1、精品文檔 精品文檔 選擇題 I. NaCI 型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積， Na+充填于（B ）之中。 A、全部四面體空隙 B、全部八面體空隙 C、1/2 四面體空隙 D、1/2 八面體空隙 2在析晶過程中，若 AT 較大，則獲得的晶粒為（ A ） A、數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶 B、數(shù)目少而尺寸大的粗晶 C、數(shù)目多且尺寸大的粗晶 D、數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶 3在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶能力（ c ）: a不變 b.減弱 c.增大 4在燒結(jié)過程的傳質(zhì)方式中，不會(huì)使坯體致密的是（ a ） a. 擴(kuò)散傳質(zhì) b.溶解-沉淀傳質(zhì) c.蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) d.流動(dòng)傳質(zhì) 5過冷度愈大，臨界晶核半徑

2、（ c ）相應(yīng)的相變（ e ） a. 不變 b.愈大 c.愈小 d.愈難進(jìn)行 e.愈易進(jìn)行 f.不受影響 6 從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始粒徑必須（ c ） a. 細(xì) b.粗 c.細(xì)而均勻 d.粗但均勻 7根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分，在多晶體材料中主要是 （B ） A、共格晶界 B、非共格晶界 C、半共格晶界 8 玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的 Z 一般是已知的，請(qǐng)問硼酸鹽玻璃的 Z = （ B ） A、2 B、3 C、4 D、5 9石英晶體結(jié)構(gòu)屬于（ d ） a. 島狀結(jié)構(gòu) b.鏈狀結(jié)構(gòu) c.層狀結(jié)構(gòu) d.架狀結(jié)構(gòu) 10.在離子型化合物中，晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù) Db，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù) Dg和表面區(qū)

3、域擴(kuò)散系數(shù) Ds三者中（C ）最 大 A、D b B、Dg C、Ds II. 系統(tǒng) CaO + SiQ 2CaOSiQ + CaOSiQ + 3CaO2SiQ 中的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（d） a. 5 b. 4 c. 3 d. 2 12. 熔體系統(tǒng)中組成越簡(jiǎn)單，則熔體析晶（ B ） A、不受影響 B、越容易 C、越難 13. 過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（ b ），臨界晶核半徑（b ），析晶能力（a ） a.越大 b.越小 c.不變 14. 下列選項(xiàng)中不屬于馬氏體相變的特征的是（ B ） A、相變后存在習(xí)性平面 B、屬擴(kuò)散型相變 C、新相與母相間有嚴(yán)格的取向關(guān)系 D、在一個(gè)溫度范圍內(nèi) 進(jìn)行 E、速度很快

4、 15. 顆粒不同部位的空位濃度存在差異，下列區(qū)域中（ b ）處的空位濃度最大 A、晶粒內(nèi)部 B、頸部表面張應(yīng)力區(qū) C、受壓應(yīng)力的顆粒接觸中心 16. 塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸力為（ B ） A、范德華力 B、毛細(xì)管力 C、局部邊-面靜電引力 精品文檔 17. CaTiO 3 （鈦酸鈣）型結(jié)構(gòu)中，Ca2+和 02-共同組成立方緊密堆積，Ca2+占據(jù)立方面心的角頂位置， O2-占據(jù)立方面精品文檔 精品文檔 心的面心位置，Ti4+充填于（d ）之間 18. 在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的難易次序（由易到難）是（ B ） A、NaCITiO 2CaF2 B、CaF2TiO2NaCI C、C

5、aF2NaCITiO 2 19. 一晶面在三晶軸上的截距分別為 3a，3b, 2c,該晶面的晶面指數(shù)為（ d） a. （ 332） b. （ 112） c. （ 321） d. （ 223） 20. 從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始原料的粒徑應(yīng)當(dāng)（ a ） a.細(xì)而均勻 b.粗而均勻 c.細(xì)而不均勻 d.粗而不均勻 21. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（B ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散。 A、易位機(jī)構(gòu) B、空位機(jī)構(gòu) C、亞間隙機(jī)構(gòu) D、間隙機(jī)構(gòu) 22. 在晶粒生長(zhǎng)過程中晶界（ a ） a.向凸面曲率中心移動(dòng) b.背離凸面曲率中心移動(dòng) c.不移動(dòng) 23. 當(dāng) O/Si 比趨近于 2時(shí)，Li2O-Si

6、O2、Na2O-SiO2、K2O-SQ2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋?a ） a. Li2O-SiO2Na2O-SiO2K2O-SiO2 b. K2O-SQ 2Na2O-SiO2Li2O-SiO2 c. Li 2O-SiO2K2O-SiO2Na2O-SiO2 d. Na2O-SiO2 Li 2O-SiO2K2O-SiO 2 24. 劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ B ） A、體積最小 B、棱間直角關(guān)系最多 C、結(jié)點(diǎn)間距最小 25. 根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其熔化溫度（ A ） A、越低 B、越高 C、不變 26. 若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物 XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位

7、型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素 X 和氧原子數(shù)之 比為 X : O= 1.1 : 1，則其化學(xué)式應(yīng)為（c ） a. X1.1O b. XO 0.90 c. XO0.91 d. X01.1 27. K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ） a. 4 b. 3 c. 2 d. 1 28. 一晶面的晶面指數(shù)為（220），則其與 c 軸的關(guān)系為（ B ） A、垂直 B、平行 C、相交（非 90 29. 若有 n 個(gè)等大球體作最緊密堆積，就必有 （a ）個(gè)八面體空隙。 a. n 個(gè) b. 2n 個(gè) c. 3n 個(gè) d. 4n 個(gè) 30. 燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體致密

8、化的傳質(zhì)方式是（ C ） a.全部八面體空隙 b. 1/8 四面體空隙 c. 1/2 八面體空隙 d. 1/4 八面體空隙 A、擴(kuò)散傳質(zhì) B、流動(dòng)傳質(zhì) C、蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) D、溶解-沉淀傳質(zhì) 31.當(dāng) O/Si 比趨近于 4 時(shí)，Li2O-SiO2、 Na2O-SiO2、K2O-SQ2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋?a.Li2O-SiO2Na2O-SiO2K 2O-SQ2 b. K2O-SiO2Na2O-SiO2Li 2O-SQ2 c. Li 2O-SiO2VK2O-SQ2Na2O-SiO2 d. NazO-SiO2DgDs b. Ds Dg Db c. Dg Ds Db 65.均勻成核與非均勻成

9、核相比（ b ）更容易進(jìn)行？ a. 均勻成核 b. 非均勻成核 c. 二者一樣 a. 非本征擴(kuò)散 b. 本征擴(kuò)散 c. 非化學(xué)計(jì)量空位擴(kuò)散 精品文檔精品文檔 精品文檔 68. 過冷度愈大，臨界晶核半徑（ c ） 相應(yīng)地相變（e ） a.不變 b.愈大 c.愈小 d.愈難進(jìn)行 e.愈易進(jìn)行 f.不受影響 69. 若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物 X0,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素 X 和氧原子數(shù)之 比為 X : 0= 1.2 : 1,則其化學(xué)式應(yīng)為（ b ） a. X1.2O 70 立方結(jié)構(gòu)的（112）與 （113）晶面同c. XO 0.91 d. X01.2 a )晶帶軸。 c

10、. 211 b ) a. 由一價(jià)陽離子飽和的粘土其 Z電位大于由三價(jià)陽離子飽和的同種粘土 b. 對(duì)于同價(jià)陽離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大 Z電位增大 c. 由同種陽離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大 Z電位減小 72. 菲克第一定a.距離 73. 劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之b ），熔體粘度（a ）， a.增大 b.減小 c.不變 75. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（b ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散 a.間隙機(jī)構(gòu) b.空位機(jī)構(gòu) c.亞間隙機(jī)構(gòu) d.易位機(jī)構(gòu) 76. 晶核生長(zhǎng)速率 u與溫度的關(guān)系為（C ） A、隨溫度的升高而增大 B、隨溫度的升高而減小 C、隨溫度的升高先增大后減小

11、 D、隨溫度的升高先減小后增大 77. 在燒d a.溶解-沉淀傳質(zhì) b.擴(kuò)散傳質(zhì) c.流動(dòng)傳質(zhì) d.蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) 79. 晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對(duì)稱要素的集合稱為（ c ） a.聚形 b.點(diǎn)群 c.空間群 d.平移群 4 80. 右圖為具有 L4P 對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的 位，圖中給岀了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原 條進(jìn)行選取，不被排除的有（ a, b ） a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 e.5 f. 6 81. 同價(jià)陽離子飽和的粘土，其Z電位隨著離子半徑增大而 （b ） a.增大 b.減小 c.不變 82. Si:O 趨近于 1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)

12、構(gòu)類型為（ d ） a.島狀 b.鏈狀 c.層狀 d.架狀 83 .玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的 z 一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的 z （ 基本單 則中第一 a. 2 b. 3 c. 4 d. 5 精品文檔 精品文檔 84在晶粒生長(zhǎng)過程中晶界（ c ） a. 不移動(dòng) b. 背離凸面曲率中心移動(dòng) 85塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（ a. 范德華力 b. 靜電引力 86在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（ c ） a. 愈易進(jìn)行 b. 不受影響 c. 愈難進(jìn)行 87Na2O.Al 2O3.4SiO 2-SiO 2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ） a. 4 b. 3 c. 2 d. 1 88立方晶體

13、中的 001 方向是（ b ） a.二次對(duì)稱軸 b.四次對(duì)稱軸 c.六次對(duì)稱軸 89粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子，這部分水稱為（ b ） 2、 離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（ B ），離子配位數(shù)（ ） A: 增大，降低 B: 減小，降低 C: 減小，增大 D: 增大，增大 3、 氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（ C ）。 A: 5 B: 6 C: 4 D: 3 4、 NaCl 單位晶胞中的 分子數(shù)”為 4, Na+填充在 CI-所構(gòu)成的（ B ）空隙中。 A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 1/2 四面體 D: 1/2 八面體 5、 C

14、sCI 單位晶胞中的 分子數(shù)”為 1，Cs+填充在 CI-所構(gòu)成的（ C ）空隙中。 A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 全部立方體 D: 1/2 八面體 6、 MgO 晶體屬 NaCl 型結(jié)構(gòu)，由一套 Mg 的面心立方格子和一套 0的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B ） 個(gè) MgO 分子。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 7、螢石晶體可以看作是 Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn) 填充了（ D ） A: 八面體空隙的半數(shù) B: 四面體空隙的半數(shù) C: 全部八面體空隙 D: 全部四面體空隙c. 向凸面曲率中心移動(dòng) c ） a. 結(jié)構(gòu)水 b. 結(jié)合水 90. 宏觀晶體中所有對(duì)稱要素

15、的集合稱為（ a. 空間群 b. 平移群 91. 在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（ a. 原子互換機(jī)制 b. 間隙機(jī)制 92. a石英與a方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（ a. 重建型相變 b. 位移型相變 1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（ A: 共價(jià)鍵向離子鍵 C: 金屬鍵向共價(jià)鍵 c. 自由水 a ） c. 點(diǎn)群 c ） c. 空位機(jī)制 a ） c. 擴(kuò)散型相變 B ）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。 B: 離子鍵向共價(jià)鍵 D: 鍵金屬向離子鍵 精品文檔 精品文檔 8、螢石晶體中 Ca2+的配位數(shù)為 8, F-配位數(shù)為（B ） A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 9、

16、CsCl 晶體中 Cs+的配位數(shù)為 8， Cl-的配位數(shù)為（D ） A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 10、硅酸鹽晶體的分類原則是（ B ）。 A: 正負(fù)離子的個(gè)數(shù) B: 結(jié)構(gòu) 中的硅氧比 C:化學(xué)組成 D:離子半徑 11、 鋯英石 ZrSiO4 是（ A ）。 A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu) 12、 硅酸鹽晶體中常有少量 Si4+被 Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（ C ）。 A: 同質(zhì)多晶 B: 有序 無序轉(zhuǎn)變 C: 同晶置換 D: 馬氏體轉(zhuǎn)變 13、 鎂橄欖石 Mg2SiO4是（A ）。 A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu) 1

17、4、 對(duì)沸石、螢石、 MgO 三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋?A ）。 A:沸石 螢石MgO B:沸石MgO螢石 C:螢石 沸石MgO D:螢石MgO沸石 15、 根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體 MX 2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為 8 時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（ B ） A: 2 B: 4 光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)， 以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是 （ D ）。 16、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元 A: 共頂 SiO 4四面體，兩個(gè)相鄰的Si0 4四面體之間只能（ A ）連接。 B: 共面 C: 共棱 D: A+B+C C: 6 D: 8 17、 點(diǎn)缺陷與材

18、料的電學(xué)性質(zhì)、 精品文檔 A： 弗侖克爾缺陷 B:肖特基缺陷 C: 雜質(zhì)缺陷 D : A+B 18、位錯(cuò)的（ A ）是指在熱缺陷的作用下， 位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)， 結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。 A: 攀移 B: 攀移 C: 增值 D: 減少 19 、 對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生 D )。 A: 負(fù)離子空位 B: 間隙正離子 20、 C: 間隙負(fù)離子 D: A 或 B 對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生 D )。 A: 正離子空位 B: 間隙負(fù)離子 精品文檔

19、 A: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件 B: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件 C: 結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件 D: 結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件 29、熱缺陷亦稱為本征缺陷， 是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子） 缺陷（ Schottky defect ）時(shí)，（ B ）。 A: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小 B: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加 C: 正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加 D: 正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加 30、 熱缺陷

20、亦稱為本征缺陷， 是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn) （原子或離子） 。 生成弗侖克爾缺陷 （Frenkel defect）時(shí)，（A ）。 A: 間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) 精品文檔C: 負(fù)離子空位 D: A 或 B 21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響 , 主要表現(xiàn)為（ D ） 。 A: 穩(wěn)定晶格 B: 活化晶格 C: 固溶強(qiáng)化 D: A+B+C 22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變， 但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無 限之分，其中（ B ）。 23、 缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（ D ）。 A: 點(diǎn)缺陷 B: 線缺陷 C: 面缺陷 D

21、: A+B+C 24、 按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（ D ）。 A: 熱缺陷 B: 雜質(zhì)缺陷 25、 C: 非化學(xué)計(jì)量缺陷 D: A+B+C 晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（ B ）。 A:線性增加 B:呈指數(shù)規(guī)律增加 C:無規(guī)律 D: 線性減少 26、 間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體， 其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。 討論形成間隙型固溶體的條件須考慮 （ D ）。 A: 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小 B: 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu) C: 電價(jià)因素 D: A+B+C 27、 位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（ A ）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。 A: 外力 B: 熱應(yīng)

22、力 C: 化學(xué)力 D: 結(jié)構(gòu)應(yīng)力 28、 柏格斯矢量（ Burgers Vector） 與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為 （A ），其符號(hào)表示為 （ ）。 A:刃位錯(cuò)；丄 B:刃位錯(cuò)；VX C: 螺位錯(cuò)； D:刃位錯(cuò); 。當(dāng)離子晶體生成肖特基 精品文檔 精品文檔 B: 正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) C: 正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) D: 正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) 31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（ C）。 A: 位錯(cuò)不一定是直線 B: 位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 C: 位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部 D: 位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部 32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其

23、中（ A ）。 A: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移 B: 刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移 C: 螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移 D: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移 33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（ D）因素的影響。 A: 組成 B: 溫度 C: 時(shí)間 D: A+B+C 34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（ C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 D: 增加；不變 C: 增加；降低 35、 當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的 O/Si 比高，低聚物（ C ），粘度（ ）。 A: 降低；增加 B: 不變；降低 C: 增加；降低 D: 增

24、加；不變 36、 硅酸鹽熔體的粘度隨 O/Si 升高而（ （ B），隨溫度下降而（ ）。 A: 增大，降低 B: 降低，增大 C: 增大，增大 D: 降低，降低 37、 由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（ A ）的氧化物容易形成玻璃。 A: 極性共價(jià)鍵 B: 離子鍵 C: 共價(jià)鍵 D: 金屬鍵 38、 Na20Al26 4SiO2熔體的橋氧數(shù)為 （ D）。 A: 1 B: 2 C: 3 D: 4 39、 Na2O?CaO?Al2O3?SiO2 玻璃的橋氧數(shù)為（ B ）。 A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D:4 40、 如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的 R2O 時(shí)， 粘度比等量的一種 R2O 高， 這

25、種現(xiàn)象為（ B）。 A:加和效應(yīng) B:混合堿效應(yīng) C:中和效應(yīng) D:交叉效應(yīng) 41、 對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（ A ）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A 或 B 42、 熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下， O/Si 減小， 表面張力將（ A）。 A: 降低 B: 升高 C: 不變 D: A 或 B 43、 由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（ C ）的過程。 A: 可逆與突變 B: 不可逆與漸變 精品文檔 C: 可逆與漸變 D: 不可逆與突變 44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有( C )。 A: 突變性 B: 不變性 C: 連續(xù)

26、性 D: A 或 B 45、熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下， O/Si 減小，表面張力將( A )。 (A)降低 (B)升高 (C) 不變 (D) A 或 B 46、 不同氧化物的熔點(diǎn) TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度 Tg的比值(Tg/TM)接近(B )易形成玻璃。 A: 二分之一 B: 三分之二 C: 四分之一 D: 五分之一 47、 可用三 T (Time-Temperature-Transformation )曲線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三 T 曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析 出 106 體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系 統(tǒng)形

27、成玻璃( A)。 A: 愈困難 B: 愈容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差 48、不同 O/Si 比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程 度越低，形成玻璃( A )。 A: 越不容易 B: 越容易 C: 質(zhì)量愈好 D: 質(zhì)量愈差 49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以( C )的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對(duì)形成玻璃有利。 B: 不聚合 D: A 或 C Y 是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于 Y 值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨 )。 A: 小于 B: 大于 C: 小于等于 D: 等于 53、 重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)( )，垂直方向

28、的層間距與體內(nèi)( A )。 A:不同；相同 B:相同；相同 C:相同；不同 D:不同；不同 54、 粘附劑與被粘附體間相溶性( C )，粘附界面的強(qiáng)度( )。 A: 越差；越牢固 B: 越好；越差 C:越好；越牢固 D:越好；不變 55、 離子晶體 MX 在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子 作用而移動(dòng)，從而形成表面( C,這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。 A: 收縮 B: 弛豫 C: 雙電層 D: B+C 56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種 精品文檔B: 降低；增大 D:

29、 增大；降低 50、對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于( 以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。 A: 增大； C: 不變； 不變 降低 )的能階，所 A: 較高 B: 較低 C: 相同 D: A 或 C 51、 由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷， 表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、 A: 表面收縮 B:表面弛豫 C: 表面滑移 D: 表面擴(kuò)張 52、 固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能( 下位移， 稱為( B )液體的表面能。 B）。 A: 低聚合 Y 的增大，粘 精品文檔 精品文檔 影響尤為重要，微裂紋

30、長(zhǎng)度（ ），斷裂強(qiáng)度（ A ）。 越高 不變 57、 A: 越長(zhǎng)；越低 B: 越長(zhǎng)； C: 越短；越低 D: 越長(zhǎng)； 界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（ B: 界面上原子擴(kuò)散速度較快 ）的特性。 58、 A: 會(huì)引起界面吸附 C: 對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用 只要液體對(duì)固體的粘附功（ B A: 小于 D: A+B+C ）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。 B: 大于 59、 C: 小于等于 當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角 9 90 61、 A: 更難 C: 更易 D: 等于 時(shí)，即在潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（ B: 不變 D: A 或 B 時(shí)，即在不潤(rùn)濕的前提下， 表面

31、粗糙化后， 液體與固體之間的潤(rùn)濕（ B: 不變 D: A 或 B C）。 A ）。 粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固 -液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（ 相反，粘附功越小，則越易分離。 A: 越大；越松散 B: 越大；越牢固 C: 越小；越牢固 D: 越大；不變 62、為了提高液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性，在固 -氣和液 -氣界面張力不變時(shí)，必須使液 A: 降低 B: 升高 C: 保持不變 D: 有時(shí)升高，有時(shí)降低 對(duì)于附著潤(rùn)濕而言，附著功表示為 W=YSV+YV-YL，根據(jù)這一原理，（A A: 盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng) B: 盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng) B ），固 -液兩相互相結(jié)合（ ） ；

32、 -固界面張力（ B ）。 63、 ） 才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。 64、 C: 采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng) D: 前三種方法都不行 將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（ A: 等于 B: 大于 C: 小于 D: A 或 B C）體積內(nèi)部的濃度。 表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生， 微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)， 對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種 影響尤為重要，微裂紋長(zhǎng)度（ A: 越長(zhǎng)；越低 C: 越短；越低 吸附膜使固體表面張力（ A: 增大 C: 不變 65、 66、 67、 68、 A ）， B）。 粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是： ） 。

33、 斷裂強(qiáng)度（ B:越長(zhǎng)；越高 D: 越長(zhǎng)；不變 B: 減小 D: A 或 B A: 固體表面越粗糙，越易被潤(rùn)濕 B: 固體表面越粗糙，越不易被潤(rùn)濕 C: 不一定 D: 粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無影響 下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯(cuò)誤的。 A A: 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的 精品文檔 精品文檔 B: 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松 C: 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道 D: 晶界易受腐蝕 69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是 （ C ）。 A:絕對(duì)平衡 B:靜態(tài)平衡 C:動(dòng)態(tài)平衡 D:暫時(shí)平衡 70、 二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)

34、最多為 3，而最大的自由度數(shù)為（ A ）。 A:2 B:3 C:4 D:5 71、 熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否 發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是（ D ）。 A: 簡(jiǎn)便 B: 測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)近似值 C: 能確定相變前后的物相 D: A+B 72、 淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是（ D）。 A: 準(zhǔn)確度高 B: 適用于相變速度慢的系統(tǒng) C: 適用于相變速度快的系統(tǒng) D: A+B 73、 可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（ A ）兩種晶型的熔點(diǎn)。 A: 低于 B: 高于 C: 等于 D: A 或 B 74

35、、 不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（ B 種晶型的熔點(diǎn)。 A: 低于 B: 高于 C: 等于 D: A 或 B 75、 在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相 具有（ C ）的蒸汽壓。 A: 最高 B: 與介穩(wěn)相相等 C: 最低 D: A 或 B 76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律， 系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的， 而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)， 最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（ D ）決定。 A: 轉(zhuǎn)變速度 C: 成型速度 D: A 與 B 77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（ C） A: 3 B: 2

36、 C: 1 D: 0 78、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為 個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（ A: 成正比 B: 成反比 C: 相等 D: A 或 C 79、三元相圖中，相界線上的自由度為（ C ） 。 A: 3 C: 1 B: 冷卻速度 M 的相分解為質(zhì)量 G1 和 G2 的兩個(gè)相，則生成兩 B。 B: 2 D: 0 精品文檔 精品文檔 80、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為： （ D ）。 A: 需要較高溫度 B: 各向同性 C: 各向異性 D: A+C 81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為

37、（ C ）。 A:互擴(kuò)散 B:無序擴(kuò)散 C:非本征擴(kuò)散 D:本征擴(kuò)散 82、 固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為: D A: 需要較高溫度 B: 各向同性 C: 各向異性 D: A+C 83、 擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（ A ）。 A: 化學(xué)位梯度 B: 濃度梯度 C: 溫度梯度 D: 壓力梯度 84、 固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則 H、C、Cr 在YFe中擴(kuò)散的活化能的大小順序 為（ B ）。 A: QHQCQCr B: QCr QC QH C: QC Q HQ Cr D: QCr QH QC 85、 晶體的表面擴(kuò)散系數(shù) Ds、界面擴(kuò)散系數(shù) Dg和體積擴(kuò)散系

38、數(shù) Db之間存在（ A ）的關(guān)系。 A: D s Dg D b B: D b Dg D s Db D: D g Ds空位擴(kuò)散 B: 易位擴(kuò)散 間隙擴(kuò)散 =空位擴(kuò)散精品文檔 C: 降低缺陷濃度 98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（ A: 本征擴(kuò)散 B: 非本征擴(kuò)散 C: 互擴(kuò)散 D: A+B 99、按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵 不相等，因此一級(jí)相變（ B ）。 A: 有相變潛熱，無體積改變 B: 有相變潛熱，并伴隨有體積改變 C: 無相變潛熱，并伴隨有體積改變 D: 無相變潛熱，無體積改變 100、二級(jí)相變是指在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵也相等，而二階偏微熵不等，因此二級(jí)相變（ D ） A: 有相變潛熱，無體積的不連續(xù)性，有居里點(diǎn) C: 易位擴(kuò)散 間隙擴(kuò)散 空位擴(kuò)散 D: 易位擴(kuò)散 間隙擴(kuò)散 空位擴(kuò)散 91、一般晶體中的擴(kuò)散為（ D ）。 A: 空位擴(kuò)散 B: 間隙擴(kuò)散 C: 易位擴(kuò)散 D: A