1、第三章 雙極結(jié)型晶體管填空題1、晶體管的基區(qū)輸運系數(shù)是指（基區(qū)中到達集電結(jié)的少子）電流與（發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子 ）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會發(fā)生（ 擴散   ），從而使基區(qū)輸運系數(shù)（  變大    ）。為了提高基區(qū)輸運系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（ 小于     ）基區(qū)少子擴散長度。2、晶體管中的少子在渡越（    ）的過程中會發(fā)生（    ），從而使到達集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（

2、  ）。3、晶體管的注入效率是指（                        ）電流與（          ）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（    ）區(qū)摻雜濃度遠大于（    ）區(qū)摻雜濃度。4、晶體管

3、的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（正  ）偏、集電結(jié)（ 零 ）偏時的（ 集電結(jié)     ）電流與（   發(fā)射結(jié)  ）電流之比。5、晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（ 發(fā)射   ）結(jié)正偏、（ 集電   ）結(jié)零偏時的（ 集電結(jié)     ）電流與（ 基區(qū) ）電流之比。6、在設(shè)計與制造晶體管時，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（  

4、  ）基區(qū)寬度，（    ）基區(qū)摻雜濃度。7、某長方形薄層材料的方塊電阻為100，長度和寬度分別為300m和60m，若要獲得1k的電阻，則該材料的長度應(yīng)改變?yōu)椋?#160; 600m    ）。8、在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會產(chǎn)生一個（        ），它對少子在基區(qū)中的運動起到（    ）的作用，使少子的基區(qū)渡越時間（    ）。9、小電流時會（    ）

5、。這是由于小電流時，發(fā)射極電流中（                      ）的比例增大，使注入效率下降。10、發(fā)射區(qū)重摻雜效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時，不但不能提高（        ），反而會使其（    ）。造成發(fā)射區(qū)重摻雜效應(yīng)的原因是（   

6、0;    ）和（            ）。11、在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（  ）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（          ）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。12、當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（    ）。但實際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（ 

7、60;  ），這稱為（            ）效應(yīng)。13、當(dāng)集電結(jié)反偏增加時，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（    ），使基區(qū)寬度（    ），從而使集電極電流（    ），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即厄爾利效應(yīng)）。14、IES是指（集電 ）結(jié)短路、（ 發(fā)射）結(jié)反偏時的（發(fā)射 ）極電流。15、ICS是指（發(fā)射 ）結(jié)短路、（集電 ）結(jié)反偏時的（集電 ）極電流。

8、16、ICBO是指（ 發(fā)射）極開路、（集電 ）結(jié)反偏時的（共基極反向截止）極電流。17、ICEO是指（ 基   ）極開路、（集電結(jié)）結(jié)反偏時的（共發(fā)射極反向截止    ）極電流。18、IEBO是指（ 集電   ）極開路、（ 發(fā)射   ）結(jié)反偏時的（共基    ）極電流。19、BVCBO是指（ 發(fā)射   ）極開路、（    ）結(jié)反偏，當(dāng)（  Icbo

9、   ）時的VCB。20、BVCEO是指（ 基   ）極開路、（    ）結(jié)反偏，當(dāng)（ Iceo   ）時的VCE。21、BVEBO是指（集電    ）極開路、（    ）結(jié)反偏，當(dāng)（  Iebo  ）時的VEB。22、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（    ）全部占據(jù)時，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（   

10、; ）基區(qū)寬度、（    ）基區(qū)摻雜濃度。23、比較各擊穿電壓的大小時可知，BVCBO（ 大于   ）BVCEO ，BVCBO（ 遠遠大于   ）BVEBO。24、隨著信號頻率的提高，晶體管的, 的幅度會（ 減小   ），相角會（ 滯后   ）。25、在高頻下，基區(qū)渡越時間b對晶體管有三個作用，它們是：（            

11、      ）、（                    ）和（                        ）。26、基區(qū)渡越

12、時間b是指（                            ）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時，基區(qū)渡越時間增大到原來的（  ）倍。27、晶體管的共基極電流放大系數(shù)|隨頻率的（ 減小   ）而下降。當(dāng)晶體管的|下降到（  0    ）時的頻率，稱

13、為的截止頻率，記為（ fa ）。28、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)|隨頻率的（    ）而下降。當(dāng)晶體管的|下降到0時的頻率，稱為的（        ），記為（  ）。29、當(dāng)f>>f時，頻率每加倍，晶體管的|降到原來的（    ）；最大功率增益Kpmax降到原來的（    ）。30、當(dāng)（    ）降到1時的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)（ Kp  

14、）降到1時的頻率稱為最高振蕩頻率fM。31、當(dāng)|降到（1  ）時的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)Kpmax降到（1  ）時的頻率稱為最高振蕩頻率fM。32、晶體管的高頻優(yōu)值M是（        ）與（        ）的乘積。33、晶體管在高頻小信號應(yīng)用時與直流應(yīng)用時相比，要多考慮三個電容的作用，它們是（            ）電容

15、、（            ）電容和（            ）電容。34、對于頻率不是特別高的一般高頻管，ec中以（  ）為主，這時提高特征頻率fT的主要措施是（            ）。35、為了提高晶體管的最高振蕩頻率fM ，應(yīng)當(dāng)使特征頻率fT（

16、60;   ），基極電阻rbb'（    ），集電結(jié)勢壘電容CTC（    ）。問答與計算題1、畫出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時的少子分布圖。2、畫出共基極放大區(qū)晶體管中各種電流的分布圖，并說明當(dāng)輸入電流Ie經(jīng)過晶體管變成輸出電流IC時，發(fā)生了哪兩種虧損？3、倒向晶體管的電流放大系數(shù)為什么小于正向晶體管的電流放大系數(shù)？6、先畫出雙極晶體管的理想的共發(fā)射極輸出特性曲線圖，并在圖中標(biāo)出飽和區(qū)與放大區(qū)的分界線，然后再分別畫出包括厄爾利效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象的共發(fā)射極輸出特性曲線圖。7、什么是

17、雙極晶體管的特征頻率fT？寫出fT的表達式，并說明提高fT的各項措施。8、寫出組成雙極晶體管信號延遲時間ec的4個時間的表達式。其中的哪個時間與電流Ie有關(guān)？這使fT隨Ie的變化而發(fā)生怎樣的變化？9、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻率fM？寫出fM的表達式，說明提高fM的各項措施。12、某均勻基區(qū)晶體管的WB = 2m, LB = 10m，試求此管的基區(qū)輸運系數(shù)*之值。若將此管的基區(qū)摻雜改為指數(shù)分布，場因子=6，則其*變?yōu)槎嗌伲?3、某均勻基區(qū)NPN晶體管的WB = 2m, NB=1017cm-1, DB = 18cm2s-1, B=5×107 s，試求該管的基區(qū)輸運系數(shù)*之值。又當(dāng)在該

18、管的發(fā)射結(jié)上加0.6V的正向電壓，集電結(jié)短路時，該管的JnE和JnC各為多少？15、某雙極型晶體管的RB1= 1000, RE= 5，基區(qū)渡越時間b=109 s ,當(dāng)IB = 0.1mA時, IC = 10mA，求該管的基區(qū)少子壽命b。16、某晶體管的基區(qū)輸運系數(shù)* =0.99，注入效率=0.97，試求此管的與。當(dāng)此管的有源基區(qū)方塊電阻RB1乘以3，其余參數(shù)均不變時，其與變?yōu)槎嗌伲?7、某雙極型晶體管當(dāng)IB1 = 0.05mA時測得IC1 = 4mA，當(dāng)IB2 = 0.06mA時測得IC2 = 5mA，試分別求此管當(dāng)IC = 4mA時的直流電流放大系數(shù)與小信號電流放大系數(shù)O 。18、某緩變基區(qū)

19、NPN晶體管的BVCBO = 120V，=81，試求此管的BVCEO。21、某高頻晶體管的f=5MHz，當(dāng)信號頻率為f=40MHz時測得其|=10，則當(dāng)f=80MHz時|為多少？該管的特征頻率fT為多少？該管的0為多少？22、某高頻晶體管的0=50，當(dāng)信號頻率f為30MHz時測得|=5，求此管的特征頻率fT，以及當(dāng)信號頻率f分別為15MHz和60MHz時的|之值。23、某高頻晶體管的基區(qū)寬度WB=1m，基區(qū)渡越時間b= 2.7× 10-10s, fT=550MHz。當(dāng)該管的基區(qū)寬度減為0.5m，其余參數(shù)都不變時，fT變?yōu)槎嗌伲?7、某晶體管當(dāng)IB1 = 0.05mA時測得IC1 =

20、4mA，當(dāng)IB2 = 0.06mA時測得IC2 = 5mA，試分別求此管當(dāng)IC = 4mA時的直流電流放大系數(shù)與增量電流放大系數(shù)0 。28、已知某硅NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB = 2m，基區(qū)摻雜濃度nB = 5× 1016cm-3，基區(qū)少子壽命tB = 1s，基區(qū)少子擴散系數(shù)DB = 15cm2s-1，以及從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流密度JnE = 0.1A/cm2。試計算基區(qū)中靠近發(fā)射結(jié)一側(cè)的非平衡少子電子濃度nB(0)、發(fā)射結(jié)電壓VBE和基區(qū)輸運系數(shù)* 。29、已知某硅NPN緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB = 0.5m，基區(qū)少子擴散系數(shù)DB = 20cm2s-1，基區(qū)自建場因

21、子 = 20，試計算該晶體管的基區(qū)渡越時間tb 。33、在N型硅片上經(jīng)硼擴散后，得到集電結(jié)結(jié)深xjc = 2.1m，有源基區(qū)方塊電阻RB1 = 800，再經(jīng)磷擴散后，得發(fā)射結(jié)結(jié)深xje = 1.3m，發(fā)射區(qū)方塊電阻Re = 10。設(shè)基區(qū)少子壽命tB = 10-7s，基區(qū)少子擴散系數(shù)DB = 15cm2s-1，基區(qū)自建場因子 = 8，試求該晶體管的電流放大系數(shù)與分別為多少？35、已知某硅NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB = 2.5m，基區(qū)摻雜濃度nB = 1017cm-3，集電區(qū)摻雜濃度nC = 1016cm-3，試計算當(dāng)VCB = 0時的厄爾利電壓VA的值。第五章 絕緣柵場效應(yīng)晶體管填空題1

22、、N溝道MOSFET的襯底是（  ）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（  ）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（    ）。2、P溝道MOSFET的襯底是（  ）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（  ）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（    ）。3、當(dāng)VGS=VT時，柵下的硅表面發(fā)生（      ），形成連通（  ）區(qū)和（  ）區(qū)的導(dǎo)電溝道，在VDS的作用下產(chǎn)生漏極電流。4、N溝道MOSFET中，VGS越大，則溝道中的電子就越（  ），溝道電阻就越

23、（  ），漏極電流就越（  ）。5、在N溝道MOSFET中，VT>0的稱為增強型，當(dāng)VGS=0時MOSFET處于（    ）狀態(tài)；VT<0的稱為耗盡型，當(dāng)VGS=0時MOSFET處于（    ）狀態(tài)。6、由于柵氧化層中通常帶（  ）電荷，所以（  ）型區(qū)比（  ）型區(qū)更容易發(fā)生反型。7、要提高N溝道MOSFET的閾電壓VT ，應(yīng)使襯底摻雜濃度nA（    ），使柵氧化層厚度Tox（    ）。8、N溝道MOSFET

24、飽和漏源電壓VDsat的表達式是（             ）。當(dāng)VDS>=VDsat時，MOSFET進入（    ）區(qū)，漏極電流隨VDS的增加而（    ）。9、由于電子的遷移率n比空穴的遷移率p（  ），所以在其它條件相同時，（  ）溝道MOSFET的IDsat比（  ）溝道MOSFET的大。為了使兩種MOSFET的IDsat相同，應(yīng)當(dāng)使N溝道MOSFET的溝道寬度（ 

25、;   ）P溝道MOSFET的。10、當(dāng)N溝道MOSFET的VGS<VT時，MOSFET（    ）導(dǎo)電，這稱為（      ）導(dǎo)電。11、對于一般的MOSFET，當(dāng)溝道長度加倍，而其它尺寸、摻雜濃度、偏置條件等都不變時，其下列參數(shù)發(fā)生什么變化：VT（    ）、IDsat（    ）、Ron（    ）、gm（    ）。12、由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（  ）于

26、溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（    ）區(qū)擴展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（    ）。13、MOSFET的跨導(dǎo)gm的定義是（           ），它反映了（      ）對（      ）的控制能力。14、為提高跨導(dǎo)gm的截止角頻率gm，應(yīng)當(dāng)（    ），（    ）L，（    ）VGS。問答與計算題1、畫出MOSFET的結(jié)構(gòu)圖和輸出特性曲線圖，并簡要敘述MOSFET的工作原理。2、什么是MOSFET的閾電壓VT？寫出VT的表達式，并討