1、一、填空題（每空1分，共20分）1 P型半導體又稱為_型半導體，它由本征半導體摻入_價元素形成，其多數載流子是_，少數載流子是_。2 在室溫附近，溫度升高，雜質半導體中_的濃度將明顯增加。3 在PN結的形成過程中，載流子擴散運動是_作用下產生的，漂移運動是_作用下產生的。4 按照二極管的材料分，可分為_二極管和鍺二極管兩種。5 穩壓二極管穩壓工作時，是工作在其特性曲線的_區。6 三極管具有電流放大作用的外部條件是：發射結_偏置，集電結_偏置。7基本放大電路的非線性失真包括_失真和_失真。8 圖1所示電路，二極管VD1、VD2為理想元件，則UAB 為_伏。圖19 電路圖如圖2，已知RB = 24

2、0kW，RC = 3kW，晶體管= 20，VCC = 12V。現在該電路中的晶體管損壞，換上一個= 40的新管子，若要保持原來的靜態電流IC不變，且忽略UBE，應把RB調整為_kW。 圖210在某放大電路中，晶體管三個電極的電流如圖3所示。已量出I1 = -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 電極是_極，電極是_極，電極是_極。 (2) 此晶體管的電流放大系數b約為_。 (3) 此晶體管的類型是_型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 圖3二、選擇題（每小題2分，共20分）11PN結加正向電壓時，其空間電荷區會( )A不變B變窄C變寬D不定12在

3、雜質半導體中，多數載流子的濃度取決于( )A本征半導體B溫度C雜質濃度D摻雜工藝13從提高晶體管放大能力出發，除了將晶體管基區做得很薄，且摻雜濃度很低之外，工藝上還要采取如下措施( )A發射區摻雜濃度高，集電結面積小 B發射區摻雜濃度高，集電結面積大C發射區摻雜濃度低，集電結面積小 D發射區摻雜濃度低，集電結面積大14半導體三極管的特點是( )A輸入電流控制輸出電流 B輸入電壓控制輸出電壓C輸入電流控制輸出電壓 D輸入電壓控制輸出電流15NPN型與PNP型三極管的區別是( ) A由兩種不同材料硅和鍺制成B摻入雜質元素不同 CP區或N區的位置不同 D死區電壓不同16某放大電路中的晶體三極管，測得

4、其管腳電位為：腳U1 = 0V，腳U2 = -0.3V，腳U3 = 8V，則可判定該管是( )A鍺管為e極B鍺管為e極C硅管為c極D鍺管為e極17某電路中的三極管符號如圖4所示，測得其管腳電位標在圖上，則該管是( ) A放大狀態B截止狀態 C飽和狀態D狀態不能確定18三種基本放大電路中電壓放大倍數近似等于1的是( ) A共基極放大電路B共集電極放大電路 C共發射極放大電路D無法確定19直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是( ) A電阻阻值有誤差B三極管參數的分散性 C三極管參數受溫度影響D電源電壓不穩定 20既能放大交流信號，也能放大直流信號的放大電路耦合方式是 ( )A阻容耦合 B直接耦合

5、C變壓器耦合D以上都可以三、分析題（要求寫出分析過程。每小題6分，共18分）21限幅電路如圖5所示，ui = 2sinwt，V1、V2均為硅管，導通電壓為0.7V。試據輸入電壓波形畫出輸出電壓波形（必須考慮二極管的導通電壓） 圖5 uo / Vt / s 22簡述圖6所示三極管電路不能實現正常放大作用的理由。 圖23對于圖7所示放大電路：(1) 畫出放大電路的微變等效電路。(2) 寫出Au =，ri和ro的表達式。四、（8分）一硅穩壓管穩壓電路如圖8所示，其中硅穩壓管的穩定電壓UZ = 8V，動態電阻rZ及未擊穿的反向電流均可忽略，未經穩壓的直流輸入電壓UI = 30V。試求： (1) Uo、Io、I及IZ的值。 (2) 當UI降低為15V時的Uo、Io、I及IZ的值。 圖8五、（8分）圖9所示電路中，b = 50，UBEQ = 0.6V，UCC = 12V，RB = 20kW，RC = 3kW。 (1) 畫出電路的直流通路。 (2) 求放大電路的靜態工作點。 六、（10分）電路如圖10所示，三極管的UBE = 0.6V，b = 80。試分析當開關S分別接通A、B、C三位置時，三極管的工作狀態，并求出相應的集電極電流Ic的值。 圖10七、（16分）如圖11(a)所示單管共發射極放