1、金屬前介質(zhì)層(PMD)金屬間介質(zhì)層(IMD)W 塞(WPLUG)鈍化層(Passivation)acceptor 受主，如 B,摻入 Si 中需要接受電子Acid:酸actuator 激勵A(yù)DIAfterdevelopinspection 顯影后檢視AEIAfteretchinginspection 蝕科后檢查AFMatomicforcemicroscopy 原子力顯微ALDatomiclayerdeposition 原子層淀積Alignmark(key):對位標(biāo)記Alignment 排成一直線，對平Alloy:合金Aluminum:鋁Ammonia:氨水Ammoniumfluoride:NH

2、FAmmoniumhydroxide:NHOHAmorphoussilicon:a-Si,非晶硅(不是多晶硅)amplifier 放大器AMU 原子質(zhì)量數(shù)Analog:模擬的analyzermagnet 磁分析器Angstrom:A(E-m)埃Anisotropic:各向異性(如 POLYETCH)Antimony(Sb)睇arcchamber 起弧室ARC：anti-reflectcoating 防反射層Argon(Ar)僦Arsenictrioxide(AsO)三氧化二神Arsenic(As)神Arsine(AsH)ASHER 一種干法刻蝕方式Asher：去膠機(jī)ASI 光阻去除后檢查ASI

3、C 特定用途集成電路Aspectration：形貌比(ETCH 中的深度、寬度比)ATE 自動檢測設(shè)備Backend:后段(CONTACT 以后、PCM 測試前)BacksideEtch 背面蝕刻Backside 晶片背面Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程Beam-Current 電子束電流Benchmark：基準(zhǔn)BGAballgridarray 高腳封裝Bipolar：雙極Boat:擴(kuò)散用(石英)舟Cassette 裝晶片的晶舟CD：criticaldimension 關(guān)鍵性尺寸，臨界尺寸Chamber 反應(yīng)室Chart 圖表Childlot 子批chiller 制冷機(jī)Chip(die)晶粒Chip

4、:碎片或芯片。clamp 夾子CMP 化學(xué)機(jī)械研磨Coater 光阻覆蓋(機(jī)臺)Coating 涂布，光阻覆蓋Computer-aideddesign(CAD)：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。ContactHole 接觸窗ControlWafer 控片Correlation:相關(guān)性。Cp：工藝能力，詳見 processcapabilityoCriticallayer 重要層CVD 化學(xué)氣相淀積Cycletime 生產(chǎn)周期Defectdensity:缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Defect 缺陷DEPdeposit 淀積Depthoffocus(DOF)：焦深。Descum 預(yù)處理Developer 顯影液

5、；顯影(機(jī)臺)developer：I)顯影設(shè)備；n)顯影液Development 顯影DGdualgate 雙門DIfilter 離子交換器DIwater 去離子水Diffusion 擴(kuò)散disk 靶盤disk/flagfaraday 束流測量器Doping 摻雜Dose 劑量Downgrade 降級DRCdesignrulecheck 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查DryClean 干洗Duedate 交期Dummywafer 擋片E/Retchrate 蝕刻速率EE 設(shè)備工程師ELSextendedlifesource 高壽命離子源enclosure 夕卜殼BPSG 含有硼磷的硅玻璃Break 中斷，ste

6、pper 機(jī)臺內(nèi)中途停止鍵cassette 晶片盒EndPoint 蝕刻終點(diǎn)e-shower 中性化電子子發(fā)生器ETetch 蝕刻Exhaust 排氣（將管路中的空氣排除）Exposure 曝光extrantionelectrode 高壓吸極FAB 工廠fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。FIBfocusedionbeam 聚焦離子束FieldOxide 場氧化層filament 燈絲film:薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。flataligener 平邊檢測器flat：平邊f(xié)latbandcapacitanse：平帶電容flatbandvoltage:平帶電壓 Flatness 平坦度fl

7、owcoefficicent:流動系數(shù)flowvelocity:流速計(jì)flowvolume:流量計(jì)flux:單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)Focus 焦距forbiddenenergygap:禁帶Foundry 代工four-pointprobe:四點(diǎn)探針臺FSG 含有氟的硅玻璃functionalarea:功能區(qū)Furnace 爐管 gateoxide:柵氧glasstransitiontemperature:玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度GOIgateoxideintegrity 門氧化層完整性gowning:凈化服 grayarea：灰區(qū) gyrodrive兩方向偏轉(zhuǎn)hardbake：后烘,堅(jiān)烘，sof

8、tbake（軟烘）HCIhotcarrierinjection 熱載流子注入HDP:highdensityplasma高密度等離子體heatexchange 熱交換機(jī)High-Voltage 高壓host:主機(jī)Hotbake 烘烤metaln 金屬M(fèi)etalVia 金屬接觸窗MFG 制造部Mid-Current 中電流Module 部門nanometer(nm)n:納米nanosecond(ns)n:納秒NITSiN 氮化硅nitrideetchn:氮化物刻蝕nitrogen(N)n:氮?dú)猓环N雙原子氣體Non-critical 非重要NPn-dopedplus(N+)N 型重?fù)诫sn-type

9、adj:n 型NWn-dopedwellN 阱ODoxidedefinition 定義氧化層ohmspersquaren:歐姆每平方方塊電阻OMopticmicroscope 光學(xué)顯微鏡OOC 超出控制界線OOS 超出規(guī)格界線orientationn：晶向，一組晶列所指的方向OverEtch 過蝕刻Overflow 溢出 overlapn:交迭區(qū)Overlay 測量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度OXSiO 二氧化硅 Ppoly 多晶硅PA;passivation 鈍化層Particle 含塵量/微塵粒子PHphoto 黃光或微影phosphorus（P）n：磷,一種有毒的非金屬元素photomas

10、kn:光刻版，用于光刻的版photomask,negativen:反刻photomask,positiven:正亥 UPilot 實(shí)驗(yàn)的PVD 物理氣相淀積PWp-dopedwellP 阱quadrupolelens 磁聚焦透鏡quartzcarriern 石英舟。Queuetime 等待時(shí)間內(nèi)層介電層（ILD）、內(nèi)金屬介電層（IMD）ICPinductivecoupleplasma 感應(yīng)等離子體ID 辨認(rèn)，鑒定IGBT 絕緣門雙極晶體管images：去掉圖形區(qū)域的版implant 注入Implant 植入 impurityn 摻雜impurity:雜質(zhì)inductivecoupledplas

11、ma(ICP)：感應(yīng)等離子體 inertgas：惰性氣體 initialoxide:一氧insulator：絕緣 isolatedline:隔離線 junction 結(jié)junctionspikingn鋁穿刺kerf劃片槽landingpadnPADLayer層次LDDlightlydopeddrain輕摻雜漏linerdrive 直線往復(fù)運(yùn)動lithographyn 制版loadlockvalve 靶盤腔裝片閥Localdefocus 局部失焦因機(jī)臺或晶片造成之臟污LOCOSlocaloxidationofsilicon局部氧化Loop 巡路Lot 批Mask(reticle)光罩masks,

12、deviceseriesofn 一成套光刻版materialn 原料matrixn 矩陣 meann 平均值measuredleakraten 測得漏率mediann 中間值memoryn 記憶體Merge 合并LP（低壓）淀積多晶硅（LPPOLY）Parentlot 母批 mainframe 主機(jī)maintainability,equipment設(shè)備產(chǎn)能maintenancen 保養(yǎng) majoritycarriern 多數(shù)載流子hotcarriers:熱載流子hydrophilic:親水性 hydrophobic:疏水性pnjunctionn：pn 結(jié)Pod 裝晶舟與晶片的盒子Polymer

13、 聚合物PORProcessofrecordpostaccel 后加速器 Plasma 電漿PMDpremetaldielectric 電容PPp-dopedplus(P+)P 型重?fù)诫sPRPhotoresisit 光阻PRphotoresist 光阻purewatern 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。PVD 物理氣相淀積PWp-dopedwellP 阱quadrupolelens 磁聚焦透鏡quartzcarriern 石英舟。Queuetime 等待時(shí)間QTIME-DUMMY:從此步驟到下一個步驟一共停留的時(shí)間范圍(超出范圍會出問題)顯影前烘焙(PEB)：降低或消除駐波效應(yīng)R/Cruncar

14、d 運(yùn)作卡SOG 是一種相當(dāng)簡易的平坦化技術(shù)。因?yàn)榻殡妼硬牧鲜且匀軇┑男螒B(tài)覆蓋在硅片表面，因此SOG 對高低起伏外觀的溝填能力”非常好，可以避免純粹以 CVD 法制作介質(zhì)層時(shí)所面臨的孔洞問題Spacer：SPACER 工藝是通過LPTEPSETCHBACK,在 PLOY 側(cè)壁形成兩個側(cè)壁突出的工藝， 用于源漏區(qū)注入的自對準(zhǔn)和減少由于源漏橫向擴(kuò)散形成的溝道效應(yīng)。LPTEOS 主要用于 SPACER 及電容氧化層。TEOS=Si(OC2H5)4名稱：正硅酸乙脂，又稱四乙氧基硅烷Si(OC2H5)4 一BIST,Built-inSelfTest 內(nèi)建的自測試BusRoute 總線布線Carbide

15、碳circuitdiagram 電路圖Circuit 電路基準(zhǔn)Clementine 專用共形開線設(shè)計(jì)ClusterPlacement 簇布局CM 合約制造商COFChipOnFPC 將 IC 固定于柔性線路板上COGChipOnGlass 將芯偏固定于玻璃上CommonImpedance 共模阻抗componentvideo-分量視頻Compositevideo-復(fù)合視頻Concurrent 并行設(shè)計(jì)ConstantSource 恒壓源CooperPour 智能覆銅Crosstalk 串?dāng)_CRTCathodeRadialTude 陰極射線管DCMagnitude 直流幅度Delay 延時(shí)Del

16、ays 延時(shí)DesignforTesting 可測試性設(shè)計(jì)Designator 標(biāo)識DOF 焦深 DepthOfFocus,DepthOfFocus,區(qū)分 IDOFIDOF、UDOFUDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,DesignforCost 面向成本的設(shè)計(jì)DFR,DesignforReliability 面向可靠性的設(shè)計(jì)DFT,DesignforTest 面向測試的設(shè)計(jì)DPIDotPerInch 點(diǎn)每英寸DSM,DynamicSetupManagement 動態(tài)設(shè)定管理DVIDigitalVisualInterface(VGA)數(shù)字接口DynamicRoute 動態(tài)布線Electro

17、DynamicCheck 動態(tài)電性能分析GroundBounce 地彈反射GUI,GraphicalUserInterface 圖形用戶界面Harmonica 射頻微波電路仿真 HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真 HMDSHMDS( (六甲基二硅胺):涂膠前處理，增加圓片襯底與光刻膠的粘附性ICIntegrateCircuit 集成電路ImageFiducial 電路基準(zhǔn) Impedance阻抗 In-Circuit-Test 在線測試InitialVoltage 初始電壓InputRiseTime 輸入躍升時(shí)間Inverter-逆變器 Jumper 跳線LCDLiquidCrystalDispl

18、ay 液晶顯示LCMLiquidCrystalModule 液晶模塊LEDLightEmittingDiode 發(fā)光二極管LinearDesignSuit 線性設(shè)計(jì)軟件包LocalFiducial 個別基準(zhǔn)manufacturing 制造業(yè)MCMs,Multi-ChipModules 多芯片組件MDE,MaxwellDesignEnvironmentMerge 合并 MFG 制造部NonlinearDesignSuit 非線性設(shè)計(jì)軟件包ElectromagneticDisturbance 電磁干擾ElectromagneticNoise 電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompat

19、ibilt 電磁兼容EMI,ElectromagneticInterference 電磁干擾Emulation 硬件仿真Ensemble 多層平面電磁場仿真ESD 靜電釋放Expansion 膨脹FallTimeTMtopmental 頂層金屬層FalseClocUnder 黜押下沖FEP氟化UnfAmDistribution均勻分布 FFT,Fast弋目眼泅喇哩。血快速傅里葉變換FloatLicenVDMOS(專epicalconductionDoubleFrequencyDomi 擴(kuò)馥蝴|麻答NVT：NMOS 調(diào)閾值電壓ODB+OpenDataBase 公開數(shù)據(jù)庫OEM 原設(shè)備制造商OLE

20、Automation 目標(biāo)連接與嵌入On-lineDRC 在線設(shè)計(jì)規(guī)則檢查ONO:氧化層-氮化層-氧化層介質(zhì)；用作電容介質(zhì)Optimetrics 優(yōu)化和參數(shù)掃描OSDOnScreenDisplay 在屏上顯示Overshoot 過沖scattePgQMeatOxWJSemiconductor)Panelfiducial 板基準(zhǔn)Gaussian 眥蝴帆硼 hfeE)的硅，能導(dǎo)電。probern 探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。processcontroln 過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-rayn 近 X 射線：一

21、種光刻技術(shù)，用 X 射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。quantumdevicen 量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。rapidthermalprocessing(RTP)n 快速熱處理(RTP)。recipen 菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。scanningelectronmicroscope(SEM)n 電子顯微鏡(SEM)。SEM:scanningelectronmicroscope 掃描式電子顯微鏡semiconductorn 半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)

22、n 薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer 外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片smallscaleintegration(SSI)小規(guī)模綜合，在單一模塊上由到個圖案的布局。sourcecode 原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語言里或編碼器的代碼。spectralline 光譜線，光譜鐐制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。spinwebbing 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。sputteretch 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。stackingfault 堆垛層錯，原子普通堆

23、積規(guī)律的背離產(chǎn)生的次空間錯誤。steambath 蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。stepresponsetime 瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個時(shí)刻之間的時(shí)間。stresstest 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。surfaceprofile 表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。symptom 征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。tackweld 間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊(用于連接蓋子)。temperaturecycling 溫度周期變化，測量出的重復(fù)出

24、現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。TEOS-(CHCHO)Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作 LPCVD/PECVD 生長 SiO 的原料。又指用 TEOS 生長得到的 SiO層。testability 易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。thermaldeposition 熱沉積，在超過度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。thinfilm 超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。toluene(CHCH)甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。totalfixedchargedensity(Nth)下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定

25、電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密應(yīng)(Nit)。trench 溝道，深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。tungstenhexafluoride(WF)氟化鴇。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在 CVD 中 WF 用于淀積硅化物，也可用于鴇傳導(dǎo)的薄膜。vaporpressure 當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。via 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。waferflat 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程

26、中的排列晶片。waferprocesschamber(WPC)對晶片進(jìn)行工藝的腔體。window 在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude 冷陰極熒光燈COBChipOnBoard 通過綁定將 IC 裸偏固定于印刷線路板上CVT,ComponentVerificationandTracking 元件確認(rèn)與跟蹤DFM,DesignforManufacturing 面向制造過程的設(shè)計(jì)DFX,DesignforX 面向產(chǎn)品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)Duty-占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一個周期中所

27、占的比率EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat 電子設(shè)計(jì)交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation 電子工業(yè)協(xié)會ELElextroLuminescence 電致發(fā)光。EL 層由高分子量薄片構(gòu)成EngineeringChangeOrder 原理圖與 PCB 版圖的自動對應(yīng)修改FSTNFormulatedSuperTwistedNematic 格式化超級扭曲向列。一層光程補(bǔ)償偏甲于 STN,用于單色顯示IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification 模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing 在 ECCE 項(xiàng)目里就是指制作 PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers