1、mosfet最基礎的東西，看完秒懂什么是mosfet的原意是：mos（metal oxide semiconductor金屬氧化物），fet（field effect transistor場效應晶體管），即以金屬層（m）的柵極隔著氧化層（o）利用電場的效應來控制半導體（s）的場效應晶體管。功率mosfet的結構功率mosfet的內部結構和電氣符號所示，它可分為 npn型和pnp型。npn型通常稱為n溝道型，pnp型通常稱p溝道型。由圖1可看出，對于n溝道型的其源極和漏極接在n型半導體上，同樣對于p 溝道的場效應管其源極和漏極則接在p型半導體上。我們知道普通是由輸入的控制輸出的電流。但對于場效應

2、管，其輸出電流是由輸入的(或稱場電壓)控制，可以認為輸入電流微小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的緣由。功率mosfet的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。p基區與n漂移區之間形成的pn結j1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓ugs，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面p區中的空穴推開，而將p區中的少子吸引到柵極下面的p區表面當ugs大于ut（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下p區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使p型半導體反型成n型而成為反型層，該反型層形成n溝道而使pn結j1消逝，漏極和源極導電

3、。功率mosfet的基本特性靜態特性：其轉移特性和輸出特性2所示。漏極電流id和柵源間電壓ugs的關系稱為mosfet的轉移特性，id較大時，id與ugs的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導gfs。mosfet的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于gtr的截止區）；飽和區（對應于gtr的放大區）；非飽和區（對應于gtr的飽和區）。電力 mosfet工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間往返轉換。電力mosfet漏源極之間有寄生，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 mosfet的通態具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。動態特性：其測試和開關過程波形3所示。td(on)導通延時時光導通延

4、時時光是從當柵源電壓升高到10%柵驅動電壓時到漏電流升到規定電流的10%時所經受的時光。tr升高時光升高時光是漏極電流從10%升高到90%所經受的時光。id穩態值由漏極電源電壓ue和漏極負載電阻打算。ugsp的大小和id的穩態值有關，ugs達到ugsp后，在up作用下繼續上升直至達到穩態，但id已不變。開通時光ton開通延遲時光與升高時光之和。td(off)關斷延時時光關斷延時時光是從當柵源電壓下降到90%柵驅動電壓時到漏電流降至規定電流的90%時所經受的時光。這顯示電流傳輸到負載之前所經受的延遲。tf下降時光下降時光是漏極電流從90%下降到10%所經受的時光。關斷時光toff關斷延遲時光和下

5、降時光之和。理解mosfet的幾個常用參數vds，即漏源電壓，這是mosfet的一個極限參數，表示mosfet漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注重的是，這個參數是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值最大。rds(on)，漏源導通電阻，它表示mosfet在某一條件下導通時，漏源極之間的導通電阻。這個參數與mosfet結溫，驅動電壓vgs相關。在一定范圍內，結溫越高，rds越大;驅動電壓越高，rds越小。qg，柵極電荷，是在驅動信號作用下，柵極電壓從0v升高至終止電壓(如15v)所需的充電電荷。也就是mosfet從截止狀態到徹低導通狀態，驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估mosfet的驅動

6、電路驅動能力的主要參數。id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。按照工作電流的形式有，延續漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(pulsed drain current)。這個參數同樣是mosfet的一個極限參數，但此最大電流值并不代表在運行過程中漏極電流能夠達到這個值。它表示當殼溫在某一值時，假如mosfet工作電流為上述最大漏極電流，則結溫會達到最大值。所以這個參數還跟器件封裝，環境溫度有關。eoss，輸出容能量，表示輸出coss在mosfet存儲的能量大小。因為mosfet的輸出電容coss有十分顯然的非線性特性，隨vds電壓的變幻而變幻。所以假如datasheet提供了這個參數，

7、對于評估mosfet的開關損耗很有協助。并非全部的mosfet手冊中都會提供這個參數，實際上大部分datasheet并不提供。body diode di/dt 體二極管的電流變幻率，它反應了mosfet體二極管的反向復原特性。由于二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，pn結儲存的電荷必需清除，上述參數正是反應這一特性的。vgs，柵源極最大驅動電壓，這也是mosfet的一個極限參數，表示mosfet所能承受的最大驅動電壓，一旦驅動電壓超過這個極限值，即使在極短的時光內也會對柵極氧化層產生永遠性損害。普通來說，只要驅動電壓不超過極限，就不會有問題。但是，某些特別場合，由于寄

8、生參數的存在，會對vgs電壓產生不行預料的影響，需要分外注重。soa，平安工作區，每種mosfet都會給出其平安工作區域，不同雙極型晶體管，功率mosfet不會表現出二次擊穿，因此平安運行區域只容易從導致結溫達到最大允許值時的耗散功率定義。功率mosfet的選型原則了解了mosfet的參數意義，如何按照廠商的產品手冊表挑選滿足自己需要的產品呢？可以通過以下四步來挑選正確的mosfet。1） 溝道的挑選 為設計挑選正確器件的第一步是打算采納n溝道還是p溝道 mosfet.在典型的功率應用中，當一個mosfet接地，而負載銜接到干線電壓上時，該mosfet就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采納

9、n溝 道mosfet,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當mosfet銜接到及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采納p溝道 mosfet,這也是出于對電壓驅動的考慮。 2） 電壓和電流的挑選 額定電壓越大，器件的成本就越高。按照實踐閱歷，額定電壓應該大于干線電壓或 總線電壓。這樣才干提供足夠的庇護，使mosfet不會失效。就挑選mosfet而言，必需確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大vds.設計工程 師需要考慮的其他平安因素包括由開關電子設備（如電機或）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20v、電源 為2030v、85220vac應用為

10、450600v. 在延續導通模式下，mosfet處于穩態，此時電流延續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電 涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需挺直挑選能承受這個最大電流的器件便可。 3） 計算導通損耗 mosfet器件的 功率耗損可由iload2×rds（on）計算，因為導通電阻隨溫度變幻，因此功率耗損也會隨之按比例變幻。對便攜式設計來說，采納較低的電壓比較簡單 （較為普遍），而對于工業設計，可采納較高的電壓。注重rds（on）電阻會隨著電流輕微升高。關于rds（on）電阻的各種電氣參數變幻可在創造商提供 的技術資料表中查到。 4） 計算系統的散熱要求 設計人員必需考慮兩種不同的狀況，即最壞狀況和真切狀況。建議采納針對最壞狀況的計算結果，由于這 個結果提供更大的平安余量，能確保系