1、第四章 晶體二極管與晶體三極管本章概述：晶體管是采用半導體晶體材料（如硅、鍺、砷化鎵等）制成的，在電子產品中應用十分廣泛。本章從二、三極管的型號、分類、外形識別及檢測等多個方面，對常用二、三極管進行了較為詳細和系統的講解。第一節 晶體二極管和晶體三極管的型號命名方法一、 中華人民共和國國家標準（GB249-74）國標（GB249-74）半導體器件型號命名由五部分組成，見表4-1。表4-1 國標半導體器件型號命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數字表示器件電極數目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類型用數字表示器件的序號漢語拼音字母表示規格號符號意義符號意義

2、符號意義符號意義2二極管AN型鍺材料P普通管D低頻大功率管BP型鍺材料V微波管A高頻大功率管CN型硅材料W穩壓管T半導體閘流管DP型硅材料C參量管X低頻小功率管Z整流管G高頻小功率管3三極管APNP型鍺材料L整流堆J階躍恢復管BNPN型鍺材料S隧道管CS場效應管CPNP型硅材料N阻尼管BT特殊器件DNPN型硅材料U光電器件FH復合管E化合物材料K開關管PINPIN管B雪崩管JG激光器件Y體效應管備注低頻小功率管指截止頻率3MHZ、耗散功率1W，高頻小功率管指截止頻率3MHZ、耗散功率1W，低頻大功率管指截止頻率3MHZ、耗散功率1W，高頻大功率管指截止頻率3MHZ、耗散功率1W。例如：鍺PNP

3、高頻小功率管為3AG11C，即（三極管）（PNP型鍺材料）（高頻小功率管）（序號）（規格號）二、美國電子半導體協會半導體器件型號命名法表4-2 美國電子半導體協會半導體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符號表示用途的類別用數字表示PN結的數目美國電子半導體協會（EIA）注冊標志美國電子半導體協會（EIA）登記順序號用音字母表示器件分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN或J軍用品1二極管N該器件已在美國電子半導體協會登記順序號多位數字該器件已在美國電子半導體協會登記順序號ABCD同一型號不同檔別2三極管無非軍用品33個PN結器件4N個PN結器件三、日本半導體器件

4、型號命名方法表4-3 日本半導體器件型號命名方法第一部分：器件類型或有效電極數第二部分：日本電子工業協會注冊產品第三部分：類別第四部分：登記序號第五部分：產品改進序號數字含義字母含義字母含義用兩位以上的整數表示在日本電子工業協會注冊登記的、順序號用字母A、B、C、D表示 對原來型號的改進0光敏二極管、晶體管或其組合管S表示已在日本電子工業協會（JEIA）注冊登記的半導體分立器件APNP型高頻管BPNP型低頻管CNPN型高頻管DNPN型低頻管1二極管FP門極晶閘管2三極管或具有兩個pn結的其他器件GN門極晶閘管3具有四個有效電極或具有三個PN結的晶體管HN基極單結晶體管JP溝道場效應管KN溝道場

5、效應管M雙向晶閘管第二節 半導體器件的外形識別一、晶體二極管的外形識別1.晶體二極管的結構與特性定義：晶體二極管由一個PN結加上引出線和管殼構成。所以，二極管實際就是一個PN結。電路圖中文字表示符號為用V表示。基本結構：PN結加上管殼和引線，就成為了半導體二極管。圖4-1 二極管的結構和電路符號二極管最主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線如圖4-2所示。1）正向特性當加在二極管兩端的正向電壓（P為正、N為負）很小時（鍺管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不導通，處于“截止”狀態，當正向電壓超過一定數值后，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線I段）。不同材料的二極管，起始電壓不

6、同，硅管為0.5-0.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右。2）反向特性二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線II段)。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅管約為1微安到幾十微安，鍺管則可高達數百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩定性比硅管差。3）擊穿特性當反向電壓增加到某一數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1伏到幾百伏，甚至高達數千伏。圖4-2 晶體二極管伏安特性曲線2.晶體二極管的分類與圖

7、集 按材料分為兩種：一是硅二極管，二是鍺二極管。按制作工藝分為面接觸二極管和點接角二極管。按用途分類有整流二極管、檢波二極管、發光二極管、穩壓二極管、光敏（光電）二極管、開關二極管和快恢復二極管。（1）檢波用二極管就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。1.檢波二極管 2.老檢

8、波二極管 3.檢波二極管1n6 4.貼片檢波二極管5.玻璃管封裝的檢波二極管 6.檢波二極管LL1N60P 7.檢波二極管 8.AP系列檢波二極管 9.2AP9檢波二極管 10.高頻檢波二極管11.貼片檢波二極管LL60P 12.檢波二極管13.檢波二極管 14.高頻檢波二極管2AP30D (鍺) 15.小信號檢波二極管圖4-3 檢波用二極管圖集（2）整流用二極管就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。分類如下：硅半導體整流二極管2CZ型、硅橋式整流器QL型、用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

9、 1.整流二極管 2.整流二極管（1N4007）3.整流二極管6A10 4.肖特基勢壘整流二極管 5.整流二極管6.發電機整流二極管 7.整流二極管 8.貼片整流二極管 9.整流二極管（SMA）10.整流二極管 11. 貼片整流二極管 12.整流二極管 13.整流二極 14.整流二極管圖4-4整流用二極管（3）限幅用二極管大多數二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯起來形成一個整體。 1.限幅元件二極管 2.智針限幅二極管 4.二極管(開關,限幅)圖4-5限幅用二極管

10、（4）調制用二極管通常指的是環形調制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。 1.調制二極管 2.點接觸型調制二極管 3.點接觸型調制二極管圖4-6調制用二極管（5）混頻用二極管使用二極管混頻方式時，在50010,000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。 1.點接觸混頻二極管 2.微波混頻二極管圖4-7 混頻用二極管（6）開關用二極管有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。

11、2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。 1.開關二極管 2.貼片開關二極管 3. 開關二極管 4.開關二極管 5.玻璃開關二極管 6.開關二極管 7.高速開關二極管圖4-8 開關用二極管 （7）變容二極管 用于自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。通過施加反向電壓，結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。圖4-10 變容二極管電路符號及常見外形 1.變容二極管BB91

12、0 2.變容二極管 3.變容二極管BB182 4.貼片變容二極管圖4-11 變容二極管貼片變容二極管變容二極管BB910變容二極管BB910變容二極管BB910變容二極管BB910 （8）穩壓二極管是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。工作在反向擊穿狀態，硅材料制作，動態電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。 穩壓二極管(LLZ22V0LLZ56V1.穩壓二極管 2.穩壓二極管 3.直插式穩壓二極管TCLLZ22V0TCLLZ56V 系列（1N4728-1N4764） 穩壓二極管穩壓二極管 4.穩壓二極管 5.穩壓二

13、極管 6.貼片穩壓二極管圖4-12 穩壓二極管（9）雪崩二極管 (Avalanche Diode)它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。也叫齊納二極管。1.雪崩二極管 2.雪崩二極管 3.雪崩二極管apd 4.雪崩光電二極管 5.增強型半穿透雪崩二極管 6.硅雪崩二極管1.5KE100 7.tvs雪崩二極管 8.雪崩光電二極管 9.雪崩硅光電二極管 10.雪崩二極管圖4-13 雪崩二極管(10) 快速關斷（階躍恢復）二極管 (Step Recovary Diode)它也是一種具有PN結的二極管。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢

14、復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。 1.SF56超快恢復二極管 2. 貼片快恢復二極管圖4-14 快速關斷（階躍恢復）二極管（11）肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性金屬半導體的二極管。其正向起始電壓較低。它是高頻和快速開關的理想器件。并且，MIS（金屬絕緣體半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。1.肖特基二極管 2.肖特基二極管 3.肖特基二極管 MBR10100 1N60和1N60P 10SQ050 4.肖特基二極管 5.貼片肖特基二極管SS14 6.肖特基二極管MBRS240LT3G MBRF10100CT 7.肖特基二極

15、管 8.肖特基二極管 9.肖特基二極管600MA DC-DC升壓IC TC2V4C-TC20VC C83-004圖4-14 肖特基二極管(12) 阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。 1.原裝阻尼二極管 2.海爾寬屏高清彩電阻尼二極管 3.阻尼二極管FMP-G2FS F60B150DS 4.阻尼二極管,飛利浦 5.阻尼二極管 6.RH2F 高校快恢復阻尼二極管BY228，3A1400V圖4-15 阻尼二極管(13)雙基極二極管（單結晶體管）兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度

16、穩定性好等優點。 1.單結晶體管BT33 2.單結晶體管圖4-15雙基極二極管（單結晶體管）(14)發光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。1.發光二極管 2.發光二極管 3.四腳三色七彩LED發光二極管 4.高亮白光LED 5.發光二極管 6.光二極管（LED） 7.直插LED發光二極管發光二極管 8.發光二極管 9.發光二極管 10.發光二極管 11.發光二極管 12.發光二極管 13.LED發光二極管 14.發光二極管 15.發光二極管圖4-16 發光二極管(15) Z310半導體發光器件：LED數碼管常

17、用的LED數碼管如圖T310(a)所示。它是利用發光二極管的制造工藝，由7個條狀管芯 和一個點狀管芯的發光二極管制成。LED數碼管有兩種不同的結構形式，其等效電路分別如圖T311所示。各段發光二極管的陽極連在一起作為公共端，因此稱為共陽極數碼管。工作時應當將陽極連電源正極，各驅動輸入端通過限流電阻接相應的譯碼驅動器的輸出。當譯碼驅動器的輸出為低電平時，數碼管相應的段變亮。圖4-17 LED數碼管二、晶體三極管的外形識別1. 晶體三極管的分類(1).符號： “Q、VT”圖4-18三極管符號三極管有三個電極，即b、c、e，其中c為集電極（輸入極）、b為基極（控制極）、e為發射極（輸出極）。三極管實

18、物圖： 貼片三極管功率三極管 普通三極管金屬殼三極管 圖4-19 三極管實物圖二、三級管的分類：半導體三極管也稱雙極型晶體管,晶體三極管,簡稱三極管,是一種電流控制電流的半導體器件.作用：把微弱信號放大成輻值較大的電信號, 也用作無觸點開關.三極管的分類：晶體三極管的種類很多，分類方法也有多種。下面按用途、頻率、功率、材料等進行分類。 1)按材料和極性分有硅材料的NPN與PNP三極管.鍺材料的NPN與PNP三極管。 2)按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關管、高反壓管、達林頓管、帶阻尼的三極管等。3)按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。4)按工作頻率

19、分有低頻三極管、高頻三極管和超高頻三極管。5)按制作工藝分有平面型三極管、合金型三極管、擴散型三極管。6)按外形封裝的不同可分為金屬封裝三極管、玻璃封裝三極管、陶瓷封裝三極管、塑料封裝三極管等。2. 晶體三極管圖集1.3du5c光敏三極管 2.3dd15d三極管 3.光敏三極管 . 4.SPS13003三極管5.貼片三極管 6.紅外光敏三極管 7.TIP41C三極管 8. IRFP250N三極管9.3DD21B大功率晶體 10.10BU102三極管 11. 達林頓三極管 12.13007 大功率三極管13.插件三極管 14. 光敏三極管 15.光敏三極管 16.塑封直插三極管17.0.83芯片

20、三極管 18.中高頻放大三極管19.2SC系列大功率三極管20.13003開關三極管21.C945晶體三極管 22.貼片三極管 23.3CA1B高頻晶體 24.C2230A晶體三極管25.3DG12B晶體三極管26. 2SC3858大功率 27.C5905 28.CD55129.三極管C39 30.C2335晶體三極管31.3AX81A-C鍺三極32.B817大功率晶體三極33.3DG182C晶體三極 34.3DD102B三極 35.開關三極管 36. 貼片三極管圖4-20 三極管實物圖第三節 半導體器件的參數一、晶體二極管的參數描述二極管特性的物理量稱為二極管的參數，它是反映二極管電性能的質

21、量指標，是合理選擇和使用二極管的主要依據。在半導體器件手冊或生產廠家的產品目錄中，對各種型號的二極管均用表格列出其參數。二極管的主要參數有以下幾種：1最大平均整流電流IF（AV） IF（AV）是指二極管長期工作時，允許通過的最大正向平均電流。它與PN結的面積、材料及散熱條件有關。實際應用時，工作電流應小于IF（AV），否則，可能導致結溫過高而燒毀PN結。2最高反向工作電壓VRM VRM是指二極管反向運用時，所允許加的最大反向電壓。實際應用時，當反向電壓增加到擊穿電壓VBR時，二極管可能被擊穿損壞，因而，VRM通常取為（1/2 2/3）VBR。3反向電流IR IR是指二極管未被反向擊穿時的反向電

22、流。理論上IR= IR（sat），但考慮表面漏電等因素，實際上IR稍大一些。IR愈小，表明二極管的單向導電性能愈好。另外，IR與溫度密切相關，使用時應注意。4最高工作頻率fM fM是指二極管正常工作時，允許通過交流信號的最高頻率。實際應用時，不要超過此值，否則二極管的單向導電性將顯著退化。fM的大小主要由二極管的電容效應來決定。5二極管的電阻 就二極管在電路中電流與電壓的關系而言，可以把它看成一個等效電阻，且有直流電阻與交流電阻之別。（1）直流等效電阻RD 直流電阻定義為加在二極管兩端的直流電壓UD與流過二極管的直流電流ID之比，即 （41） RD的大小與二極管的工作點有關。通常用萬用表測出來

23、的二極管電阻即直流電阻。不過應注意的是，使用不同的歐姆檔測出來的直流等效電阻不同。其原因是二極管工作點的位置不同。一般二極管的正向直流電阻在幾十歐姆到幾千歐姆之間，反向直流電阻在幾十千歐姆到幾百千歐姆之間。正反向直流電阻差距越大，二極管的單向導電性能越好。（2）交流等效電阻rdrd亦隨工作點而變化，是非線性電阻。通常，二極管的交流正向電阻在幾幾十歐姆之間。 需要指出的是，由于制造工藝的限制，即使是同類型號的二極管，其參數的分散性很大。通常半導體手冊上給出的參數都是在一定測試條件下測出的，使用時應注意條件。二、晶體三極管的參數1、共射電流放大系數和在共射極放大電路中，若交流輸入信號為零，則管子各

24、極間的電壓和電流都是直流量，此時的集電極電流IC和基極電流IB的比就是 ， 稱為共射直流電流放大系數。當共射極放大電路有交流信號輸入時，因交流信號的作用，必然會引起IB的變化，相應的也會引起IC的變化，兩電流變化量的比稱為共射交流電流放大系數，即 （42）上述兩個電流放大系數和的含義雖然不同，但工作在輸出特性曲線放大區平坦部分的三極管，兩者的差異極小，可做近似相等處理，故在今后應用時，通常不加區分，直接互相替代使用。由于制造工藝的分散性，同一型號三極管的值差異較大。常用的小功率三極管，值一般為20100。過小，管子的電流放大作用小，過大，管子工作的穩定性差，一般選用在4080之間的管子較為合適

25、。2、極間反向飽和電流ICBO和ICEO （1）集電結反向飽和電流ICBO是指發射極開路，集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量級，通常可忽略。（2）集電極-發射極反向電流ICEO是指基極開路時，集電極與發射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩定性好。3、極限參數（1）集電極最大允許電流ICM晶體管的集電極電流IC在相當大的范圍內值基本保持不變，但當IC的數值大到一定程度時，電流放大系數值將下降。使明顯減少的IC即為ICM。為了使三極管在放大電路中能正常工作，IC不應超過ICM。圖4-21 三極管輸出伏安特

26、性（2）集電極最大允許功耗PCM晶體管工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量，產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗PCM，即PCM=ICUCE功耗與三極管的結溫有關，結溫又與環境溫度、管子是否有散熱器等條件相關。根據5-7式可在輸出特性曲線上作出三極管的允許功耗線，如圖5-8所示。功耗線的左下方為安全工作區，右上方為過損耗區。（3）反向擊穿電壓UBR（CEO）反向擊穿電壓UBR（CEO）是指基極開路時，加在集電極與發射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓UCEUBR（CEO），集電極電流IC將急劇增大，這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極管永久性的損壞。三極管電路在電源EC的值選得過

27、大時，有可能會出現，當管子截止時，UCEUBR（CEO）導致三極管擊穿而損壞的現象。一般情況下，三極管電路的電源電壓EC應小于1/2 UBR（CEO）。4、溫度對三極管參數的影響幾乎所有的三極管參數都與溫度有關，因此不容忽視。溫度對下列的三個參數影響最大。（1）對的影響：三極管的隨溫度的升高將增大，溫度每上升l，值約增大0.51，其結果是在相同的IB情況下，集電極電流IC隨溫度上升而增大。（2）對反向飽和電流ICEO的影響：ICEO是由少數載流子漂移運動形成的，它與環境溫度關系很大，ICEO隨溫度上升會急劇增加。溫度上升10，ICEO將增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，溫度對硅管ICEO

28、的影響不大。（3）對發射結電壓ube的影響：和二極管的正向特性一樣，溫度上升1，ube將下降22.5mV。綜上所述，隨著溫度的上升，值將增大，iC也將增大，uCE將下降，這對三極管放大作用不利，使用中應采取相應的措施克服溫度的影響。第四節 半導體器件的檢測一、晶體二極管的檢測1檢測小功率晶體二極管A判別正、負電極(a)觀察外殼上的的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。印有色環的一端為負。(b)觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環，帶色環的一端則為負極。(

29、c)以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。 (d)數字萬用表的二極管擋也可測量，好的二極管其正向導通壓降，硅管一般在0.7V左右，鍺二極管一般在0.3V左右，在顯示該電壓情況下，紅表筆為二極管的正極。B檢測最高工作頻率fM。晶體二極管工作頻率，除了可從有關特性表中查閱出外，實用中常常用眼睛觀察二極管內部的觸絲來加以區分，如點接觸型二極管屬于高頻管，面接觸型二極管多為低頻管。另外，也可以用萬用表R1k擋進行測試，一般正向電阻小于1K的多為高頻管。C檢測最高反向擊穿電壓VRM。對于交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。需

30、要指出的是，最高反向工作電壓并不是二極管的擊穿電壓。一般情況下，二極管的擊穿電壓要比最高反向工作電壓高得多(約高一倍)。2檢測玻封硅高速開關二極管檢測硅高速開關二極管的方法與檢測普通二極管的方法相同。不同的是，這種管子的正向電阻較大。用R1k電阻擋測量，一般正向電阻值為5K10K，反向電阻值為無窮大。3檢測快恢復、超快恢復二極管用萬用表檢測快恢復、超快恢復二極管的方法基本與檢測塑封硅整流二極管的方法相同。即先用R1k擋檢測一下其單向導電性，一般正向電阻為45K左右，反向電阻為無窮大。4檢測雙向觸發二極管A將萬用表置于R1K擋，測雙向觸發二極管的正、反向電阻值都應為無窮大。若交換表筆進行測量，萬

31、用表指針向右擺動，說明被測管有漏電性故障。將萬用表置于相應的直流電壓擋。測試電壓由兆歐表提供。測試時，搖動兆歐表，萬用表所指示的電壓值即為被測管子的VBO值。然后調換被測管子的兩個引腳，用同樣的方法測出VBR值。最后將VBO與VBR進行比較，兩者的絕對值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。5瞬態電壓抑制二極管(TVS)的檢測A用萬用表R1K擋測量管子的好壞對于單極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4K左右，反向電阻為無窮大。對于雙向極型的TVS，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。6高頻變阻二

32、極管的檢測A識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極管相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環的一端為正極。B測量正、反向電阻來判斷其好壞具體方法與測量普通二極管正、反向電阻的方法相同，當使用500型萬用表R1k擋測量時，正常的高頻變阻二極管的正向電阻為5K55K，反向電阻為無窮大。7變容二極管的檢測將萬用表置于R10k擋，無論紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已

33、經擊穿損壞。對于變容二極管容量消失或內部的開路性故障，用萬用表是無法檢測判別的。必要時，可用替換法進行檢查判斷。8單色發光二極管的檢測在萬用表外部附接一節15V干電池，將萬用表置R10或R100擋。這種接法就相當于給萬用表串接上了15V電壓，使檢測電壓增加至3V(發光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發光，此時，黑表筆所接的為正極，紅表筆所接的為負極。9紅外發光二極管的檢測A判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電

34、極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。B將萬用表置于R1K擋，測量紅外發光二極管的正、反向電阻，通常，正向電阻應在30K左右，反向電阻要在500K以上，這樣的管子才可正常使用。要求反向電阻越大越好。10紅外接收二極管的檢測A識別管腳極性(a)從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時，面對受光窗口，從左至右，分別為正極和負極。另外，在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極，另一端為正極。(b)將萬用表置于R1K擋，用來判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一

35、小。以阻值較小的一次為準，紅表筆所接的管腳為負極，黑表筆所接的管腳為正極。B檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。11激光二極管的檢測A將萬用表置于R1K擋，按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以檢測正向電阻時，萬用表指針僅略微向右偏轉而已，而反向電阻則為無窮大。二、晶體三極管的檢測1.中、小功率三極管的檢測a.已知型號和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞：(a)測量極間電阻。將萬用表置于r100或r1k

36、擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進行測試。其中，發射結和集電結的正向電阻值比較低，其他四種接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。(b)三極管的穿透電流iceo的數值近似等于管子的倍數和集電結的反向電流icbo的乘積。icbo隨著環境溫度的升高而增長很快，icbo的增加必然造成iceo的增大。而iceo的增大將直接影響管子工作的穩定性，所以在使用中應盡量選用iceo小的管子。通過用萬用表電阻直接測量三極管ec極之間的電阻方法，可間接估計iceo的大小，具體方法如下：萬用表電阻的量程一般選用r100或r1k擋，對

37、于pnp管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于npn型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。ec間的阻值越大，說明管子的iceo越小；反之，所測阻值越小，說明被測管的iceo越大。一般說來，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測試時萬用表指針來回晃動，則表明iceo很大，管子的性能不穩定。(c)測量放大能力()。目前有些型號的萬用表具有測量三極管hfe的刻度線及其測試插座，可以很方便地測量三極管的放大倍數。將量程開關撥到hfe位置，并使兩短接的表筆分開，把被測三極管插入測試插座，即可從hfe刻度線上讀出管子的放大倍數。

38、另外：有此型號的中、小功率三極管，生產廠家直接在其管殼頂部標示出不同色點來表明管子的放大倍數值，其顏色和值的對應關系如表所示，但要注意，各廠家所用色標并不一定完全相同。b檢測判別電極(a)判定基極。用萬用表r100或r1k擋測量三極管三個電極中每兩個極之間的正、反向電阻值。當用第一根表筆接某一電極，而第二表筆先后接觸另外兩個電極均測得低阻值時，則第一根表筆所接的那個電極即為基極b。這時，要注意萬用表表筆的極性，如果紅表筆接的是基極b。黑表筆分別接在其他兩極時，測得的阻值都較小，則可判定被測三極管為pnp型管；如果黑表筆接的是基極b，紅表筆分別接觸其他兩極時，測得的阻值較小，則被測三極管為npn型管。(b)判定集電極c和發射極e。(以pnp為例)將萬用表置于r100或r1k擋，紅表筆基極b，用黑表筆分別接觸另外兩個管腳時，所測得的兩個電阻值會是一個大一些，一個小一些。在阻值小的一次測量中，黑表筆所接管腳為集電極；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接管腳為發射極。c判別高頻管與低頻管 高頻管的截止頻率大于3MHz，而低頻管的截止頻率則小于3MHz，一