1、模擬電子技術模擬試題一一、 填空題：（每空1分 共40分）6、單極型晶體管又稱為 場效應（MOS） 管。其導電溝道分有 N 溝道和 P 溝道。 7、穩壓管是一種特殊物質制造的 面 接觸型 硅晶體 二極管，正常工作應在特性曲線的 反向擊穿 區。 8、MOS管在不使用時應避免 柵 極懸空，務必將各電極短接。 1、PN結正偏時（ 導通 ），反偏時（ 截止 ），所以PN結具有（ 單向 ）導電性。 2、漂移電流是（ 反向 ）電流，它由（ 少數 ）載流子形成，其大小與（ 溫度 ）有關，而與外加電壓（ 無關 ）。 3、所謂理想二極管，就是當其正偏時，結電阻為（ 零 ），等效成一條直線；當其反偏時，結電阻為（

2、 無窮大 ），等效成斷開； 4、三極管是（ 電流 ）控制元件，場效應管是（ 電壓 ）控制元件。 5、三極管具有放大作用外部電壓條件是發射結（ 正偏 ），集電結（ 反偏 ）。 6、當溫度升高時，晶體三極管集電極電流Ic（ 增加 ），發射結壓降（ 減小 ）。 7、三極管放大電路共有三種組態分別是（ 共射極 ）、（ 共集電極 ）、（ 共基極 ）放大電路。 11、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個信號，稱為（ 共模 ）信號，而加上大小相等、極性相反的兩個信號，稱為（ 差模 ）信號。 12、為了消除乙類互補功率放大器輸出波形的（ 交越 ）失真，而采用（ 甲乙 ）類互補功率放大器。 14、共集

3、電極放大電路具有電壓放大倍數（ 小于近似等于一 ），輸入電阻（ 大 ），輸出電阻（ 小 ）等特點，所以常用在輸入級，輸出級或緩沖級。 15、差分放大電路能夠抑制（ 零點 ）漂移，也稱（ 溫度 ）漂移，所以它廣泛應用于（ 集成 ）電路中。 16、用待傳輸的低頻信號去改變高頻信號的幅度稱為（ 調幅 ），未被調制的高頻信號是運載信息的工具，稱為（載波信號）。1、 在時間上和數值上均作連續變化的電信號稱為 模擬 信號；在時間上和數值上離散的信號叫做 數字 信號。2、 數字電路中，輸入信號和輸出信號之間的關系是 邏輯 關系，所以數字電路也稱為 邏輯 電路。在 邏輯 關系中，最基本的關系是 與邏輯 、 或

4、邏輯 和 非邏輯 。4、用來表示各種計數制數碼個數的數稱為 基數 ，同一數碼在不同數位所代表的 位權 不同。十進制計數各位的 基 是10， 位權 是10的冪。5、 8421 BCD碼和 2421 碼是有權碼； 余3 碼和 格雷 碼是無權碼。3、將放大器 輸出信號 的全部或部分通過某種方式回送到輸入端，這部分信號叫做 反饋 信號。使放大器凈輸入信號減小，放大倍數也減小的反饋，稱為 負 反饋；使放大器凈輸入信號增加，放大倍數也增加的反饋，稱為 正 反饋。放大電路中常用的負反饋類型有 電壓串聯 負反饋、 電流串聯 負反饋、 電壓并聯 負反饋和 電流并聯 負反饋。4、射極輸出器具有 電壓增益 恒小于1

5、、接近于1， 輸入信號 和 輸出信號 同相，并具有 輸入電阻 高和 輸出電阻 低的特點。7、十進制整數轉換成二進制時采用 除2取余 法；十進制小數轉換成二進制時采用 乘2取整 法。8、十進制數轉換為八進制和十六進制時，應先轉換成 二進 制，然后再根據轉換的 二進制 數，按照 三位 一組轉換成八進制；按 四位 一組轉換成十六進制。9、8421BCD碼是最常用也是最簡單的一種BCD代碼，各位的權依次為 8 、 4 、 2 、 1 。8421BCD碼的顯著特點是它與 二進制 數碼的4位等值 09 完全相同。10、 原碼 、 反碼 和 補碼 是把符號位和數值位一起編碼的表示方法，是計算機中數的表示方法

6、。在計算機中，數據常以 補碼 的形式進行存儲。8、JK觸發器的次態方程為 ；D觸發器的次態方程為 。9、觸發器有兩個互非的輸出端Q和，通常規定Q=1，=0時為觸發器的 “1” 狀態；Q=0，=1時為觸發器的 “0” 狀態。1、P型半導體中不能移動的雜質離子帶負電，說明P型半導體呈負電性。 （錯） 2、自由電子載流子填補空穴的“復合”運動產生空穴載流子。 （對）5、無論在任何情況下，三極管都具有電流放大能力。 （錯）6、雙極型晶體管是電流控件，單極型晶體管是電壓控件。 （對）7、二極管只要工作在反向擊穿區，一定會被擊穿。 （錯）8、當三極管的集電極電流大于它的最大允許電流ICM時，該管必被擊穿。

7、 （錯）9、雙極型三極管和單極型三極管的導電機理相同。 （錯）10、雙極型三極管的集電極和發射極類型相同，因此可以互換使用。 （錯）2、 選擇題（每空2分 共30分） 1、僅具有置“0”和置“1”功能的觸發器是（ C ）。A、基本RS觸發器 B、鐘控RS觸發器 C、D觸發器 D、JK觸發器2、由與非門組成的基本RS觸發器不允許輸入的變量組合為（ A ）。A、00 B、01 C、10 D、113、鐘控RS觸發器的特征方程是（ D ）。A、 B、C、 D、4、僅具有保持和翻轉功能的觸發器是（ B ）。A、JK觸發器 B、T觸發器 C、D觸發器 D、T觸發器5、觸發器由門電路構成，但它不同門電路功能

8、，主要特點是（ C ）A、具有翻轉功能 B、具有保持功能 C、具有記憶功能1、邏輯函數中的邏輯“與”和它對應的邏輯代數運算關系為（ B ）。A、邏輯加 B、邏輯乘 C、邏輯非2、十進制數100對應的二進制數為（ C ）。A、1011110 B、1100010 C、1100100 D、110001003、和邏輯式表示不同邏輯關系的邏輯式是（ B ）。A、 B、 C、 D、4、數字電路中機器識別和常用的數制是（ A ）。A、二進制 B、八進制 C、十進制 D、十六進制5、56的補碼是（ D ）。A、00111000B B、11000111B C、01000111B D、01001000B6、所謂機

9、器碼是指（ B ）。A、計算機內采用的十六進制碼 B、符號位數碼化了的二進制數碼C、帶有正負號的二進制數碼 D、八進制數 2、P型半導體是在本征半導體中加入微量的（ A ）元素構成的。 A、三價； B、四價； C、五價； D、六價。3、穩壓二極管的正常工作狀態是（ C ）。 A、導通狀態； B、截止狀態； C、反向擊穿狀態； D、任意狀態。 1、穩壓二極管是一個可逆擊穿二極管，穩壓時工作在（ B ）狀態，但其兩端電壓必須（ C ）它的穩壓值Uz才有導通電流，否則處于（ F ）狀態。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、導通 F、截止 2、用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是

10、2V、6V、2.7V，則三個電極分別是（ C ），該管是（ D ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、對功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（ B ），此時應該（ E ）偏置電阻。 A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小 5、差分放大電路是為了（ C ）而設置的。 A、穩定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移 6、共集電極放大電路的負反饋組態是（ A ）。 A、壓串負 B、流

11、串負 C、壓并負 7、差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ（ B）倍。 A、1 B、2 C、3 8、為了使放大器帶負載能力強，一般引入（ A ）負反饋。 A、電壓 B、電流 C、串聯 9、分析運放的兩個依據是（ A ）、（ B ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=15、TTL門電路中，哪個有效地解決了“線與”問題？哪個可以實現“總線”結構？答：TTL門電路中，OC門有效地解決了“線與”問題，三態門可以實現“總線”結構。1、N型半導體中的多子是帶負電的自由電子載流子，P型半導體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說N型半導體帶負電，P型半導體帶正

12、電。上述說法對嗎？為什么？ 答：這種說法是錯誤的。因為，晶體在摻入雜質后，只是共價鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了N型半導體或P型半導體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，所以仍呈電中性。2、某人用測電位的方法測出晶體管三個管腳的對地電位分別為管腳12V、管腳3V、管腳 3.7V，試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。答：管腳和管腳電壓相差0.7V，顯然一個硅管，是基極，一個是發射極，而管腳比管腳和的電位都高，所以一定是一個NPN型硅管。再根據管子在放大時的原則可判斷出管腳是發射極，管腳是基極，管腳是集電極。圖1-293、圖1-29所示電路中，已知E=5V，V，二極管為理想元件（即認為正

13、向導通時電阻R=0，反向阻斷時電阻R=），試畫出u0的波形。u/Vt0uiu0105答：分析：根據電路可知，當ui>E時，二極管導通u0=ui，當ui<E時，二極管截止時，u0=E。所以u0的波形圖如下圖所示：5、圖1-34所示電路中，硅穩壓管DZ1的穩定電壓為8V，DZ2的穩定電壓為6V，正向壓降均為0.7V，求各電路的輸出電壓U0。答：（a）圖：兩穩壓管串聯，總穩壓值為14V，所以U0=14V；（b）圖：兩穩壓管并聯，輸出電壓按小值計，因此U0=6V；（c）圖：兩穩壓管反向串聯，U0=8.7V；（d）圖：兩穩壓管反向并聯，可認為DZ1截止不通，則U0=0.7V。圖1-30 7、

14、如果把三極管的集電極和發射極對調使用？三極管會損壞嗎？為什么？答：集電極和發射極對調使用，三極管不會損壞，但是其電流放大倍數大大降低。因為集電極和發射極的雜技濃度差異很大，且結面積也不同。2、已知NPN型三極管的輸入輸出特性曲線如圖1-32所示，當（1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？（2）IB=50A，UCE=5V，IC=？ 圖1-32IC (mA)UCE (V)108642100A 80A 60A 40A 20AIB001 2 3 4 5 6 7 8（b）輸出特性曲線（a）輸入特性曲線IB (A)12080604020UBE (V)00.1 0.3 0.5 0.7 0.9 （3）U

15、CE=6V，UBE從0.7V變到0.75V時，求IB和IC的變化量，此時的（9分）解：（1）由（a）曲線查得UBE=0.7V時，對應IB=30A，由(b)曲線查得IC3.6mA；（2）由（b）曲線可查得此時IC5mA；（3）由輸入特性曲線可知，UBE從0.7V變到0.75V的過程中，IB30A，由輸出特性曲線可知，IC2.4mA，所以2400/3080。1、共發射極放大器中集電極電阻RC起的作用是什么？（5分）答：RC起的作用是把晶體管的電流放大轉換成放大器的電壓放大。25VRCRB1C1C2uiu0圖2-23 檢測題2-5-1電路圖RB2RECE1、如圖2-23所示分壓式偏置放大電路中，已知

16、RC3.3K，RB140K，RB210K，RE1.5K，=70。求靜態工作點IBQ、ICQ和UCEQ。（8分，圖中晶體管為硅管）解：靜態工作點為：試題一答案一、填空（每空1分 共40分）1、導通 截止 單向 2、反向 少數 溫度 無關3、零 無窮大4、電流 電壓5、正偏 反偏6、增加 減小7、共射極 共集電極 共基極8、直流 電流9、A/1+AF 1/F10、1+AF fH fL 1+AF11、共模 差模12、交越 甲乙13、雙 單14、小于近似等于1 大 小15、零點 溫度 集成16、調幅 載波信號17、KUxUy 二、選擇題（每空2分 共30分）1、B C F 2、C D 3、B C E

17、4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B模擬電子技術模擬試題二一、填空題（每空1分 共32分） 1、P型半導體中空穴為（ 少數 ）載流子，自由電子為（ 多數 ）載流子。5、當溫度升高時，三極管的等電極電流I（ 增加 ），發射結壓降UBE（ 減小 ）。 6、晶體三極管具有放大作用時，發射結（ 正偏 ），集電結（ 反偏 ）。 8、為了穩定三極管放大電路和靜態工作點，采用（ 直流 ）負反饋，為了減小輸出電阻采用（ 電壓 ）負反饋。10、共模信號是大小（ 相等 ），極性（ 相同 ）的兩個信號。11、乙類互補功放存在（ 交越 ）失真，可以利用（ 甲乙 ）類互補功放來克服。12、用低頻信

18、號去改變高頻信號的頻率稱為（ 調頻 ），低頻信號稱為（ 調制 ）信號，高頻信號稱高頻（ 高頻載波 ）。14、要保證振蕩電路滿足相位平衡條件，必須具有（ 正反饋 ）網絡。15、在橋式整流電阻負載中，理想二極管承受最高反壓是（2U2 ）。二、選擇題（每空2分 共30分） 3、共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（ B ）失真，下半周失真時為（ A ）失真。 A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率 5、共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路（ A ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在（ B ）

19、之間變化。 A、020 B、20200 C、2001000 7、單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=（ C ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 9、對功率放大器的主要要求有（ B ）（ C ）（ E ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振蕩器的輸出信號最初由（ C ）而來的。 A、基本放大器 B、選頻網絡 C、干擾或噪聲信號 試題二答案一、填空（每空1分 共32分）1、多數 少數2、導通 截止 單向3、少數 溫度 無關4、電流 電壓5、增加 減小6、正偏 反偏7、共射極 共集電極 共基極8、直流 電壓9、A/1+AF 1/F10、相等

20、 相同11、交越 甲乙12、調頻 調制 高頻載波13、好 1+14、正反饋15、2U2二、選擇題（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C模擬電子技術模擬試題三一、填空題（每空1分，共15分）1. N型半導體中多數載流子是（自由電子），P型半導體中多數載流子是（空穴），PN結具有單向導電）特性。2. 發射結（正向）偏置，集電結（正向）偏置，則三極管處于飽和狀態。3. 當Ucs=0時，漏源之間存在導電溝道的稱為（耗盡）型場效應管，漏源之間不存在導電溝道的稱為（增強）型場效應管。4. 集成運算放大器在比例運算電路中工作在

21、（線性放大）區，在比較器中工作在（線性）區。5. 在放大電路中為了提高輸入電阻應引入（串聯）負反饋，為了降低輸出電阻應引入（電壓）負反饋。 二、選擇題（每題2分，共20分） 1、一個平衡PN結，用導線將P區和N區連起來，而導線中（ B ）。A、有微弱電流 B、無電流 C、有瞬間微弱電流2、晶體管在大電流工作時，隨Ic的增加值將（ B ）。 A、增加 B、下降 C、不變3、三極管的反向電流ICBO是由（ B ）組成的。 A、多數載流子 B、少數載流子 C、多數載流子和少數載流子4、放大器的輸入電阻高，表明其放大微弱信號能力（A）。、強、弱、一般、射極跟隨器具有（C）特點。、電流放大倍數高、電壓放

22、大倍數高、電壓放大倍數近似于且小于輸入電阻高，輸出電阻低、工作在線性區的運算放大器應置于（A）狀態。、深度反饋 、開環 、閉環、產生正弦波自激震蕩的穩定條件是（C）。 A、引入正反饋 B、|AF|1 C、AF=110、測量脈沖電壓（例如尖脈沖）的峰值應使用（C）。、交流毫伏表、直流電壓表 、示波器、 試題三答案一 填空題 1自由電子 空穴 單向導電 2正向 正向3耗盡 增強420 4650.1 1.996線性放大 非線性7，串聯 電壓二 選擇題1b)；2b)；3b)；a)； c)；c)； a)； a)； C）； c)；模擬電子技術模擬試題四一 、填空題（每空1分 ，共32分）1、自由電子為（

23、多數 ）載流子，空穴為（ 少數 ）載流子的雜質半導體稱為（ N型 ）半導體。2、PN結的單向導電性，就是PN結正偏時（ 導通 ），反偏時（截止 ）。3、擴展運動形成的電流是（ 正向 ）電流，漂移運動形成的電流是（ 反向 ）。4、所謂理想二極管就是當其正偏時，結電阻為（ 零 ），等效成一條直線；當其反偏時，結電阻為（ 無窮大 ），等效成開斷。6、當溫度升高時三極管的集電極電流IC（ 增加 ），電流放大系數（增加）。7、為了提高三極管放大電路的輸入電阻，采用（串聯）負反饋。為了穩定輸出電流，采用（電流）負反饋。8、負反饋使放大電路增益（ 下降 ），但（ 提高 ）增益穩定性。10、差模信號是大小（

24、相等 ），極性（ 相反 ），差分電路不抑制（ 溫度 ）漂移。12、用低頻信號去改變高頻信號的（ 幅度 ）稱為調幅，高頻信號稱為（ 載波 ）信號。13、當頻率升高時，晶體管電流放大系數（ 下降 ）共基極電路比共射極電路的高頻特性（ 好 ），fa=（ 1+ ）f。二、選擇題（每空2分，共30分）2、測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是（ C ），該管是（ E ）型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（ B ）失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為（ A

25、）失真。A 飽和 B 截止 C交越 D頻率6、LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在（ B ）變化。A 0-20 B 20 -200 C 200-1000試題四答案一、填空（每空1分 共32分）1、多數 少數2、導通 截止3、正向 反向4、零 無窮大5、gmugs 電壓6、增加 增加7、串聯 電流8、下降 提高9、 (1+AF) Xf/Xo 反饋系數10、相等 相反 溫度11、乙類 交越12、幅度 載波13、下降 好 1+14、AF=1 相位平衡條件15、2U2二、選擇題（每空2分 共34分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、 A6、B 7、C 8、A B 9、B C E

26、 10、C模擬電子技術模擬試題五一、判斷下列說法是否正確，用“×”或“”表示判斷結果。 （10分）1只要滿足相位平衡條件，電路就會產生正弦波振蕩。 （ × ）2引入直流負反饋可以穩定靜態工作點。 （ ）3負反饋越深，電路的性能越穩定。 （ × ）4零點漂移就是靜態工作點的漂移。 （ ）5放大電路采用復合管是為了增大放大倍數和輸入電阻。 （ ）6鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應完全相同。 （ ）7半導體中的空穴帶正電。 （ ）8 P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。 （ × ）9實現運算電路不一定非引入負反饋。 （ × ）10凡是引入正反饋的集

27、成運放，一定工作在非線性區。 （ × ）二、選擇填空 （10分）（1）為了增大輸出電阻，應在放大電路中引入 A、D ；為了展寬頻帶，應在放大電路中引入 C 。 （A）電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋 （D）交流負反饋（3）集成運放的互補輸出級采用 B 。 （A）共基接法 （B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（6）當PNP型晶體管工作在放大區時，各極電位關系為uC B uB （B） uE 。（A） > （B） < （C） = （D）（7）鍺二極管的正向導通壓降比硅二極管的 B 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5分）圖示電路中二極管為理想二極管

28、，請判斷它是否導通，并求出u0。 答：二極管截止 u0= -6v 四、（10分）在一個放大電路中，三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示，將每只管子所用材料（Si或Ge）、類型（NPN或PNP）及管腳為哪個極（e、b或c）填入表內。 管 號 T1 T2 T3 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電 極名 稱 BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CCB 材 料SiGeSi 類 型NPNPNPNPN試題五答案一、（1）×（2）（3）×（4）（5） （6）（7）（8）×（9）×（10）×二、（1）A、D（2）C（3）

29、B（4）B（5）B、C （6）B、B（7）B三、二極管D截止，-6V四、 管 號 T1 T2 T3 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電 極名 稱BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CCB 材 料SiGeSi 類 型NPNPNPNPN模擬電子技術模擬試題六一、選擇題（每空2分 共30分） 5、共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路（ A ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低二 、填空題（每空1分 ，共32分）2、PN結的P型側接高電位，N型側接低電位稱為（ 正偏 ）反之稱為（ 反偏 ）4、穩定二極管穩壓時是處于（

30、 反向 ）偏置狀態，而二極管導通時是處于（ 正向 ）偏置狀態。5、晶體三極管的集電極電流Ic=( ) Ib，所以它是（ 電流 ）控制元件。6、當溫度升高時三極管的反向飽和電流I CBO（ 增加 ）所以Ic也（ 也增加 ) 。 8、負反饋使放大電路增益（下降），但它可以（ 擴展 ）通頻帶（ 減少 ）失真。11、OCL電路是（ 雙 ）電源互補功放，OTL是（ 單 ）電源互補功放。試題六答案一、選擇題（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C二、填空（每空1分 共32分）1、多數 少數2、正偏 反偏3、少數 溫度 無關4、

31、反向 正向5、 電流6、增加 也增加7、直流 電壓 串聯8、擴展 減少9、Xf/Xo 1+AF10、共模 差模11、雙 單12、調相 調制 載波13、下降 好14、AF=1 正15、2U2模擬電子技術模擬試題七一、選擇題（每空2分，共34分）2、測某電路中三極管各極電位分別是0V、-6V、0.2V則三極管的三個電極分別是（ C ），該管是（ D ）。A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)二 、填空題（每空1分 ，共32分）3、擴展運動形成的電流是（ 正向 ）電流，漂移運動形成的電流是（ 反向 ）。6、當溫度升高時三極管的集電極電流IC（ 增加 ），電

32、流放大系數（ 增加）。8、負反饋使放大電路增益（ 下降 ），但（ 提高 ）增益穩定性。10、差模信號是大小（ 相等 ），極性（ 相反 ），差分電路不抑制（ 溫度 ）漂移。試題七答案一、選擇題（每空2分 共34分）1、A 2、C D 3、B A 4、C 5、B C E6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C二、填空題（每空1分 共32分）1、多數 少數2、導通 截止3、正向 反向4、零 無窮大5、gmugs 電壓6、增加 增加7、串聯 電流8、下降 提高9、 (1+AF) Xf/Xo 反饋系數10、相等 相反 溫度11、乙類 交越12、幅度 載波13、下降 好 1+14、AF=1 相

33、位平衡條件15、2U2模擬電子技術模擬試題八一、選擇題（每空2分，共30分）2、測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是（ C ），該管是（ E ）型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)5、KMCR是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路（ A ）能力。A放大差模抑制共模 B 輸入電阻高 C輸出電阻低二、填空題：（每空1分 共40分） 5、三極管具有放大作用外部電壓條件是發射結（ 正偏 ），集電結（ 反偏 ）。 6、當溫度升高時，晶體三極管集電極電流Ic（ 增加 ），發射結壓降（ 減小 ）。 12、為

34、了消除乙類互補功率放大器輸出波形的（ 交越 ）失真，而采用（ 甲乙 ）類互補功率放大器。 14、共集電極放大電路具有電壓放大倍數（ 小于近似等于1 ），輸入電阻（ 大 ），輸出電阻（小 ）等特點，所以常用在輸入級，輸出級或緩沖級。 15、差分放大電路能夠抑制（ 零點 ）漂移，也稱（ 溫度 ）漂移，所以它廣泛應用于（ 集成 ）電路中。試題八答案一、選擇題（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、 A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C二、填空（每空1分 共40分）1、導通 截止 單向 2、反向 少數 溫度 無關3、零 無窮大4、電流 電壓5、正偏 反偏6、

35、增加 減小7、共射極 共集電極 共基極8、直流 電流9、A/1+AF 1/F10、1+AF fH fL 1+AF11、共模 差模12、交越 甲乙13、雙 單14、小于近似等于1 大 小15、零點 溫度 集成16、調幅 載波信號17、KUxUy 模擬電子技術模擬試題九 一、判斷下列說法是否正確，用“×”或“”表示判斷結果。 （10分）（1）在運算電路中，同相輸入端和反相輸入端均為“虛地”。 （ × ）（2）電壓負反饋穩定輸出電壓，電流負反饋穩定輸出電流。 （ ）（3）使輸入量減小的反饋是負反饋，否則為正反饋。 （ × ）（4）產生零點漂移的原因主要是晶體管參數受溫度

36、的影響。 （ × ）（5）利用兩只NPN型管構成的復合管只能等效為NPN型管。 （ ）（6）本征半導體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。 （ ）（7）未加外部電壓時，PN結中電流從P區流向N區。 （ × ）（8）集成運放在開環情況下一定工作在非線性區。 （ ）（9）只要引入正反饋，電路就會產生正弦波振蕩。 （ × ）（10）直流穩壓電源中的濾波電路是低通濾波電路。 （ ）二、選擇填空 （10分）（1）為了減小輸出電阻，應在放大電路中引入 B ； 為了穩定靜態工作點，應在放大電路中引入 C 。 （A）電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋（D）交流負反饋（3）通

37、用型集成運放的輸入級多采用 D 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）兩個相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數約為 B 。 （A） （B）2 （C）2 （D）1+（5）在（A）、（B）、（C）三種電路中輸出電阻最小的電路是 B ； 既能放大電流，又能放大電壓的電路是 C 。 （A）共基放大電路 （B）共集放大電路 （C）共射放大電路 （6）當NPN型晶體管工作在放大區時，各極電位關系為uC A uB A uE 。 （A） > （B） < （C） = （D）（7）硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管的 A 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5

38、分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出u0。 答：二極管D導通，-3V試題十答案一、（1）×（2）（3）×（4）（5） （6）（7）×（8）（9）×（10）二、（1）B、C（2）B（3）D（4）B（5）B、C （6）A、A（7）A三、二極管D導通，-3V四、； ；增大；減小；減小；減小 模擬電子技術模擬試題十一 一、選擇題（每空2分 共30分） 1、穩壓二極管是一個可逆擊穿二極管，穩壓時工作在（ B ）狀態，但其兩端電壓必須（ C ），它的穩壓值Uz才有導通電流，否則處于（ F ）狀態。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、導

39、通 F、截止 6、共集電極放大電路的負反饋組態是（ A ）。 A、壓串負 B、流串負 C、壓并負 7、差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ（ B ）倍。 A、1 B、2 C、3 8、為了使放大器帶負載能力強，一般引入（ A ）負反饋。 A、電壓 B、電流 C、串聯 9、分析運放的兩個依據是（ A ）、（ B ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1二、填空題（每空1分 共32分） 1、P型半導體中空穴為（ 多數 ）載流子，自由電子為（ 少數 ）載流子。 3、反向電流是由（ 少數 ）載流子形成，其大小與（ 溫度 ）有關，而與外加電壓（ 無關 ）。

40、5、當溫度升高時，三極管的等電極電流I（ 增加 ），發射結壓降UBE（ 減小 ）。 6、晶體三極管具有放大作用時，發射結（ 正偏 ），集電結（ 反偏 ）。 8、為了穩定三極管放大電路和靜態工作點，采用（ 直流 ）負反饋，為了減小輸出電阻采用（ 電壓 ）負反饋。14、要保證振蕩電路滿足相位平衡條件，必須具有（ 正反饋 ）網絡。15、在橋式整流電阻負載中，理想二極管承受最高反壓是（ 2U2 ）。 試題十一答案一、選擇題（每空2分 共30分）1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B二、填空（每空1分 共32分）1、多數 少數2、導通 截止

41、 單向3、少數 溫度 無關4、電流 電壓5、增加 減小6、正偏 反偏7、共射極 共集電極 共基極8、直流 電壓9、A/1+AF 1/F10、相等 相同11、交越 甲乙12、調頻 調制 高頻載波13、好 1+14、正反饋15、2U2 模擬電子技術模擬試題十二一、填空題（20分，每空1分）2 在有源濾波器中，運算放大器工作在 線性 區；在滯回比較器中，運算放大器工作在 非線性 區。3 在三極管多級放大電路中，已知Au120，Au210，Au31，則可知其接法分別為：Au1是 共基 放大器，Au2是 共射 放大器，Au3是 共集 放大器。 二、基本題：（每題5分，共25分）1（5分）如圖所示電路中D為理想元件，已知ui = 5sintV ，試對應ui畫出uo的波形圖。  2（5分）測得電路中NPN型硅管的各級電位如圖所示。試分析管子的工作狀態（截止、飽和、放大）。   試題十二答案 一、1電流、正向、反向；電壓。2線性、非線性。3共基、共射、共集。4差模、共模、。5低通、200、200。6乙類、0、0.2。 二、 2放大狀態。4