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1、實(shí)驗十 循環(huán)伏安法分析一、 實(shí)驗?zāi)康?. 仔細(xì)閱讀理解本講義和相關(guān)資料,掌握循環(huán)伏安法的基本原理。2. 熟練使用循環(huán)伏安法分析的實(shí)驗技術(shù)。二、 實(shí)驗原理循環(huán)伏安法(Cyclic Voltammetry, 簡稱CV)往往是首選的電化學(xué)分析測試技術(shù),非常重要,已被廣泛地應(yīng)用于化學(xué)、生命科學(xué)、能源科學(xué)、材料科學(xué)和環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域中相關(guān)體系的測試表征。圖1. 3 mmol L-1 K4Fe(CN)6 + 0.5 mol L-1 Na2SO4水溶液中金電極上的CV 圖(a)、電位-時間曲線(b)、電流時間曲線(c)和實(shí)驗裝置示意圖(d)。實(shí)驗中采用CHI660A電化學(xué)工作站進(jìn)行實(shí)驗,實(shí)驗中其感受電極(Th

2、e Sense Electrode, 簡稱SE)懸空。(a)(b)(c) 現(xiàn)代電化學(xué)儀器均使用計算機(jī)控制儀器和處理數(shù)據(jù)。CV測試比較簡便,所獲信息量大。采用三電極系統(tǒng)的常規(guī)CV實(shí)驗中,工作電極(The Working Electrode, 簡稱WE)相對于參比電極(the Reference Electrode,簡稱RE)的電位在設(shè)定的電位區(qū)間內(nèi)隨時間進(jìn)行循環(huán)的線性掃描,WE相對于RE的電位由電化學(xué)儀器控制和測量。因為RE上流過的電流總是接近于 表1. 圖1的實(shí)驗條件和一些重要解釋儀器CHI660A電化學(xué)工作站 (上海辰華)工作電極 (WE)金盤, 電極面積0.3 cm2 參比電極 (RE)K

3、Cl飽和甘汞電極 (SCE)對電極(CE)碳棒, 直徑0.2 cm長度2 cm 電活性的待分析物3.0 mmol L-1 K4Fe(CN)6支持電解質(zhì)溶液0.50 mol L-1 Na2SO4水溶液電位掃描范圍和掃描速率Potential scan range and scan rateWE電位先在-0.1 V vs. SCE的恒定初始電位(initial potential)下維持2秒鐘(quiet time), 然后線性掃描到 0.5 V (high potential),再電位負(fù)掃到-0.1 V vs. SCE(low potential)。通常,選擇初始電位不能破壞初始平衡(這里為還原

4、態(tài)Fe(CN)64-)。故選擇初始電位為-0.1 V vs. SCE,因為取條件電位為0.2 V vs. SCE并按照能斯特方程,可計算出 Fe(CN)64-/Fe(CN)63-濃度比為99.999%,即該電位下電對主要存在形式為Fe(CN)64-。CV中,電位對時間波形為三角波,即電位隨時間成正比或反比。其正斜率(圖1為 0.05 V s-1)就是CV實(shí)驗的電位掃描速率,簡稱掃速。峰電位、峰電流和電量Peak potential, peak current, and electrical charge陽極峰電位=Epa,陽極峰電流=Ipa,陽極(氧化)電量=陽極峰下的電流-時間積分(峰面積)

5、。陰極峰電位=Epc,陰極峰電流=Ipc,陰極(還原)電量=陰極峰下的電流-時間積分(峰面積)。對可逆電極反應(yīng)(即能斯特方程在所有電位點(diǎn)均成立),滿足 |Ipa/Ipc|=1和Epa-Epc»56.5/n mV (25 oC,n為電極反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù))。注意,測量峰電流時應(yīng)扣除背景電流,如圖1所示。條件電位The formal potential若某電對的氧化態(tài)和還原態(tài)組分的擴(kuò)散系數(shù)相等,則條件電位等于陽極峰電位和陰極峰電位的算術(shù)平均值,即E0=(Epa+ Epc)/2.氧化反應(yīng)(陽極反應(yīng))Oxidation reaction (anodic reaction)Fe(CN)64- &#

6、224; Fe(CN)63- + e-該反應(yīng)的發(fā)生從電位正掃過程中大約0.1 V vs. SCE的陽極峰起峰電位開始,到陽極峰電位Epa處速率最大,此時電極表面相當(dāng)于K4Fe(CN)6的氧化劑。 還原反應(yīng)(陰極反應(yīng))Reduction reaction (cathodic reaction)Fe(CN)63- + e- à Fe(CN)64-該反應(yīng)的發(fā)生從電位負(fù)掃過程中大約0.3 V vs. SCE的陰極峰起峰電位開始,到陰極峰電位Epc處速率最大,此時電極表面相當(dāng)于K3Fe(CN)6的還原劑。 Randle-Sevcik方程(平板擴(kuò)散控制的可逆電極反應(yīng))The Randle-Sev

7、cik relationship (planar diffusion-controlled reversible electrode reaction)圖1所示的電流-電位峰形曲線是典型的平板擴(kuò)散控制的可逆電極反應(yīng)的特征,此時電極反應(yīng)受擴(kuò)散控制,即電子交換速率總大于溶液中電活性物質(zhì)的擴(kuò)散速率。對平板線性擴(kuò)散所控制的可逆電極反應(yīng),如下Randle-Sevcik方程成立,Ip = kn3/2AD1/2cv1/2 式中Ip(A)為峰電流, 常數(shù)k=0.4463F3/(RT)0.5(F為法拿第常數(shù),R為氣體常數(shù),T為絕對溫度,25 oC時常數(shù)k=2.69´105); n電極反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù);

8、A(cm2)為電極面積; D(cm2 s-1)為擴(kuò)散系數(shù); c(mol cm-3)為反應(yīng)物的本體濃度; v(V s-1)為電位掃描速率。零,所以RE的電位在CV實(shí)驗中幾乎不變,因此RE是實(shí)驗中WE電位測控過程中的穩(wěn)定參比。若忽略流過RE上的微弱電流,則實(shí)驗體系的電解電流全部流過由WE和對電極(The Counter Electrode,簡稱CE)組成的串聯(lián)回路。WE和CE間的電位差可能很大,以保證能成功地施加上所設(shè)定的WE電位(相對于RE)。CE也常稱為輔助電極(The Auxiliary Electrode, 簡稱AE)。分析CV實(shí)驗所得到的電流-電位曲線(伏安曲線)可以獲得溶液中或固定在電

9、極表面的組分的氧化和還原信息,電極|溶液界面上電子轉(zhuǎn)移(電極反應(yīng))的熱力學(xué)和動力學(xué)信息,和電極反應(yīng)所伴隨的溶液中或電極表面組分的化學(xué)反應(yīng)的熱力學(xué)和動力學(xué)信息。與只進(jìn)行電位單向掃描(電位正掃或負(fù)掃)的線性掃描伏安法(Linear Scan Voltammetry,簡稱LSV)相比,循環(huán)伏安法是一種控制電位的電位反向掃描技術(shù),所以,只需要做1個循環(huán)伏安實(shí)驗,就可既對溶液中或電極表面組分電對的氧化反應(yīng)進(jìn)行測試和研究,又可測試和研究其還原反應(yīng)。循環(huán)伏安法也可以進(jìn)行多達(dá)100圈以上的反復(fù)多圈電位掃描。多圈電位掃描的循環(huán)伏安實(shí)驗常可用于電化學(xué)合成導(dǎo)電高分子。圖1為3 mmol L-1 K4Fe(CN)6

10、+ 0.5 mol L-1 Na2SO4水溶液中金電極上的CV實(shí)驗結(jié)果。實(shí)驗條件和一些重要的解釋列于表1中。三、 儀器和試劑儀器:CHI400電化學(xué)工作站 磁力攪拌器鉑片工作電極鉛筆芯對電極KCl飽和甘汞電極試劑:K3Fe(CN)6(分析純或優(yōu)級純)KNO3(分析純或優(yōu)級純)溶液及其濃度:1.0 mol L-1 KNO3水溶液。實(shí)驗中每組學(xué)員使用30.0 mL。0.100 mol L-1 K3Fe(CN)6水溶液儲備液。實(shí)驗中每組學(xué)員使用100 mL微量注射器依次注射適量體積的0.100 mol L-1 K3Fe(CN)6水溶液到30 mL的1.0 mol L-1 KNO3水溶液中,詳見如下4

11、.3.節(jié)。四、 實(shí)驗步驟4.1. 電極的預(yù)處理4.1.1. 將鉑片工作電極在#6金相砂紙上輕輕擦拭光亮,充分水洗,吹干備用。4.1.2. 鉛筆芯對電極用濾紙擦拭光亮備用。4.1.3. 檢查KCl飽和甘汞電極的內(nèi)參比溶液(飽和KCl水溶液)的液面高度,要求內(nèi)參比溶液與內(nèi)參比電極連通。4.2. 儀器開機(jī)、硬件測試和CV參數(shù)設(shè)定4.2.1. 打開計算機(jī),在指定文件夾“CV實(shí)驗”中,建立兩級子文件夾。建議以日期、姓名或?qū)W號來命名,如“D:CV實(shí)驗20060323愛因斯坦”。4.2.2. 打開CHI400電化學(xué)工作站。4.2.3. 打開CHI400軟件,鼠標(biāo)點(diǎn)擊運(yùn)行Setup中的Hardware Tes

12、t(如圖2),檢查儀器狀態(tài)是否正常。約1分鐘內(nèi)彈出硬件測試結(jié)果。儀器正常時,所有的數(shù)值均接近于零但不全等于零,并顯示OK。如顯示failed,說明儀器有問題。圖2. CHI電化學(xué)工作站 硬件測試.圖3. CV參數(shù)輸入.4.2.4. 運(yùn)行Setup/Techniques,選擇Cyclic Voltammetry。運(yùn)行Setup/Parameters,彈出Cyclic VoltammetryParameters窗口,參考如下窗口輸入有關(guān)參數(shù)(圖3):4.3 變濃度實(shí)驗4.3.1. 取1.0 mol L-1 KNO3水溶液30.0 mL加入到50 mL的干凈干燥燒杯中,套上大口徑燒杯以防止實(shí)驗中50

13、 mL燒杯的傾覆。插入WE、CE、RE到該KNO3水溶液中(RE接近WE,CE與WE面對面,電極間不能短路),按圖1將電極連接到電化學(xué)工作站。4.3.2. 運(yùn)行Control中的Open Circuit Potential(圖4),檢測儀器不施加電壓到電極上時(開路)WE相對與RE的開路電位,并記錄。圖4.開路電位測試。4.3.3. 點(diǎn)擊Control中的Run Experiment,運(yùn)行CV測試,以合適文件名保存CV測試結(jié)果,建議為CV0.bin。4.3.4. 使用100 mL微量注射器依次注射適量體積的0.100 mol L-1 K3Fe(CN)6水溶液到30 mL的1.0 mol L-1

14、 KNO3水溶液中,使得混合溶液中K3Fe(CN)6的濃度點(diǎn)(至少5個點(diǎn))落到2´10-4到5´10-2 mol L-1濃度區(qū)間,如2.00´10-4、5.00´10-4、8.00´10-4、2.00´10-3、5.00´10-3 mol L-1,學(xué)員自己計算需要加入的K3Fe(CN)6溶液精確體積。每注射一次溶液后,攪拌溶液使混合均勻,然后進(jìn)行4.3.2和4.3.3,以合適文件名保存CV測試結(jié)果,建議為CV0.2mM.bin、CV0.5mM.bin、CV2mM.bin等。列表記錄各濃度下的開路電位、峰電流、峰電位和峰電位間

15、距。4.3. 變掃速實(shí)驗在4.3.實(shí)驗結(jié)束后的溶液中,改變掃描速度(建議依次取5000, 2000, 1000, 500, 200, 100, 50, 20, 10 mV s-1),運(yùn)行CV測試,以合適文件名保存CV測試結(jié)果,建議為CV5000.bin、CV2000.bin、CV1000.bin等。列表記錄各掃速下的峰電流、峰電位、峰電位間距。五、 結(jié)果與討論鼓勵采用計算機(jī)處理數(shù)據(jù)。建議使用SigmaPlot科技繪圖軟件v2.0。5.1. 列表記錄前述開路電位、峰電流、峰電位和峰電位間距,注意盡量采用三線表。有K3Fe(CN)6的溶液中,開路電位反映了什么(提示:利用能斯特方程)5.2. 以某

16、一個循環(huán)伏安圖為例,指出在什么電位區(qū)間內(nèi)明顯發(fā)生陰極(還原)反應(yīng),什么電位區(qū)間明顯發(fā)生陽極(氧化)反應(yīng),并寫出有關(guān)半反應(yīng)方程式。5.3. 以陰極峰電流為縱坐標(biāo),濃度為橫坐標(biāo),作圖求出線性回歸方程和線性相關(guān)系數(shù)。將所得斜率值與表1中的Randle-Sevcik方程(可取文獻(xiàn)值D=6.5´10-6 cm2 s-1;自行測量電極投影面積A)的ip-c斜率值比較,并討論偏差原因。5.4. 以陰極峰電流為縱坐標(biāo),掃速平方根為橫坐標(biāo),作圖求出線性回歸方程和線性相關(guān)系數(shù),并計算Randle-Sevcik方程的ip- v1/2斜率值比較,并討論偏差原因。5.5. 在變掃速實(shí)驗中,選擇一個CV圖,粗略估算陰極反應(yīng)中有多少摩爾的K3Fe(CN)6在電極上被還原。提示:還原電流對時間積分(即估算還原電流區(qū)間相對于時間的面積)求出還原電量,再按照法拿第電解定律計算被還原的K3Fe(CN)6),并計算被還原的K3Fe(CN)6占整個溶液中K3Fe(CN)6總量的百分?jǐn)?shù)。是否掃速越慢,被還原的K3Fe(CN)6量越多?六、 注意事項6.1. 電化學(xué)實(shí)驗中電極預(yù)處理非常重要。電極一定要處理干凈,使得實(shí)驗中K3Fe(CN)6體系的峰峰電位差接近其理論值(56.5 mV),否則誤差較大

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