1、泓域咨詢/廣東功率半導體項目招商引資方案報告說明近二十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗發展。中國MOSFET市場規模增長迅速，據統計，2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規模穩步增長，MOSFET需求長期穩定。根據謹慎財務估算，項目總投資18898.51萬元，其中：建設投資15090.51萬元，占項目總投資的79.85%；建設期利息220.35萬元，占項目總投資的1.17%

2、；流動資金3587.65萬元，占項目總投資的18.98%。項目正常運營每年營業收入31200.00萬元，綜合總成本費用24602.55萬元，凈利潤4827.81萬元，財務內部收益率20.63%，財務凈現值7005.35萬元，全部投資回收期5.59年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現值良好，投資回收期合理。此項目建設條件良好，可利用當地豐富的水、電資源以及便利的生產、生活輔助設施，項目投資省、見效快；此項目貫徹“先進適用、穩妥可靠、經濟合理、低耗優質”的原則，技術先進，成熟可靠，投產后可保證達到預定的設計目標。本期項目是基于公開的產業信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業分析模型而

3、進行的模板化設計，其數據參數符合行業基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。目錄第一章 市場分析8一、 發電源管理IC產品的行業基本情況8二、 TVS產品的行業基本情況9三、 二極管、晶體管行業的基本情況12第二章 項目概況15一、 項目名稱及項目單位15二、 項目建設地點15三、 可行性研究范圍15四、 編制依據和技術原則16五、 建設背景、規模17六、 項目建設進度18七、 環境影響18八、 建設投資估算18九、 項目主要技術經濟指標19主要經濟指標一覽表19十、 主要結論及建議21第三章 項目建設單位說明22一、 公司基本信息22二、 公司簡介22三、 公司競爭優勢23四、

4、 公司主要財務數據25公司合并資產負債表主要數據25公司合并利潤表主要數據25五、 核心人員介紹26六、 經營宗旨27七、 公司發展規劃27第四章 背景及必要性29一、 行業基本情況29二、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）30三、 MOSFET產品的行業基本情況33四、 建設現代化基礎設施體系 提升發展支撐能力35五、 聚焦高水平開放 增創全面開放合作新優勢36六、 項目實施的必要性37第五章 建筑工程說明38一、 項目工程設計總體要求38二、 建設方案39三、 建筑工程建設指標40建筑工程投資一覽表40第六章 產品方案分析42一、 建設規模及主要建設內容42二、 產品規劃方案及生產綱領42產品規

5、劃方案一覽表42第七章 項目選址方案45一、 項目選址原則45二、 建設區基本情況45三、 項目選址綜合評價51第八章 運營模式52一、 公司經營宗旨52二、 公司的目標、主要職責52三、 各部門職責及權限53四、 財務會計制度56第九章 發展規劃分析60一、 公司發展規劃60二、 保障措施61第十章 法人治理結構63一、 股東權利及義務63二、 董事68三、 高級管理人員72四、 監事74第十一章 進度規劃方案77一、 項目進度安排77項目實施進度計劃一覽表77二、 項目實施保障措施78第十二章 人力資源配置分析79一、 人力資源配置79勞動定員一覽表79二、 員工技能培訓79第十三章 項目

6、環境保護81一、 編制依據81二、 環境影響合理性分析81三、 建設期大氣環境影響分析83四、 建設期水環境影響分析87五、 建設期固體廢棄物環境影響分析87六、 建設期聲環境影響分析88七、 環境管理分析89八、 結論及建議90第十四章 投資計劃方案92一、 投資估算的依據和說明92二、 建設投資估算93建設投資估算表95三、 建設期利息95建設期利息估算表95四、 流動資金97流動資金估算表97五、 總投資98總投資及構成一覽表98六、 資金籌措與投資計劃99項目投資計劃與資金籌措一覽表100第十五章 項目經濟效益101一、 基本假設及基礎參數選取101二、 經濟評價財務測算101營業收入

7、、稅金及附加和增值稅估算表101綜合總成本費用估算表103利潤及利潤分配表105三、 項目盈利能力分析106項目投資現金流量表107四、 財務生存能力分析109五、 償債能力分析109借款還本付息計劃表110六、 經濟評價結論111第十六章 招投標方案112一、 項目招標依據112二、 項目招標范圍112三、 招標要求112四、 招標組織方式115五、 招標信息發布115第十七章 總結說明116第十八章 補充表格118建設投資估算表118建設期利息估算表118固定資產投資估算表119流動資金估算表120總投資及構成一覽表121項目投資計劃與資金籌措一覽表122營業收入、稅金及附加和增值稅估算表

8、123綜合總成本費用估算表124固定資產折舊費估算表125無形資產和其他資產攤銷估算表126利潤及利潤分配表126項目投資現金流量表127第一章 市場分析一、 發電源管理IC產品的行業基本情況1、電源管理IC簡介電源管理IC在電子設備系統中擔負起對電能的變換、分配、檢測等功能，是電子設備中不可或缺的芯片。電源管理IC可應用于手機、可穿戴設備等消費類電子領域以及網絡通訊、工業、安防等領域的各類終端產品，是模擬芯片的重要組成部分。2、電源管理IC的市場規模及競爭格局根據Frost&Sullivan統計，全球電源管理IC擁有廣闊的市場空間。2020年全球電源管理芯片市場規模約328.8億美元

9、，2016年至2020年年復合增長率為13.52%。國際市場調研機構TMR預測，到2026年全球電源管理芯片市場規模將達到565億美元，年復合增長率高達10.69%。其中以大陸為主的亞太地區是未來全球電源管理芯片最大的成長動力。全球電源管理芯片被美、歐等國際廠商壟斷，前五大供應商占據71%市場份額。目前，雖然歐美發達國家及地區電源管理芯片廠商在產品線的完整性及整體技術水平上保持領先優勢，但隨著國內集成電路市場的不斷擴大，部分本土企業在激烈的市場競爭中逐漸崛起，整體技術水平和國外設計公司的差距不斷縮小。3、電源管理IC的未來發展趨勢隨著電子產品的種類、功能和應用場景的持續增加，消費端對電子產品的

10、穩定性、能效、體積等要求也越來越高。為順應終端電子產品的需求，電源管理IC將朝著高效能，微型化及集成化等方向發展，技術上追求更高的直流耐壓，更小的導通阻抗，以及更小的封裝尺寸。隨著5G通信、物聯網、智能家居、汽車電子、工業控制等新興應用領域的發展，電源管理芯片下游市場有望持續發展。二、 TVS產品的行業基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現，與大多數二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節結構，主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，隨

11、著半導體芯片制程的發展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發出來并不斷創新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要

12、求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發展方向。目前，功率半導體行業內部分國際企業已將ESD保護器件在內的TVS單獨分類。比如，安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類，將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產品類別共同列為主要產品類別；安森美將ESD保護單獨分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產品類別并列為安森美的主要產品類別；英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規模及競爭格局根據OMDIA發布的研究報告

13、TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規模約為16.21億美元，預計2021年全球TVS市場規模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規模約為10.55億美元，預計2023年全球ESD保護器件市場規模約為13.20億美元。根據韋爾股份2019年年度報告，在TVS領域，韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩居國內第一，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導體（NXP），商升特半導體（Semtech）等。根據韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷

14、售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導，根據OMDIA發布的研究報告，全球前五大廠商分別為安世半導體（Nexperia）、意法半導體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護器件的未來發展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛，隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業電子等市場的推動下，預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域，由于產品集

15、成度高，技術要求不斷提升，產品更新換代較快，相應地對ESD保護器件的技術創新要求也較高，未來的發展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發展的趨勢和需要，市場前景廣闊。三、 二極管、晶體管行業的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導電性二端器件，其產品結構比較簡單，一般為單個PN節結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續發展出整流二極管、開關二極管、穩壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流

16、、穩壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結型晶體管（Bipolarjunctiontrans

17、istor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業的市場規模及競爭格局2018年全球二極管市場規模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據中國電子信息產業統計年鑒數據，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據芯謀研究的有關數據，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結型晶體管（三極管）、MOSFET和IGBT。根據三種晶體管的市場規模估算，2019年，晶體管總的市場規模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規模約為147.88億美元。由于雙極性結型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節能減排的推行

18、，其市場規模總體趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市場規模則以較高速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業的未來發展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產品，對技術創新要求較高，會隨著應用領域的技術要求不斷提升，推動產品的技術升級，尤其是在消費類電子領域。晶體管中，雙極性結型晶體管（三極管）是電流型功率開關器件，價格低、功耗大，在少數價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定

19、需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費類電子、網絡通訊、工業、安防等領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規模增長迅速。第二章 項目概況一、 項目名稱及項目單位項目名稱：廣東功率半導體項目項目單位：xx公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xx，占地面積約55.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍1、項目提出的背景及建設必要性；2、市場需求預測；3、建設規模及產品方案；4、建設地點與建設條性；5、工程技術方案；6、

20、公用工程及輔助設施方案；7、環境保護、安全防護及節能；8、企業組織機構及勞動定員；9、建設實施與工程進度安排；10、投資估算及資金籌措；11、經濟評價。四、 編制依據和技術原則（一）編制依據1、國家經濟和社會發展的長期規劃，部門與地區規劃，經濟建設的指導方針、任務、產業政策、投資政策和技術經濟政策以及國家和地方法規等；2、經過批準的項目建議書和在項目建議書批準后簽訂的意向性協議等；3、當地的擬建廠址的自然、經濟、社會等基礎資料；4、有關國家、地區和行業的工程技術、經濟方面的法令、法規、標準定額資料等；5、由國家頒布的建設項目可行性研究及經濟評價的有關規定；6、相關市場調研報告等。（二）技術原則

21、1、立足于本地區產業發展的客觀條件，以集約化、產業化、科技化為手段，組織生產建設，提高企業經濟效益和社會效益，實現可持續發展的大目標。2、因地制宜、統籌安排、節省投資、加快進度。五、 建設背景、規模（一）項目背景晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran

22、sistor,MOSFET)和雙極性結型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。（二）建設規模及產品方案該項目總占地面積36667.00（折合約55.00畝），預計場區規劃總建筑面積60339.53。其中：生產工程38167.05，倉儲工程7374.10，行政辦公及生活服務設施7205.01，公共工程7593.37。項目建成后，形成年產xx件功率半導體的生產能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xx公司將項目工程的建設周期確定為12個月，其工作內容包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投產等。七、

23、 環境影響建設項目的建設和投入使用后，其產生的污染源經有效處理后，將不致對周圍環境產生明顯影響。建設項目的建設從環境保護角度考慮是可行的。項目建設單位在執行“三同時”的管理規定的同時，切實落實本環境影響報告中的環保措施，并要經環境保護管理部門驗收合格后，項目方可投入使用。八、 建設投資估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資18898.51萬元，其中：建設投資15090.51萬元，占項目總投資的79.85%；建設期利息220.35萬元，占項目總投資的1.17%；流動資金3587.65萬元，占項目總投資的18.98%。（二）建設投

24、資構成本期項目建設投資15090.51萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用12943.08萬元，工程建設其他費用1845.78萬元，預備費301.65萬元。九、 項目主要技術經濟指標（一）財務效益分析根據謹慎財務測算，項目達產后每年營業收入31200.00萬元，綜合總成本費用24602.55萬元，納稅總額3106.09萬元，凈利潤4827.81萬元，財務內部收益率20.63%，財務凈現值7005.35萬元，全部投資回收期5.59年。（二）主要數據及技術指標表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積36667.00約55.00畝1.1總建筑面積60339.531.

25、2基底面積23833.551.3投資強度萬元/畝258.222總投資萬元18898.512.1建設投資萬元15090.512.1.1工程費用萬元12943.082.1.2其他費用萬元1845.782.1.3預備費萬元301.652.2建設期利息萬元220.352.3流動資金萬元3587.653資金籌措萬元18898.513.1自籌資金萬元9904.503.2銀行貸款萬元8994.014營業收入萬元31200.00正常運營年份5總成本費用萬元24602.55""6利潤總額萬元6437.08""7凈利潤萬元4827.81""8所得稅萬元1

26、609.27""9增值稅萬元1336.45""10稅金及附加萬元160.37""11納稅總額萬元3106.09""12工業增加值萬元10470.86""13盈虧平衡點萬元11875.82產值14回收期年5.5915內部收益率20.63%所得稅后16財務凈現值萬元7005.35所得稅后十、 主要結論及建議本項目符合國家產業發展政策和行業技術進步要求，符合市場要求，受到國家技術經濟政策的保護和扶持，適應本地區及臨近地區的相關產品日益發展的要求。項目的各項外部條件齊備，交通運輸及水電供應均有充分保證，

27、有優越的建設條件。，企業經濟和社會效益較好，能實現技術進步，產業結構調整，提高經濟效益的目的。項目建設所采用的技術裝備先進，成熟可靠，可以確保最終產品的質量要求。第三章 項目建設單位說明一、 公司基本信息1、公司名稱：xx公司2、法定代表人：劉xx3、注冊資本：1190萬元4、統一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監督管理局6、成立日期：2016-3-177、營業期限：2016-3-17至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區xx9、經營范圍：從事功率半導體相關業務（企業依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動

28、；不得從事本市產業政策禁止和限制類項目的經營活動。）二、 公司簡介公司堅持提升企業素質，即“企業管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經營水平進一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素質企業員工，企業品牌影響力不斷提升。公司秉承“誠實、信用、謹慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規經營”作為企業的核心理念，不斷提升公司資產管理能力和風險控制能力。三、 公司競爭優勢（一）工藝技術優勢公司一直注重技術進步和工藝創新，通過引入國際先進的設備，不斷加大自主技術研發和工藝改進力度，形成較強的工藝技術優勢。公司根據客戶受托產品的品種和特點

29、，制定相應的工藝技術參數，以滿足客戶需求，已經積累了豐富的工藝技術。經過多年的技術改造和工藝研發，公司已經建立了豐富完整的產品生產線，配備了行業先進的設備，形成了門類齊全、品種豐富的工藝，可為客戶提供一體化綜合服務。（二）節能環保和清潔生產優勢公司圍繞清潔生產、綠色環保的生產理念，依托科技創新，注重從產品結構和工藝技術的優化來減少三廢排放，實現污染的源頭和過程控制，通過引進智能化設備和采用自動化管理系統保障清潔生產，提高三廢末端治理水平，保障環境績效。經過持續加大環保投入，公司已在節能減排和清潔生產方面形成了較為明顯的競爭優勢。（三）智能生產優勢近年來，公司著重打造 “智慧工廠”，通過建立生產

30、信息化管理系統和自動輸送系統，將企業的決策管理層、生產執行層和設備運作層進行有機整合，搭建完整的現代化生產平臺，智能系統的建設有利于公司的訂單管理和工藝流程的優化，在確保滿足客戶的各類功能性需求的同時縮短了產品交付期，提高了公司的競爭力，增強了對客戶的服務能力。（四）區位優勢公司地處產業集聚區，在集中供氣、供電、供熱、供水以及廢水集中處理方面積累了豐富的經驗，能源配套優勢明顯。產業集群效應和配套資源優勢使公司在市場拓展、技術創新以及環保治理等方面具有獨特的競爭優勢。（五）經營管理優勢公司擁有一支敬業務實的經營管理團隊，主要高級管理人員長期專注于印染行業，對行業具有深刻的洞察和理解，對行業的發展

31、動態有著較為準確的把握，對產品趨勢具有良好的市場前瞻能力。公司通過自主培養和外部引進等方式，建立了一支團結進取的核心管理團隊，形成了穩定高效的核心管理架構。公司管理團隊對公司的品牌建設、營銷網絡管理、人才管理等均有深入的理解，能夠及時根據客戶需求和市場變化對公司戰略和業務進行調整，為公司穩健、快速發展提供了有力保障。四、 公司主要財務數據公司合并資產負債表主要數據項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額6373.305098.644779.98負債總額2205.231764.181653.92股東權益合計4168.073334.463126.05公司合并利潤表主要數據項目2

32、020年度2019年度2018年度營業收入14553.5211642.8210915.14營業利潤2487.251989.801865.44利潤總額2096.931677.541572.70凈利潤1572.701226.711132.34歸屬于母公司所有者的凈利潤1572.701226.711132.34五、 核心人員介紹1、劉xx，中國國籍，無永久境外居留權，1958年出生，本科學歷，高級經濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經理；2019年3月至今任公司董事。2、

33、鐘xx，中國國籍，1977年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監事。3、韋xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監事會主席。4、戴xx，1957年出生，大專學歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、熊xx，中國國籍，無永久境外居留權，1971年出生，本科學

34、歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務經理。2017年3月至今任公司董事、副總經理、財務總監。6、孟xx，中國國籍，無永久境外居留權，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監事。2018年8月至今任公司獨立董事。7、戴xx，中國國籍，無永久境外居留權，1961年出生，本科學歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經理。2017年8月至今任公司獨立董事。8、田xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月

35、至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。六、 經營宗旨根據國家法律、法規及其他有關規定，依照誠實信用、勤勉盡責的原則，充分運用經濟組織形式的優良運行機制，為公司股東謀求最大利益，取得更好的社會效益和經濟效益。七、 公司發展規劃（一）戰略目標與發展規劃公司致力于為多產業的多領域客戶提供高質量產品、技術服務與整體解決方案，為成為百億級產業領軍企業而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業，以先進的技術和高品質的產品滿足產品日益提升的質量標準和技術進步要求，為國內外生產商率先提供多種產品，為提升轉換率和品質保證以及成本降低持續做出貢獻，同時通過與產業鏈優質客戶緊密合作，為公

36、司帶來穩定的業務增長和持續的收益。公司通過產品和商業模式的不斷創新以及與產業鏈企業深度融合，建立創新引領、合作共贏的模式，再造行業新格局。（三）未來規劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優的產品和技術服務的理念，充分發揮公司在技術以及膜工藝技術的扎實基礎及創新能力，為成為百億級產業領軍企業而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產業的研發、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產業結構調整所需的領域積極布局。致力于為多產業的多領域客戶提供中高端技術服務與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發展的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發展機遇，利用獨立創新、聯合開發、并購和收購等多種方法，掌握國際領先

37、的技術，使得公司真正成為國際領先的創新型企業。第四章 背景及必要性一、 行業基本情況半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產業的發展基石，是電子產品的核心組成部分。從應用領域看，半導體產品主要應用領域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領域。此外，隨著電子產品的升級，半導體在電子產品的含量將逐步提高，未來在下游電子產品市場需求增長的帶動下，半導體產業將保持較好的增長態勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件，不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效

38、和經濟的運行，而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%，但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大，是決定其性價比的核心器件。在日常生活中，凡涉及發電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環節的，均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產品，廣泛應用于國民經濟建設的各個領域。從產品類型來看，功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件，可進一步分為二極管、晶體管、晶閘管等，其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等，晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等；功率

39、IC屬于集成電路中的模擬IC，可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅動IC等。二、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）1、全球經濟發展態勢和電子系統產品市場將是帶動全球半導體市場發展的主要因素ICInsights發布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現高度相關性，2010-2018年的相關系數高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而

40、推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業愈發成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯性。二是消費者驅動的IC市場持續轉型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比已經互換。因此，隨著消費者為導向的環境推動電子系統銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、

41、國家出臺多項政策驅動產業繁榮發展國家高度重視半導體行業發展，近年來出臺了多項扶持產業發展政策，鼓勵技術進步。2014年6月，國務院發布國家集成電路產業發展推進綱要，以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環節作為集成電路行業發展重點，提出到2020年，集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。2014年9月24日，國家集成電路產業投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設立；2019年10月22日，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成

42、立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業，實施市場化運作、專業化管理，充分展現了國家扶持半導體行業的信心，將大力促進行業增長。功率半導體作為半導體行業的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業創造了良好的政策環境和投融資環境，為功率半導體行業發展帶來了良好的發展機遇，促進行業發展的同時加速產業的轉移進程，國內功率半導體行業有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的產品需求功率器件應用領域十分廣泛，下游終端產品類別繁多，隨著社會發展和技術發展，下游終端產品對電能轉換效率、穩定性、高壓大功率提出了更高的需求，產

43、品設計將更加復雜化，產品功能將更加多樣化。下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進功率器件的技術發展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發展。4、新興產業需求和技術創新將引領半導體行業發展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統、虛擬貨幣等新興領域的快速發展，相關IC產品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產品中。這些需求將刺激我國IC產品的技術創新和產業發展，對我國IC設計、制造企業帶來增長機遇。同時，我國功率半導體企業一直緊跟國際先進技術發展，通過持續的技術創新不斷推動產品升級，并

44、積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網絡通信、智能家居、汽車電子等行業的技術發展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內功率半導體相關企業贏得更多的發展機遇。5、市場空間巨大半導體產業是全球性產業，全球產業景氣度是中國半導體產業發展的大前提，但中國半導體產業的內生力更值得關注。半導體行業發源于歐美，日韓及中國臺灣在產業轉移中亦建立了先進的半導體工業體系。中國半導體起步晚，但近年來，國家高度重視半導體行業的發展，不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內的半導體行業。隨著國內大循環、國內國際雙循環格局發展，國內功率半導體產品需求繼續增加，國內功率半導體設計企業

45、不斷成長，未來發展空間巨大。根據顧問機構InternationalBusinessStrategies（IBS）預測，到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業的比例將逐漸上升，到2030年將達到39.8%。預計到2030年，69%的消費量將來自中國本土公司，需求主要來自數據中心、消費電子、汽車、醫療等應用領域。三、 MOSFET產品的行業基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。隨著技術

46、的發展，溝槽結構MOSFET于1990年左右逐步研發成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內市場而言，MOSFET產品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產化空間巨大。2、MOSFET的市場規模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規模達76億美元，2016-2023年復合增速達5%；中國大陸MOSFET市場規模達36億美元，中國市場在全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規模達80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET增速將以較高速度

47、增長。預計2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預計2025年將達到118.47億美元。根據有關數據，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發展趨勢近二十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗發展。中國MOSFET市場規模增長迅速，據統計，2016年-2019年MOSFET市場

48、的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規模穩步增長，MOSFET需求長期穩定。四、 建設現代化基礎設施體系 提升發展支撐能力聚焦結構優化、集約高效、智能綠色、安全可靠，完善基礎設施網絡體系，發揮新型基礎設施牽引作用，與傳統基礎設施融合發展，強化資源共享、空間共用、互聯互通、協同高效，為構建新發展格局戰略支點、推進全省高質量發展提供有力支撐。（一）構筑新型基礎設施體系以整體優化、協同高效、融合創新為導向，加快建設信息基礎設施，適度超前部署創新基礎設施，穩步發展融合基礎設施，全力構建高水平新型基礎設

49、施體系。（二）建設現代化綜合交通運輸體系貫徹落實交通強國戰略，構建內聯外通的綜合交通網絡，建設世界級綜合交通樞紐，提升綜合運輸服務水平，加快形成“12312”交通圈 ，建設安全、便捷、高效、綠色、經濟的現代化綜合交通運輸體系。（三）構建高質量綠色低碳能源保障體系堅持以能源安全新戰略為統攬，深入推進能源供給、消費、技術、體制革命和對外合作，努力構建清潔低碳、安全高效、智能創新的現代化能源體系，實現能源高質量發展。（四）建立現代化水安全保障體系堅持水利改革發展總基調，推進廣東水網建設，強化涉水事務監管，構建節約高效、保障有力、人水和諧、風險可控的水安全保障體系，實現水利大省向水利強省的跨越。五、

50、聚焦高水平開放 增創全面開放合作新優勢堅持開放發展理念，建設更高水平開放型經濟新體制，實施更大范圍、更寬領域、更深層次對外開放，依托鏈接國內大市場優勢，全方位提高對外開放水平，更深度融入全球經濟，在形成全面開放新格局上走在全國前列。（一）著力建設更高水平開放型經濟新體制加強對外開放頂層設計，以制度創新為引擎，以重大對外開放平臺為載體，加快探索建立對接國際高標準市場規則體系，推動實現更高水平開放。（二）積極拓展全面開放空間持續優化國際經濟合作格局，堅持積極有效利用外資和推動境外投資提質增效并重，推動開放型經濟發展空間全面拓展。（三）深入參與“一帶一路”建設推進廣東與“一帶一路”沿線國家合作，健全

51、合作機制，提升戰略樞紐、經貿合作中心和重要引擎能級，建設更加開放的國際門戶樞紐。（四）全力推進粵港澳融合發展深入實施粵港澳大灣區發展規劃綱要，以規則銜接為重點推進粵港澳合作，推進跨境要素高效便捷流動和高標準市場規則體系加快建立，攜手港澳打造國際一流灣區和世界級城市群。六、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產負債結構，補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力，降低公司財務費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產業服務商發展戰略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。第五章 建筑工程說明一、

52、項目工程設計總體要求（一）土建工程原則根據生產需要，本項目工程建設方案主要遵循如下原則：1、布局合理的原則。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能設施分區設置，人流、物流布置得當、有序，做到既利于生產經營，又方便交通。2、配套齊全、方便生產的原則。立足廠區現有基礎條件，充分利用好現有功能設施，保證水、電供應設施齊全，廠區內外道路暢通，方便生產。在建筑結構設計，嚴格執行國家技術經濟政策及環保、節能等有關要求。在滿足工藝生產特性，設備布置安裝、檢修等前提下，土建設計要盡量做到技術先進、經濟合理、安全適用和美觀大方。建筑設計要簡捷緊湊，組合恰當、功能合理、方便生產、節約用地；結構設計要統一化、標準化

53、、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的標準為保證建筑物的質量，保證生產安全和長壽命使用，本項目建筑物嚴格按照相關標準進行施工建設。1、工業企業設計衛生標準2、公共建筑節能設計標準3、綠色建筑評價標準4、外墻外保溫工程技術規程5、建筑照明設計標準6、建筑采光設計標準7、民用建筑電氣設計規范8、民用建筑熱工設計規范二、 建設方案1、本項目建構筑物完全按照現代化企業建設要求進行設計，采用輕鋼結構、框架結構建設，并按建筑抗震設計規范（GB500112010）的規定及當地有關文件采取必要的抗震措施。整個廠房設計充分利用自然環境，強調豐富的空間關系，力求設計新穎、優美舒適。主要建筑物的圍護

54、結構及屋面，符合建筑節能和防滲漏的要求；車間廠房設有天窗進行采光和自然通風，應選用氣密性和防水性良好的產品。.2、生產車間的建筑采用輕鋼框架結構。在符合國家現行有關規范的前提下，做到結構整體性能好，有利于抗震防腐，并節省投資，施工方便。在設計上充分考慮了通風設計，避免火災、爆炸的危險性。.3、建筑內部裝修設計防火規范，耐火等級為二級；屋面防水等級為三級，按照屋面工程技術規范要求施工。.4、根據地質條件及生產要求，對本裝置土建結構設計初步定為：生產車間采用鋼筋混凝土獨立基礎。.5、根據項目的自身情況及當地規劃建設管理部門對該區域建筑結構的要求，確定本項目生產生間擬采用全鋼結構。.6、本項目的抗震

55、設防烈度為6度，設計基本地震加速度值為 0.05g，建筑抗震設防類別為丙類，抗震等級為三級。.7、建筑結構的設計使用年限為50年，安全等級為二級。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積60339.53，其中：生產工程38167.05，倉儲工程7374.10，行政辦公及生活服務設施7205.01，公共工程7593.37。建筑工程投資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產工程12155.1138167.054788.631.11#生產車間3646.5311450.111436.591.22#生產車間3038.789541.761197.161.33#生產車間2917.239160.091149.271.44#生產車間2552.578015.081005.612倉儲工程6196.727374.10781.202.11#倉庫1859.022212.23234.362.22#倉庫1549.181843.53195.302.33#倉庫1487.211769.78187.492.44#倉庫1301.311548.56164.053