1、廣東職業技術學院畢業綜合實踐報告 題 目：鏡片加工技術及發展趨勢專 業： 機電一體化 班 級： 機電142班 學生姓名： 曾和平 指導教師： 王勇 完成時間： 2017年03月09日宋體四號，2倍行距，其中“類型”根據論文可為“設計類或研究類或調研類”摘 要(宋體3號加粗居中) 鏡片的加工技術，主要被分為：熱加工、冷加工和特種加工三種。熱加工當前多采用于光學零件的坯料備制； 冷加工主要是以散粒磨料或固著磨料進行鋸切、粗磨、精磨、拋光和定心磨邊。特種加工僅改變拋光表面的性能，而不改變光學零件的形狀和尺寸，它包括鍍膜、刻度、照相和膠合等。粗磨（切削）工序：是去除鏡片表面凹凸不平的氣泡和雜質,起到成

2、型作用.精磨（粗磨）工序：是將銑磨出來的鏡片將其的破壞層給消除掉,固定R值.值拋光（精磨）工序：是使零件表面光亮并達到要求的光學精度。定心工序：是相對于光軸加工透鏡的外圓。膠合工序：是將不同的光學零部件膠合在一起，使其能夠達到光軸重合或按一定方向轉折。球面光學零件現行加工技術三大基本工序為：1、范成法原理的銑磨（切削-國內叫“粗磨”，國外叫NCG，為英文“球面創成”之縮寫）2、壓力轉移原理的高速粗磨3、壓力轉移原理的高速拋光。空行為小4號，空2行空行為小4號，空3行關鍵詞：宋體小4號加粗發光二極管，半導體器件，LED芯片， 目 錄宋體3號加粗居中 一 所有標題號與標題名都要空兩格，以下以此類推

3、引言.11.1 LED芯片技術發展及其現狀的概述.11.1.1 LED芯片發展歷史.11.1.2 LED芯片技術的發展.11.2 LED芯片組成及原理.21.2.1 LED芯片原理.21.2.2 LED芯片的組成元素.2二 LED芯片技術的主要應用領域.32.1 半導體技術與工藝鏈.32.1.1 半導體單晶生長及襯底片加工.32.1.2 外延生長.32.1.3 芯片制作.42.1.4 器 件 封 裝.4注意：數字要對齊！標題要有層次感，要美觀！大標題：一、二、三、總結和展望、致謝、參考文獻要加粗！2.1.5 LED芯片制造基本工藝流程.52.2 LED芯片的外觀形狀.52.2.1 LED的樣子

4、.52.2.2 LED芯片的樣子.62.3 LED芯片的應用.7三 LED芯片技術的發展前景.83.1 LED的七大優點.83.2 LED照明產業前景廣闊.9四 我國“LED芯片”面臨的形勢及任務與其相應對策.104.1 LED芯片面臨的困境.104.2 應對措施和對策.13五 總結和展望.14致謝.15參考文獻這些一定要寫，且一定要按照這個順序 .16一 引 言一級標題，宋體三號加粗居中，注意之間空兩格標題之間要有空行，字號為下一行的字號1.1 LED芯片技術發展及其現狀的概述二級標題，宋體小三號左對齊，注意之間空兩格標題之間要有空行，字號為下一行的字號1.1.1 LED芯片發展歷史三級標題

5、，宋體四號左對齊，注意之間空兩格標題之間要有空行，字號為下一行的字號LED 問世于20世紀60年代，起源于美國。60年代末，但是在日本發揚光整篇論文行距為20磅，標題間空行字號以下一段字號為準；正文為小4號，漢字為宋體，英文為Times News Roman大。在砷化鎵基體上使用磷化物發明了第一個可見的紅光LED。磷化鎵的改變使得LED更高效、發出的紅光更亮，甚至產生出橙色的光。到70年代初，美國杜邦化工廠首先研發出GaAsP LED，發桔紅色，可作儀器儀表指示燈用，它們是利用氣相外延法制成的；70 年代中期，磷化鎵被使用作為發光光源，隨后就發出灰白綠光。LED 采用雙層磷化鎵蕊片（一個紅色另

6、一個是綠色）能夠發出黃色光。就在此時，俄國科學家利用金剛砂制造出發出黃光的LED。盡管它不如歐洲的LED 高效。但在70 年代末，它能發出純綠色的光。80 年代早期到中期對砷化鎵磷化鋁的使用使得第一代高亮度的LED 的誕生，用LPE技術制作GaAlAs外延層，制作高亮度紅色LED和紅外二極管，波長分別為660，880和940nm。高亮度的LED先是紅色，接著就是黃色，最后為綠色。到20 世紀90 年代早期，采用銦鋁磷化鎵生產出了桔紅、橙、黃和綠光的LED。第一個有歷史意義的藍光LED 也出現在90 年代早期，再一次利用金鋼砂早期的半導體光源的障礙物。依當今的技術標準去衡量，它與俄國以前的黃光L

7、ED 一樣光源暗淡。90年代第三代半導體材料GaN使藍、綠色LED光效達到10 lm/w，實現全色化。90 年代中期，出現了超亮度的氮化鎵LED，隨即又制造出能產生高強度的綠光和藍光銦氮鎵Led。超亮度藍光蕊片是白光LED 的核心，在這個發光蕊片上抹上熒光磷，然后熒光磷通過吸收來自蕊片上的藍色光源再轉化為白光。就是利用這種技術制造出任何可見顏色的光。今天在LED 市場上就能看到生產出來的新奇顏色，如淺綠色和粉紅色。隨著人類在LED超亮度的領域的技術進步，LED在消費電子的運用也越來越廣泛。1.1.2 LED芯片技術的發展三級標題，宋體四號左對齊，注意之間空兩格自從1993年Nakamura發明

8、高亮GaN藍光LED以來，LED技術的發展及應用突飛猛進。主要有兩方面的原因：a.全系列RGB LED產生，大大地拓寬了其應用面；b.白光LED產生，讓追求低碳時代的人們期望LED盡快成為智能化的第四代固態照明光源。雖然LED的發光效率已經超過日光燈和白熾燈，但商業化LED發光效率還是低于鈉燈(150lm/w)。那么，哪些因素影響LED的發光效率呢？就白光LED來說，其封裝成品發光效率是由內量子效率, 電注入效率, 提取效率和封裝效率的乘積決定的。 其中內量子效率主要取決于PN結外延材料的品質如雜質、晶格缺陷和量子阱結構, 目前內量子效率達60%。電注效率是由P型電極和N型電極間的半導體材料特

9、性決定的，如歐姆接觸電阻，半導體層的體電阻（電子的遷移率）。對460nm藍光（2.7eV）LED，導通電壓3.2-3.6V, 所以目前最好的電注入效率84%。但AlGaInP LEDs的大于90%。提取效率由半導體材料間及其出射介質間的不同折射率引起界面上的反射，導致在PN發射的光不能完全逸出LED芯片。提取效率目前最大達75%。封裝效率由封裝材料熒光粉的轉換效率和光學透鏡等決定的，封裝效率為60%。因此目前白光LED的總效率可達23%。就LED芯片制造技術來說，它只直接影響著電注入效率和提取效率，因為內量子效率.和封裝效率分別直接與MOCVD技術和封裝技術有關。1.2 LED芯片組成及原理二

10、級標題，宋體小三號左對齊，注意之間空兩格1.2.1 LED芯片原理三級標題，宋體四號左對齊，注意之間空兩格LEDHYPERLINK 端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個芯片被環氧樹脂封裝起來。半導體芯片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用于這個芯片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。1.2.2 LED芯片的組成元素

11、三級標題，宋體四號左對齊，注意之間空兩格 LED芯片的元素主要為III-V族元素，主要有砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、 氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。二 LED芯片技術的主要應用領域一級標題2.1 半導體技術與工藝鏈二級標題外延生長MBE MOCD芯片制作光刻、刻蝕、蒸發、劃片襯底片制備單晶生長、磨片、拋光器件封裝貼片、鍵合、封包 圖2.1 芯片制作工藝鏈文中圖和表要有說明，宋體五號居中建議：正文中要有圖，且圖排版要美觀2.1.1 半導體單晶生長及襯底片加工三級標題通過對高純原料熔融、化合物單晶生長、切割、磨片、拋光、真空包裝等工藝，制成外延生長用襯

12、底片。包括單晶生長爐、拋光機 、變頻行星式球磨機 、晶體切割機等。高淳原料化合物單晶外延用襯底片圖2.2 外延生長用襯底片2.1.2 外延生長三級標題所謂“外延生長”就是在高真空條件下，采用分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）、金屬有機化學氣相沉積（MOCVD)等方法，在晶體襯底上，按照某一特定晶面生長的單晶薄膜的制備過程。半導體外延生長主要采用MBE和MOCVD工藝。 襯底片外延片圖2.3 外延生長2.1.3 芯片制作三級標題 在外延片的基礎上采用光刻、刻蝕、蒸發、鍍膜、電極制備、劃片等半導體工藝制作具有一定功能的結構單元。主要采用光刻機、RIE、 PECVD 、離子注入、化學氣相沉積、

13、磨片拋光、鍍膜機、劃片機等半導體工藝設備。 外延片圓片芯片圖2.4 外延片制作成芯片 2.1.4 器件封裝三級標題將芯片與相關功能器件和電路等，封入一特制的管殼內,使芯片和電路與外界環境隔絕，避免外界有害氣氛的侵蝕，滿足各種惡劣環境的應用要求，提高器件的可靠性，為器件提供一個合適的外引線，提高器件的電、光性能。 芯片器件圖2.5 封裝2.1.5 LED芯片制造基本工藝流程三級標題刻蝕MOCD材料外延生長鍍膜蒸發解理/劃片光刻濺射真空包裝退貨處理鍍介質膜解理 LED外延與芯片制作圖2.6 工藝流程圖 2.2 LED芯片的外觀形狀二級標題2.2.1 LED的樣子三級標題LED燈珠結構：芯片 - 發

14、光體陰、陽極導線支架及金線 通導電流透明環氧樹脂封裝 保護芯片圖2.7 LED燈珠2.2.2 LED芯片的樣子三級標題俯視圖側視圖圖2.8 LED芯片視圖正裝結構芯片 垂直結構芯片 圖2.9 兩種結構芯片圖2.10 芯片結構圖層2.3 LED芯片的應用二級標題a.LED的主要應用市場是顯示屏圖2.11 顯示屏b.室內裝飾及照明圖2.12 室內燈飾照明c.交通燈市場潛力大，包括汽車車燈等圖2.13 交通燈d.戶外屏幕顯示已經景觀照明圖2.14 景觀照明e.通用照明圖2.15 通用照明三 LED芯片技術的發展前景一級標題3.1 LED的七大優點二級標題（1）無紫外線輻射： LED沒有紫外線、紅外線

15、輻射，不讓使用者避免了輻射的種種傷害，不吸引蚊蟲撲光用燈環境清爽，是真正健康的綠色光源。（2）無頻閃，護眼：LED使用低壓直流電源，沒有頻閃。而普通節燈每秒達100次頻閃。我們用相機一照就可輕易發現他們差別所在。從兒童開始注重燈光的使用，會大大減少近視眼發病率。（3）無水銀，綠色環保：LED是由無毒的材料做成，不像熒光燈含水銀會造成環境污染，同時LED也是可以回收再利用。它同不怕摔，由于外殼是塑件做成，若出現摔打撞擊不易碎掉，即使沒了外殼還能照常照明。因此，不會給使用者帶來碎片劃傷及相關危險，安全性極好。（4）光效率高，耗能低：LED采用低壓直流供電，其發出的光譜又基本集中在可見光頻率，因此比

16、光效相同的白熾燈減少80% 的耗能。普通的節能燈是先發熱后發光，隨著溫度的升高增加亮度；而LED是先發光，時間長了會慢慢的有點兒發熱但熱度值低，發熱基本不耗能，LED燈在同樣的亮度下，5W燈可替換掉節能燈18W，節能達60%左右。（5）壽命長，穩定性好：我們都知道節能燈的使用壽命達5萬小時，而LED燈使用壽命可以達到10萬小時；若按每天使用8小時計算，一年使用365*8約3000小時，減去其它因素，LED燈可使用10年以上不用更換。一般廠家三年免費包修。（6）低壓電源，安全：LED使用的是6-24V低壓電源，安全節能。（7）固耐用：LED是被封裝在環氧樹脂里面，報廢率小，維護費低廉。當前全球能

17、源短缺的憂慮再度升高的背景下，節約能源是我們未來面臨的重要的問題，在照明領域，LED發光產品的應用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產品，必然是未來發展的趨勢，二十一世紀將進入以LED為代表的新型照明光源時代。LED被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節能、環保、壽命長、體積小等特點，可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。近年來，世界上一些經濟發達國家圍繞LED的研制展開了激烈的技術競賽。美國從2000年起投資5億美元實施“國家半導體照明計劃”，歐盟也在2000年7月宣布啟動類似的“彩虹計劃”。我國科技部在“863”計劃的支持下，2003年6月份首

18、次提出發展半導體照明計劃。3.2 LED照明產業前景廣闊二級標題過去的白熾燈逐漸地將成為歷史，LED照明技術已經從商用走進了家用。技術不斷進步，LED照明產業必將成為未來電子信息產業新的增長點。據了解，全球照明用電量高居全年總用電量的20%，其中多達90%的電能被轉換成熱能消耗，而LED照明設備憑借其節能環保的特性在全球范圍內獲得越來越多的認可，國內許多企業希望能分享這塊蛋糕。況且國家非常支持LED照明技術的普及，并開展了十城萬盞工程試點工作。LED照明作為節能環保戰略性新興產業，受到國家和各級地方政府的高度重視。節能可持續發展已不再是一個選擇性的問題，而是當今世界未來發展的必行之路。以LED

19、為代表的新光源照明取代傳統光源，正引發照明行業的一場巨大變革。這種新光源照明產品正在創新技術的驅動下不斷實現更新換代，由白熾燈到節能燈、鹵素燈到LED燈，照明產品實現了節能升級的同時，在舒適度上也得到更好的提升，照明效果也更加的多樣化。作為綠色節能光源的代表，LED照明成為最具市場潛力的行業熱點，相對于技術更加成熟的光源。 據了解，LED照明的優勢非常突出，LED燈的發光效率高、壽命長，其發光效率能達到日光燈的2.5倍、白熾燈的13倍。目前，LED照明技術在全國各省市都得到廣泛應用，僅廣東中山市就安裝了8000多盞LED路燈。此外， LED科技技術含量比較高，而且靈活性高。可以實現人與光互動，

20、人與建筑互動，裝飾性非常強，深受大眾商家的喜愛。能源危機以及節能環保意識的提高，使全球LED照明市場的前景愈發光明。在市場與法規雙重利益刺激下，全球LED產業規模呈快速增長之勢。由于全球節能減排的呼聲越來越高，不僅僅是上述幾個LED照明產業發達的國家和地區，其他國家對LED產品的需求也越來越大。從近幾年世界最大的德國法蘭克福照明展中可以看出，LED已經占據了展會的絕對優勢地位，各種LED新品層出不窮。目前，全球半導體照明產業已形成美國、歐洲、亞洲三足鼎立的產業分布與競爭格局，其中亞洲以日本、韓國、中國為主。美國和日本在上游芯片設備領域處于世界領先地位；中國臺灣地區在上游芯片和中游封裝的實力也不

21、容小覷；在歐洲，傳統照明巨頭飛利浦、歐司朗等均強勢進入LED照明產業。由此全球LED芯片市場可分為三大陣營：以日本、歐美廠商為代表的第一陣營；以韓國和中國臺灣廠商為代表第二陣營；以中國大陸廠商為代表的第三陣營。近年來，國內芯片生產企業針對市場需求，紛紛把產品重點集中到高亮度芯片上，直接帶動了高亮度芯片產量的快速增長。2013年我國LED芯片國產率已達80%。而在祖國大陸芯片廠商崛起的情況下，臺灣及國際廠商在中國的芯片市場比重正逐漸縮小。目前，中國LED照明的發展如火如荼，進入該領域的企業數呈直線增長，導致市場極度混亂。LED照明大部分應用在商業客戶中，因為高額的價格制約了其在大眾消費者中的普及

22、，如果能在現有價格上再減少30%以上，就有可能使LED在照明市場占據更多份額。所以，如何提高LED照明的科技含量，降低成本，成為企業決戰未來的關鍵。由于產業鏈之間出現畸形發展，脫節現象較為嚴重，效益的顯現出現較大障礙，只見投入，未見產出。下游的盲目投資極大地壓縮了市場的利潤空間，競爭越激烈，市場可盈利空間就越小，價格戰對于新興產業的發展極為不利，將在一定程度上削弱高質量企業的競爭力，同時擾亂整個市場的競爭秩序。四 我國“LED芯片”面臨的形勢及任務與其相應對策一級標題4.1 LED芯片面臨的困境二級標題 隨著全球LED市場需求的不斷加大，在未來我國LED產業發展面臨巨大機遇。然而，目前LED核

23、心技術和專利基本上被國外壟斷，使國內企業在前行的道路上“快樂并痛苦著”。在2008年，北京奧運會開幕式上，神奇的“畫卷”彩屏出自中國金立翔科技有限公司；還有在2009年，國慶60周年閱兵式，天安門廣場上的巨幅彩屏出自中國利亞德電子科技有限公司；又如2010年，上海世博會開幕式上，1萬平米的半導體發光二極管（LED）大屏幕出自中國銳拓顯示技術有限公司在這一個個看似風光無限的企業背后，隱藏著中國LED產業發展的巨大隱患。目前，全球LED領域的技術和專利，一半以上被美、日、德等發達國家的少數大公司所占有。這些專利多為核心技術專利，國內企業尤其是中小企業很難尋找到突破口。此外，這些國外企業已在全球，尤

24、其是中國，精心部署了專利網，猶如頭懸一柄達摩克利斯之劍。我國LED產業要想取得長遠發展，必須突破這些專利的層層包圍。（1）LED芯片目前面臨困境：發展迅速，但企業規模偏小，產業鏈不完整。作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優點，被稱為是二十一世紀最有發展前景的綠色照明光源。我國的LED產業起步于二十世紀七十年代，經過近四十年的發展，現已形成上海、大連、南昌、廈門、深圳、揚州和石家莊7個國家半導體照明工程產業化基地，產品廣泛應用于景觀照明和普通照明領域，我國已成為世界第一大照明電器生產國和第二大照明電器出口國。然而，LED產業研究機構-集邦LE

25、D中國在線（LEDinside）的一份統計數據顯示，截至2009年底，我國共有LED企業3000余家，其中，年產值上億的只有140家。然而，在這140家企業中，沒有一家企業的產品年銷售額超過10億元，超過5億元的也只有少數幾家，大部分在1億元至2億元之間。可見，雖然我國LED企業數量較多，但規模普遍偏小。例如廣東東莞勤上光電股份有限公司（下稱勤上光電）創建于1993年，是國內較早從事LED產品生產的企業，并與清華大學共同組建了LED照明技術研究院，國內許多項目如國家大劇院照明、北京綠色奧運道路照明、上海F1賽車場照明、清華大學奧運場館照明等都出自該企業。然而，就是這樣一家國內LED產業發展的“

26、探路者”，在遭遇日本、美國、德國的專利“圍堵”時，也不得不繞道以避之。據了解，目前全球已初步形成以亞洲、北美、歐洲三大區域為中心的產業格局，以日本的日亞化工、豐田合成，美國的克里、通用電器和德國的歐司朗為專利核心的技術競爭格局。美、日企業在外延片、芯片技術、設備方面具有壟斷優勢，歐洲企業在應用技術領域優勢突出，而我國的LED還處于較低端的水平，80%左右的產品集中在景觀照明、交通信號燈等應用市場，在汽車照明、大屏幕等高端產品方面涉及的比較少。（2）LED芯片面臨困境的原因主要原因之一是缺乏核心專利，產學研合作松散。有業內行業的分析師分析過：“來自日、美、歐的五大國際廠商代表了當今LED的最高水

27、平，對產業發展具有重大影響。這種影響不僅體現在產品和收入上，更重要的是對技術的壟斷，50%以上的核心專利都掌握在這五大廠商手中。”隨著國內LED市場的蓬勃發展，越來越多的國外企業把目光轉向中國，尤其近幾年，我國受理的LED領域的專利申請數量逐年顯著增加。在半導體照明專利風險分析研究報告中看到，截至2008年底，全球已有22個國家和地區在我國申請了專利，技術優勢明顯的國家在我國的專利申請比例較高，排名前五位的國家分別是日本、韓國、美國、德國和荷蘭。其中，日本以1306件專利申請的數量遙遙領先，占申請總量的24%，其余四國分別占申請總量的7%、5%、4%、和3%原因二在有效專利方面，芯片核心技術專

28、利少以及專利侵權風險高。國內專利申請與國外來華專利申請的比例約為4比5。但在這些國內專利申請中，臺灣地區占據了大量的份額，其有效發明專利占到了53%。換句話說，如果除去臺灣地區，大陸與國外在專利數量、專利含金量方面的差距將會更大。此外，從產業鏈的分布來看，國外公司主要在芯片、封裝領域的專利布局較多，有一半的LED核心發明在我國提出了專利申請，日亞化工、歐司朗、拉米爾德、克里、通用電氣等公司掌握了絕大多數的核心專利技術。其中，日亞化工的核心專利最多，涉及除封裝外的所有產業鏈。與上述外國公司相比，我國LED專利申請明顯處于劣勢。據高工LED產業研究所調查，截至2008年底，中國的LED相關專利申請

29、共2.6071萬件，其中處于產業中游和下游的封裝與應用方面的專利接近50。盡管我國在電極、微結構、反射層、襯底剝離/健合等方面具有一定優勢，但大多屬于外圍專利，發明專利只占60，且通過專利合作條約（PCT）途徑提交的國際專利申請和向國外申請的專利不多。據了解，我國LED行業除了核心技術競爭力不強之外，產學研結合比較松散也是制約其發展的主要因素。我國的LED專利有很大一部分集中在科研院所，例如，在外延領域，專利擁有量排前三名的分別是中科院半導體所、中科院物理所和北京工業大學；在芯片領域，排前三位的分別是中科院半導體所、北京工業大學和北京大學。與科研院校相比，國內企業申請的實用新型專利較多。一位業

30、內專家曾舉過的例子“2008年2月，一名美國老婦以專利侵權為由，向美國國際貿易委員會提出申請，要求對日立、三星、東芝等34家企業進行337調查，其中包括廣州鴻利光電子有限公司、深圳洲磊電子有限公司等6家中國企業。這一案件為我國LED產業敲響了警鐘。”由此可見隨著LED市場的進一步擴大，中國企業面臨的專利風險將越來越高。4.2 應對措施和對策二級標題加強自主研發，重視專利的重要作用 。北京奧運會、上海世博會等重大賽事活動對LED照明的集中展示讓人們對其有了全新的認識，有力推動了中國LED產業的發展。但對國內企業而言，加強自主研發、壯大規模、提高產品質量與技術水平是現階段的首要任務。加大自主創新力

31、度，重點研發能夠被市場廣泛接受和認可的新技術，并以此為基礎，與國外公司展開許可、合作。在消化、吸收國外先進技術的基礎上，加強模仿創新，通過對競爭對手的核心專利進行改進，提高其技術效果，申請改進型專利。企業要學會合法利用先進技術，跟蹤即將到期的專利，簽訂專利實施許可合同、反壟斷許可、交叉許可、授權生產，還可以到專利未覆蓋的國家開拓市場。對于國內企業面臨越來越多的知識產權糾紛，尤其是涉外專利訴訟，“如果企業在接到跨國公司的專利侵權訴訟時，我們應該選擇積極應訴才是上策，要學會巧妙運用各國不同的專利制度和法律訴訟程序。”以美國為例，利用美國民事訴訟中的證據交換程序，國內企業可以要求原告提供與涉案專利有

32、關的所有技術資料，包括技術秘密。此外，加強企業與研究機構的產學研合作也是促進我國LED產業快速發展的有效途徑。毛金生表示，國內有些研究機構具有一定的研發能力，而有些企業則具有較強的加工制造能力，企業之間、企業與科研機構之間要強化合作意識，促進科研機構的創新成果向企業轉移，努力培育一批具有自主知識產權的創新型“龍頭”企業。盡管我國LED產業發展中存在一些問題，但不可否認的是，這一情況目前已有逐漸好轉的趨勢，而且，我國在襯底、外延、封裝以及芯片的部分領域內的優勢是不容忽視的，一些科研院所擁有的專利技術世界領先，已經具備了與跨國公司抗衡的能力和實力。國務院發展研究中心國際技術經濟研究所產業安全研究中

33、心主任滕飛曾說過，我國LED企業的觀念在逐漸轉變，越來越多的中小企業開始了戰略性部署，逐漸重視在知識產權方面的前期積累，學習運用科學技術武裝自己，運用專利開拓國內外市場，把一個個“陷阱”變成了良好的市場前景，“有了好的試驗田和突破方向，企業應該多總結經驗教訓，這樣才能飛得更高、更遠。五 總結和展望最后一定是總結和展望，一定要有！一級標題這次論文選擇的題目是“LED芯片技術的發展及其應用”選題之后就是尋找相關的參考書及其上網查質料，然后試著去分析并理解各種資料，然后根據自己研究的課題整理歸納相關的資料，為進一步寫畢業綜合實踐報告做好準備。通過這次的寫畢業綜合實踐報告對LED的相關知識有了更深入的了解，大大提高了我專業知識水平。培養了綜合應用所學知識分析問題解決問題的能力。追求高的發光效率，一直以來是LED芯片技術發展的動力。倒裝技術是目前高校大功率LE