1、.1.晶體如何分類？各晶系晶胞參數(shù)的特點(diǎn)？ 按晶胞的大小與形狀可分為：晶族晶系晶胞參數(shù)面間距低級(jí)正交單斜三斜中級(jí)三方四方六方高級(jí)立方2.四種基本類型的空間點(diǎn)陣的特點(diǎn)? 按質(zhì)點(diǎn)再晶體種的分布:簡(jiǎn)單格子只有以個(gè)結(jié)點(diǎn)（0、0、0）體心格子含有兩個(gè)結(jié)點(diǎn)（0、0、0）（1/2、1/2、1/2）面心格子含有四個(gè)結(jié)點(diǎn)（0、0、0）（1/2、0、1/2）（1/2、1/2、0）（0、1/2、1/2）底心格子含有兩個(gè)結(jié)點(diǎn)（0、0、0）（1/2、0、1/2）或（1/2、1/2、0）（0、1/2、1/2）3.晶體點(diǎn)群，空間群，空間格子類型，內(nèi)部對(duì)稱要素概念與基本表示方法（1）空間群：晶體內(nèi)部對(duì)稱要素的組合，空間格子類

2、型+內(nèi)部對(duì)稱要素。表示方法：圣夫利斯符號(hào)和國(guó)際符號(hào)。（2）空間格子類型：晶體在三維空間周期性排列，表示其規(guī)律性重復(fù)的集合圖案成為空間格子。四要素：結(jié)點(diǎn)，行列，面網(wǎng)，平行六面體。表示方法：原始，體心，底心，面心。14種布拉菲格子。（3）內(nèi)部對(duì)稱要素：對(duì)稱軸，對(duì)稱面，對(duì)稱中心。表示方法：對(duì)稱型國(guó)際符號(hào)。3.倒易點(diǎn)陣的兩條基本性質(zhì)？正點(diǎn)陣與倒易點(diǎn)陣的區(qū)別與聯(lián)系。a.倒易點(diǎn)陣矢量和相應(yīng)的正點(diǎn)陣中同指數(shù)晶面相互垂直，長(zhǎng)度等于該平面族的面間距倒數(shù)。b.倒易點(diǎn)陣矢量于正點(diǎn)陣矢量的標(biāo)積必為整數(shù)。（1）正點(diǎn)陣L和倒易點(diǎn)陣L*是互為倒易的。（2）倒易矢量Rhkl垂直于正格子的一組面網(wǎng)（hkl），Rhkl垂直于（h

3、kl）（3）倒易空間的一個(gè)結(jié)點(diǎn)代表正空間的一組面，倒矢的長(zhǎng)度等于平面族的面間距的倒數(shù)R*hkl=1/dhkl Ruvw=1/d*hkl（4）倒易點(diǎn)陣矢量與正點(diǎn)陣矢量的標(biāo)積必為整數(shù)。4何謂Ka射線？何謂Kb射線？這兩種射線中哪種射線強(qiáng)度大？哪種射線波長(zhǎng)短？X射線衍射用的是哪種射線？為什么Ka射線中包含Ka1 和Ka2？是L層電子跳入K層空位時(shí)發(fā)出的X射線；是M層電子跳入K層空位時(shí)發(fā)出的X射線。由于是L層電子比M層的跳入K層空位的幾率大，因此射線比射線強(qiáng)度大；根據(jù)可知射線比射線波長(zhǎng)長(zhǎng)；X射線用的是射線。 實(shí)際上射線是由和組成的，它們分別是電子從能級(jí)跳入K層空位時(shí)產(chǎn)生的，由于的能量差很小，所以和線的

4、波長(zhǎng)很相近，都以代替.8. X射線系統(tǒng)消光規(guī)律？晶面間距d、衍射指標(biāo)（hkl）與晶胞參數(shù)的關(guān)系式？體心格子當(dāng)h+k+1=奇數(shù)時(shí)，無衍射面心格子當(dāng)h k 1奇偶混雜時(shí)，無衍射底心格子C心A心B心當(dāng)h+k=奇數(shù)時(shí)，無衍射當(dāng)k+1=奇數(shù)時(shí)，無衍射當(dāng)h+ 1=奇數(shù)時(shí)，無衍射簡(jiǎn)單格子 F=fe2i0 無消光14.X射線衍射物相定性鑒定需要哪些數(shù)據(jù)？粉晶X射線衍射卡片（JCPDS）檢索手冊(cè)的基本類型？編排方式？數(shù)據(jù)：各衍射線的衍射角、把它換算成晶面間距d，再測(cè)出各衍射線的相對(duì)強(qiáng)度。編排方式：哈那瓦特索引按強(qiáng)度遞減;芬克索引按d值遞減；字母索引按礦物的英文名稱字母順序。15.進(jìn)行混合相的X射線衍射定興分析時(shí)

5、，應(yīng)特別注意優(yōu)先考慮的問題？1）d值比相對(duì)強(qiáng)度重要；2）低角度的d值比高角度的重要；3）強(qiáng)線比弱線重要；4）特征線很重要；5）只能判斷存在某物質(zhì)而不能判斷不存在物質(zhì)，當(dāng)某相含量很少時(shí)，峰不出現(xiàn)。18.透射電子顯微圖像包括哪幾種類型？產(chǎn)生機(jī)制？圖像包括：質(zhì)厚襯度像、衍射襯度像和相位襯度像。產(chǎn)生機(jī)制：a.質(zhì)厚襯度像：是由于非晶試樣中各部分厚度和密度差別導(dǎo)致對(duì)入射電子的散射程度不同而產(chǎn)生的襯度。b.衍射襯度像：是基于晶體薄膜內(nèi)各部分滿足衍射條件的程度不同而形成的襯度。c.相位襯度像：是通過引入附加相位差，使散射波改變 ，則透射波與合成波的振幅有較大差別，從而產(chǎn)生相位襯度。20.散射襯度與什么因素有關(guān)

6、？這種圖像主要用來觀察什么？散射襯度與物質(zhì)得原子序數(shù)、組成、厚度等因素有關(guān)，主要用來觀察非晶體形貌和分布。22.衍襯像的襯度使怎么形成的？利用這種圖像可觀察什么？產(chǎn)生：是由于晶體薄膜內(nèi)部各部分滿足衍射條件的程度不同從而使各晶面的衍射強(qiáng)度不同而產(chǎn)生襯度。利用此圖像可觀察晶體種的位錯(cuò)、層錯(cuò)、空位團(tuán)等晶體缺陷。25.電子衍射斑點(diǎn)花樣幾何圖形？粉晶花樣圖形？電子衍射1）正方形立方、四方晶系2）正六邊形六方、三方、立方晶系3）有心矩形除三斜以外的晶系4）矩形除三斜以外的晶系5）平行四邊形七大晶系粉晶為一系列不同半徑的同心圓組成的圓環(huán)。28.何謂二次電子？掃描電鏡中二次電子像的襯度與什么因素有關(guān)？最適宜觀

7、察什么？二次電子是單電子激發(fā)中被入射電子轟出的試樣原子核外電子。掃描電鏡中二次電子的襯度是形貌襯度，主要取決于試樣表面相對(duì)于入射電子束的傾角，即： 其中為時(shí)的二次電子發(fā)射系數(shù)，由此可得，隨著試樣表面傾角增加，二次電子發(fā)射系數(shù)增加。二次電子像適合觀察粗糙表面和斷口的形貌。29.何謂背散射電子？掃描電鏡中背散射電子像的襯度的影響因素？最適宜觀察什么？背散射電子電子入射試樣后，受到原子的彈性和非彈性散射，由一部分電子的總散射角大于90度，重新從試樣表面逸出，這部分電子稱為背散射電子。背散射電子襯度與試樣的表面形貌以及原子系數(shù)有關(guān)，因?yàn)楸成⑸潆娮拥陌l(fā)射系數(shù)隨原子序數(shù)的增大而增大；而當(dāng)試樣表面傾角增加時(shí)

8、，作用體積改變，背散射電子的發(fā)射系數(shù)也隨之增打。背散射電子像是用來研究樣品的表面形貌和成分分布。31.電子探針X射線顯微分析有哪兩類？具體分析方法？波譜分析和能譜分析兩大類,方法：定點(diǎn)分析（定性、定量），線分布分析，面分布分析。33.振動(dòng)光譜有哪兩種類型？?jī)r(jià)鍵或基團(tuán)的振動(dòng)有些類型？哪種振動(dòng)的頻率較高、較低？振動(dòng)光譜有紅外吸收光譜和拉曼散射光譜。價(jià)鍵或基團(tuán)的振動(dòng)的有：1）伸縮振動(dòng)A.對(duì)稱伸縮振動(dòng)B.非對(duì)稱伸縮振動(dòng)2） 彎曲振動(dòng)A.變形振動(dòng)B.面內(nèi)彎曲C.面外彎曲D.扭曲振動(dòng)頻率的高低：伸縮振動(dòng)>彎曲振動(dòng) 非對(duì)稱伸縮振動(dòng)>對(duì)稱伸縮振動(dòng)35.何謂紅外光譜？紅外光譜圖的表示方法？紅外光譜圖

9、的中轟外區(qū)在什么頻率范圍？這個(gè)區(qū)域適合研究什么類型的物質(zhì)？紅外光譜連續(xù)的紅外光與分子相互作用時(shí)，若分子中原子的振動(dòng)頻率恰與紅外光波段的某一頻率相等時(shí)就引起共振吸收，形成吸收譜帶，若用適當(dāng)?shù)姆椒ò淹高^光按波長(zhǎng)及強(qiáng)度記錄下來，就形成紅外吸收光譜。紅外光譜譜圖的橫坐標(biāo)為波數(shù)（cm-1）,縱坐標(biāo)為強(qiáng)度（以透過率表示）紅外光譜的四個(gè)表征：1）譜帶的數(shù)目2）吸收帶的位置3）譜帶的形狀4）譜帶的強(qiáng)度紅外光譜的中紅外區(qū)所處的頻率范圍為4004000 cm-1，大多數(shù)有機(jī)和無機(jī)化合物的分子振動(dòng)頻率處在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，因而適合研究結(jié)構(gòu)基因、化合物純度的鑒定以及無機(jī)物的聚合度、配位數(shù)等。36.說明紅外光譜的產(chǎn)生機(jī)理和條

10、件？機(jī)理：紅外光照射物質(zhì)時(shí)，光與物質(zhì)相互作用使分子吸收了紅外光中與分子間振動(dòng)能級(jí)差相當(dāng)?shù)哪芰浚瑢?dǎo)致分子震動(dòng)能級(jí)的躍遷產(chǎn)生的。條件：1）波爾頻率條件（必要條件）2）分子在振動(dòng)過程中有偶極矩的變化（充要條件）39.拉曼光譜？說明拉曼光譜產(chǎn)生機(jī)理和條件？拉曼光譜單色光照射在樣品上時(shí)，光子與樣品中的分子發(fā)生非彈性碰撞（能量交換），產(chǎn)生頻率的變化，與其對(duì)應(yīng)的正負(fù)拉曼位移線便構(gòu)成了拉曼散射光譜。機(jī)理：作簡(jiǎn)正振動(dòng)的分子在入射波的交變電磁場(chǎng)的激發(fā)作用下，產(chǎn)生分子能級(jí)的躍遷與退激從而改變光波的頻率。產(chǎn)生的條件：分子振動(dòng)過程中有極化率的變化。40.紅外與拉曼光譜分析比較？1）拉曼光譜可擴(kuò)展（40005cm-1），

11、適合研究晶格振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)，而紅外為（4000400cm-1）低波數(shù)段不能做。2）拉曼光譜受水的干擾小，適合測(cè)含水晶體；而紅外對(duì)水敏感。3）拉曼對(duì)骨架研究有效；而紅外對(duì)骨架上的官能團(tuán)很有效.4）拉曼帶有拉曼探針，可進(jìn)行氣泡包裹氣體等顯微分析。5）拉曼譜倍頻，組頻少譜線簡(jiǎn)單。6）拉曼對(duì)樣品為非破壞性分析，但對(duì)深色樣品不好做。41.X射線光電子能譜分析的內(nèi)容？是一種什么樣的分析方法？適用什么樣的試樣？X射線光電子能譜分析的內(nèi)容是元素的成分分析、元素的定量分析、元素的化學(xué)狀態(tài)分析、固體表面相的研究以及結(jié)合物結(jié)構(gòu)的鑒定。它是一種研究物質(zhì)表面性質(zhì)和狀態(tài)的新型物理方法，適用固、液、氣體樣品。它測(cè)試主要是物質(zhì)表

12、面信息，要求試樣處于高真空和超潔凈條件下。42.X射線光電子能譜圖（XPS）上除光電子主線外還有哪些伴線？如何識(shí)別？1）俄歇線：與激發(fā)源無關(guān)，可通過換靶來識(shí)別。2）X射線伴線：A.高能X射線伴線低結(jié)合能端，高動(dòng)能端。B.雜質(zhì)X射線伴線入射X電子能量的改變。3）能量損失線特征：a.在高結(jié)合能端521ev位置b.分子間距隨原子序數(shù)的增大而增大。4）振激譜線：出現(xiàn)在XPS主峰的高結(jié)合能端機(jī)個(gè)電子伏特的位置。5）價(jià)電子線：在費(fèi)米能級(jí)（0結(jié)合能）附近。6）多重分裂線：a.裂分間距隨原子狀態(tài)、元素、種類的不同而不同。b. 裂分間距隨原子序數(shù)的增加而增加。43.X射線光電子能譜圖上，若俄歇線和光電子主線不能

13、區(qū)分時(shí)，用什么方法可以確診？X射線光電子能譜圖上，若俄歇線和光電子主線不能區(qū)分時(shí)，可以用改變靶材即改變激發(fā)源的辦法確診。因?yàn)槎硇€的動(dòng)能只和電子躍遷的能級(jí)有關(guān)，與振激源無關(guān)，而光電子主線的動(dòng)能與振激有關(guān)。所以：a.在動(dòng)能坐標(biāo)圖中，光電子峰移動(dòng)，俄歇峰不移動(dòng)；b.在結(jié)合能坐標(biāo)圖中，光電子峰不移動(dòng)，俄歇峰移動(dòng)。取先后兩次相同的坐標(biāo)中圖樣比較即可分辨出光電子主線與俄歇線。44.根據(jù)離子型化合物模型，XPS譜線化學(xué)位移的規(guī)律？由于原子所處的化學(xué)環(huán)境的變化而引起的結(jié)合能位移稱為化學(xué)位移。1）氧化還原與化學(xué)位移的規(guī)律 a.氧化作用使內(nèi)層電子結(jié)合能上升，氧化失去電子越多，結(jié)合能上升幅度越大；b.還原作用使內(nèi)

14、層電子結(jié)合能下降，還原得到的電子越多，結(jié)合能下降的幅度越大；c.給定結(jié)構(gòu)的原子，所有內(nèi)層電子結(jié)合能的化學(xué)位移相同。2）化學(xué)位移的規(guī)律 a.原子內(nèi)殼層電子結(jié)合能與和它成鍵的離子的電負(fù)性越大，電子結(jié)合能越大；b.化合物中有不同離子取代時(shí)，電子結(jié)合能發(fā)生化學(xué)位移，取代離子的電負(fù)性越大，位移越大。45.利用光電子能譜圖進(jìn)行元素分析的依據(jù)是什么？進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析依據(jù)和分析方法？利用光電子能譜圖進(jìn)行元素分析的依據(jù)是譜線的電子結(jié)合能與譜線的強(qiáng)度進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析（元素的化學(xué)狀態(tài)分析）依據(jù)是電子結(jié)合能的化學(xué)位移。結(jié)構(gòu)分析的具體分析方法有：a.光電子線位移法；b.俄歇線位移法；c.俄歇參數(shù)與二維狀態(tài)圖法；d.雙線分裂距離

15、法；e.振激線法。17.簡(jiǎn)單電子衍射花樣標(biāo)定的基本方法和步驟?簡(jiǎn)單斑點(diǎn)花樣：指一個(gè)晶帶產(chǎn)生，只有一套斑點(diǎn)（最小基本平行四邊形相同）。標(biāo)定步驟：1.判斷是否為簡(jiǎn)單斑點(diǎn)；2.圍繞透射斑點(diǎn)（最亮最大工業(yè)選擇基本平行四邊形，原則a=最短邊原則，b全定原則90°）；3.測(cè)量各斑點(diǎn)到透射斑名距離R，并計(jì)算d，最少測(cè)平行四邊形三個(gè)，最好多測(cè)；4.確定晶面族指數(shù)hbla用XRD指數(shù)標(biāo)定的方法（多測(cè)斑點(diǎn)一張或兩張）；b查卡XRD的PDF卡片確定hbl，根據(jù)物相d值相同或相近的原則；5.確定晶面指數(shù)（斑點(diǎn)或環(huán)指數(shù)）；6.其它指數(shù)：按一定的方向遞增或遞減；原點(diǎn)兩則指數(shù)相同符號(hào)相反；不同方向矢量合成；7.按

16、晶帶定律計(jì)算晶節(jié)軸指數(shù)uvw，用逆時(shí)針法則計(jì)算。18.衍射線指數(shù)標(biāo)定和晶胞參數(shù)確定方法與步驟立方晶系：a 、根據(jù)實(shí)驗(yàn)得到相應(yīng)的d，并由低角度開始設(shè)第一條線為d1，第i條線為di， 計(jì)算所有比值 b 、定第一條線指標(biāo)：若比值大部分或全部是整數(shù)，低角度第一條是(100);比值中只有一小部分是整數(shù)，其余小數(shù)部分是0.5，則為(110)；若小數(shù)部分是0.33或0.67則為(111) c. 將(1/di2比1/d12)比值乘第一條線的指標(biāo)的平方和（h12+k12+l12）且化為整數(shù) d. 若有平方和不可能出現(xiàn)的數(shù)為7、15、23、乘以2消去。e .根據(jù)上述得出的整數(shù)定（hkl），結(jié)合消光規(guī)律。并可求出晶胞參數(shù)。 46.選擇最合適的測(cè)試分析方法1）尺寸小于5的礦物的形貌觀察分析掃描電鏡二次電子像2）有機(jī)材料中化學(xué)鍵的物相分