(jí)硅的三個(gè)步驟。半導(dǎo)體級(jí)硅有多純？P644.描述非晶材料。為什么這種硅不能用于硅片？P659.為什么要用單晶進(jìn)行硅片制造？P6714.什么是CZ單晶生長法？P6822.為什么要用區(qū)熔法生長硅晶體？P7123.描述區(qū)熔法。P7125.給出更大直徑硅片的三大好處。P7226.什么是晶體缺陷？P7337.在直徑為200mm及以上硅片中切片是怎么進(jìn)行的？P7741.為什么要對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化？P7843.列舉硅片的7種質(zhì)量要求。P79第五章1.什么是物質(zhì)的四種形態(tài)？試分別描述之。P87

6、6.描述三種溫標(biāo)，哪一種是科學(xué)工作中最常用的溫標(biāo)？P898.給出真空的定義。什么是最常用的真空單位，它是怎么定義的？P919.給出冷凝和蒸發(fā)的定義。吸收和吸附之間有什么不同？P91-9211.給出升華和凝華的定義。P9213.什么是表面張力？P9314.給出材料的熱膨脹系數(shù)P94。20.什么是酸？列出在硅片廠中常用的三種酸。P9521.什么是堿？列出在硅片廠中常用的三種堿。P9623.什么是溶劑？列出在硅片廠中常用的三種溶劑。P9724.描述在硅片廠中使用的去離子水的概念。P9731.什么是處理特殊氣體所面臨的最大挑戰(zhàn)？P9938.描述三種特殊氣體并分別舉例。P101第六章4.說明五類凈化間沾

7、污。P107 6.解釋半導(dǎo)體制造中可以接受的顆粒尺寸的粗略規(guī)則。P108 9.什么是MIC?P10913.解釋自然氧化層。識(shí)別由自然氧化層引起的三種問題。P11015.給出在硅片制造中由ESD引起的三種問題。P11116.列舉硅片制造廠房中7種沾污源。P11230.列舉并解釋ESD的三種控制方法。P11734.描述反滲透(RO)過濾。什么是超過濾？P11939.列舉并討論四類過濾器。P12142.描述工藝氣體的過濾。P12149.描述微環(huán)境，解釋為何這種環(huán)境在凈化間內(nèi)改善了沾污控制。P12553.描述RCA清洗工藝。P12661.列出典型的硅片濕法清洗順序。什么是清洗槽？P127第七章1.什么

8、是測量學(xué)？集成電路制造中測量學(xué)的目的是什么？P1402.缺陷的定義。硅片缺陷密度是怎樣定義的？P1406.半導(dǎo)體質(zhì)量測量的定義。列出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測量。陳述使用不同質(zhì)量測量的工藝。P14210.解釋四探針法，并給出測方塊電阻四探針法的優(yōu)點(diǎn)。P144-14512.解釋等值線圖。P14513.解釋橢偏儀的基本原理。用橢偏儀測薄膜厚度有哪些優(yōu)點(diǎn)？P145-14617.用X射線怎樣測薄膜厚度？XRF是什么的縮寫。什么是全反射XRF?P14724.什么是亮場探測？什么是暗場探測？P15128.解釋什么是每步每片上的顆粒數(shù)（PWP）。P15329.哪些是硅片關(guān)鍵尺寸的主要測量工具。P15

9、430.解釋SEM的主要操作。P15433.什么是套準(zhǔn)精度？陳述并解釋測量套準(zhǔn)精度的主要技術(shù)。P15636.描述二次離子質(zhì)譜儀（SMIS）。P16038.解釋什么是原子加力顯微鏡。P16241.解釋透射電子能顯微鏡。P16343.描述聚焦離子束加工并解釋它的好處。P165第八章1什么是工藝腔？它的五項(xiàng)功能是什么？P1714半導(dǎo)體制造業(yè)中的真空由有什么優(yōu)點(diǎn)？P1737什么是平均自由程？為什么它很重要？P17312描述冷凝泵的原理，并解釋其過程。P17616列出氣流控制中4個(gè)基本的對(duì)工藝腔的要求。P17819質(zhì)量流量計(jì)的原理是什么？P17823什么是等離子體？它對(duì)工藝腔有什么益處？P18127為什

10、么潮濕是工藝腔的一大問題.P18328列出減少設(shè)備維修中的沾污的必要步驟。P184 第九章1列出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)區(qū)域做簡單的描述。P188-1893舉出在高溫設(shè)備中進(jìn)行的5步工藝。P1894光刻的目的是什么？P18911舉出薄膜區(qū)用到的4種不同的設(shè)備和工藝。P19113列出典型的CMOS工藝的14個(gè)主要生產(chǎn)步驟。P19217離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？P19419什么是淺槽隔離？它取代了什么工藝？P19425輕摻雜漏（LDD）注入是如何減少溝道漏電流效應(yīng)的？P19726解釋側(cè)墻的目的。P19829什么是局部互連？P20031什么是通孔？什么是鎢塞？P201第十章1生

11、長氧化層與淀積氧化層間的區(qū)別是什么？P2103熱預(yù)算的定義，解釋為什么其不受歡迎。P21111列出熱氧化物在硅片制造的6種用途，并給出各種用途的目的。不懂這題。14如果熱生長氧化層厚度為2000，那么硅消耗多少？92017舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。P21724解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L的影響。P21827LOCOS是什么，熱氧化中如何使用？鳥嘴效應(yīng)是什么，為什么它不受歡迎？P22028解釋淺槽隔離（STI）。P22032什么是熱壁爐？P22233列出臥式爐和立式爐的五個(gè)性能因素，判斷哪種爐體是最適合的。P22347什么是快速熱處理（RTP）？相比于傳統(tǒng)爐其6大優(yōu)點(diǎn)是什么？P228第十一章1

12、什么是多層金屬化？它對(duì)芯片加工來說為什么是必需的？P2403 解釋ILD層的作用。在芯片中，ILD-1層所在的位置是哪里？P2414 什么是薄膜？列舉并描述可接受的薄膜的8個(gè)特征。P2425 什么是深度比？為什么高深度比對(duì)ULSI器件很重要？P2436 列舉并描述薄膜生長的三個(gè)階段。P2447 列舉淀積的5種主要技術(shù)。P2458 什么是CVD?P24611識(shí)別并描述CVD反應(yīng)中的8個(gè)步驟。P24720為什么LPCVD較APCVD更普遍？描述LPCVD的工藝過程。P25327什么是PECVD?PECVD和LPCVD的主要差別是什么？P25740什么是外延？解釋自摻雜和外擴(kuò)散。P26741列舉并討

13、論外延的三種方法。P268第十二章9 列出并討論引入銅金屬化的5大優(yōu)點(diǎn)。P28317描述鎢塞填充，并討論它是怎樣被用于多層金屬化的？P28918為什么蒸發(fā)作為金屬淀積系統(tǒng)被取代？P29030在高級(jí)IC中，什么是產(chǎn)生鎢填充的典型方法？32解釋銅電鍍的基本過程。P29935列出雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。P302第十三章1 什么是光刻？P3102 描述投影掩膜版和掩膜版的區(qū)別。P3114，定義分辨率。P3125什么是套準(zhǔn)精度？它對(duì)掩膜版的套準(zhǔn)容差有什么作用？P3136討論工藝寬容度。P3147解釋負(fù)性和正性光刻的區(qū)別。P3148描述亮場掩膜版。P31510列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡

14、要解釋。P31614HMDS是什么？起到什么作用？P31717給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。P32228列出并描述I線光刻膠的4種成分。P32529負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么？P32634給出I線正膠具有良好分辨率的原因。P32735為什么I線光刻膠不能用在深紫外波長？P32842列出并描述旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。P33045描述邊圈去除。P33346陳述軟烘的4個(gè)原因。P333第十四章3 步進(jìn)光刻機(jī)的三個(gè)基本目標(biāo)是什么？P3427列出并解釋兩種形式的光波干涉。什么是濾波器？P3448什么是電磁波譜，什么是UV范圍？P3459列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源。P34613哪種激光器用做248

15、nm的光源？193nm的光源是什么？P34814什么是空間想干？為什么在光刻中控制它？P34824什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式。P35326列出并解釋硅片表面光反射引起的最主要的兩個(gè)問題。P35427什么是抗反射涂層，它是怎樣減小駐波的？P35428陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個(gè)參數(shù)是什么？P35830計(jì)算掃描光刻機(jī)的分辨率，假設(shè)波長是248nm，NA是0.65，k是0.6。P35831給出焦深和焦面的定義。寫出計(jì)算焦深的公式。P35935解釋接觸光刻機(jī)。它使用掩膜還是投影掩膜？P36036解釋接近光刻機(jī)是怎樣工作的。它要解決什么問題？P36137解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工

16、作的。掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？P36138解釋分步重復(fù)光刻機(jī)的基本功能。P36339光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？P364第十五章1 解釋光刻膠顯影，其目的是什么？P387第一段第一句2 為什么要對(duì)化學(xué)放大深紫外光刻膠進(jìn)行后烘？簡述去保護(hù)作用。P3853 為什么溫度均勻性對(duì)后烘很重要？P385.5。簡述負(fù)膠顯影。負(fù)膠用于亞微米圖形的主要問題是什么？P3866為什么正膠是普遍使用的光刻膠？P889最常用的正膠是指哪些光刻膠？P38812對(duì)化學(xué)放大深紫外光刻膠而言，PHS與顯影液之間是否發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)？P38913列舉兩種光刻膠顯影方法。P38914解釋連續(xù)噴霧顯影。P38915描

17、述旋覆浸沒顯影。P39017解釋為什么要進(jìn)行堅(jiān)膜。P39119為什么要進(jìn)行顯影后檢查？P39221列舉出下一代光刻技術(shù)中4種正在研究的光刻技術(shù)。P393第十六章1 定義刻蝕，刻蝕的目的是什么？P4042 刻蝕工藝有哪兩種類型？簡要描述各類刻蝕工藝。P4053 列出按資料分類的三種主要干法蝕刻。P4054 解釋有圖形和無圖形刻蝕的區(qū)別。P4055 列舉9個(gè)重要的刻蝕參數(shù)。P4067解釋負(fù)載效應(yīng)以及它與刻蝕速率的關(guān)系。P40610什么是方向性？為什么在刻蝕中需要方向性？P407？（這個(gè)沒找到確切的答案）12定義選擇比。干法刻蝕有高的或低的選擇比？高選擇比意味著什么？描述并解釋選擇比公式。P4091

18、3什么是刻蝕均勻性？獲得均勻性刻蝕的難點(diǎn)是什么？解釋ARDE并討論它與刻蝕均勻性的關(guān)系。ARDE的另一個(gè)名字是什么？P40941014討論刻蝕殘留物，他們?yōu)槭裁串a(chǎn)生以及要怎樣去除？P41016什么刻蝕中的等離子體誘導(dǎo)損傷，以及這些損傷帶來什么問題?P41118干法刻蝕的目的是什么？列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？P41119列舉在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的三種方法。P41220解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。P41225描述圓桶式等離子體刻蝕機(jī)。P41426描述平板反應(yīng)器。P41529解釋離子束銑。他是用什么材料？P41733描述電子回旋共振。P41937什

19、么是終點(diǎn)檢測？為什么在干法刻蝕中它是必需的？最常用的終點(diǎn)檢測類型是什么？P422十七章1、 什么是摻雜？ P4423、 簡要描述熱擴(kuò)散。P4434、 簡要描述離子注入。P4435、 請(qǐng)列舉用于硅片制造的5種常用雜質(zhì)。8、 什么是結(jié)深？P44410、 列舉并解釋擴(kuò)散的三個(gè)步驟。P44514、 為什么雜質(zhì)需要激活？P44615、 什么是雜質(zhì)的固溶極限？P44616、 解釋橫向擴(kuò)散以及不希望有橫自擴(kuò)散的原因。 P44721、 給出離子注入機(jī)的概況、P44822、 說明亞0.25微米工藝中摻雜的兩個(gè)主要目標(biāo)。P44823、 列舉離子注入優(yōu)于擴(kuò)散的7點(diǎn)。P44924、 離子注入的主要缺點(diǎn)是什么？如何克服

20、？P45027、 什么是射程？解釋能量與射程之間的關(guān)系。P45028、 如果電荷數(shù)為1的正離子在電勢差200keV的電場中運(yùn)動(dòng)，它的能量是多少？P45029、 列舉離子注入機(jī)的4種類型，并簡要描述。P45132、 描述注入過程中的兩種主要能量損失機(jī)制。P45134、 列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。P45335、 離子源的目的是什么？最常用的離子源材料是什么？0N P45339、 質(zhì)量分析器磁鐵的作用是什么？描述質(zhì)量分析器的功能。P45540、 加速管是怎樣增加粒子束能量的？P45645、 解釋離子束擴(kuò)散和空間電荷中和。P45846、 形成中性離子束陷阱的原因是什么？P45847、 列舉并簡要解釋4種掃描系統(tǒng)。P45950、 討論硅片充電、二次電子噴淋和等離子電子噴淋。P46053、 退火的目是什么？高溫爐退火和RTA哪一個(gè)更優(yōu)越？P46355、 描述溝道效應(yīng)。列舉并簡要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機(jī)制P464。十八章41、 描述表面形貌，較高的芯片封裝密度會(huì)引起表面形貌的何種變化？ 4783、 列舉和論述三種傳統(tǒng)的平坦化方法。4805、 描述化學(xué)機(jī)