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文檔簡介

材料與器件 -MOCVD薄膜生長法實例 但是以O2作為氧源進行外延生長時存在如下問題:DEZn與O2在室溫下即可發生劇烈反應,溫度升高后反應更為劇烈,這種劇烈的氣相反應容易生長ZnO顆粒,破壞薄膜的質量。但是用H20作為氧源，其可能的反應過程至今仍不太清楚。H20與DEZn的反應較O2與DEZn的反應更為平緩，這可以更加有效的減少預反應,對ZnO薄膜質量的提高更有利。因此我們選用了DEZn和H20作為生長ZnO薄膜的源材料。表4-1-1為ZnO和Si襯底及A1203襯底間的適配關系,從表中可以看出,硅襯底上直接生長ZnO時,熱失配和晶格失配都使得ZnO外延層受到張應力(而在藍寶石襯底上外延ZnO都為壓應力),從而會使得外延層容易開裂,難以得到高結晶質量的ZnO外延薄膜。為了解決以上問題,在襯底和ZnO外延層之間引入緩沖層是被廣泛采用的方法,阻止襯底的氧化,并緩解晶格失配和若失配導致的張應力。采用合適的中間層(緩沖層)和恰當的生長方法及工藝,外延生長裂紋少、晶質量好、光學特性好的ZnO膜,是科研工作者探求的目標。

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