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文檔簡介
1、一、填空題(每題2分,共20分) 1實際使用的電源,按其外特性可以分為( )和( )。2有一種物質(zhì),它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間,這就是( ),如硅、鍺。3數(shù)字工程中,按存取方式分類,常用的存儲器有順序方向存儲器,( )存儲器,( )存儲器三種。4電路的功能大致可以分為兩類,一類是作為( )的傳輸和轉(zhuǎn)換,如電力電路;一類是作為實現(xiàn)( )的傳遞和處理,如信號電路。5如右圖所示的電路中,b點的電位為( )v。 6測得工作在放大區(qū)的晶體三極管三個電極的電位分別為+2.3v、+2v、+8v,則此管的三個電極先后為基極、( )極和( )極。7存儲器的( )和( )是反映系統(tǒng)性能的兩個重要指標(biāo)。_8某放
2、大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為4v, 接入3k的負(fù)載電阻后輸出電壓為3v,這說明放大電路的輸出電阻為( )。9將十進(jìn)制數(shù)18.625化為二進(jìn)制數(shù)為( ),化為十六進(jìn)制數(shù)為( )。10設(shè)輸入變量為a、b、c,判別當(dāng)三個變量中有奇數(shù)個1時,函數(shù)f=1, 否則f=0, 實現(xiàn)它的異或表達(dá)式為f=( )。二、單項選擇題(每小題2分,共10分 )1pn結(jié)加上反向電壓,自建電場與外加電場方向( ),內(nèi)電場( )。 a. 相反 加強 b. 一致 加強c. 相反 減弱 d. 一致 減弱2下列電路中,( )不是時序電路。a. 計數(shù)器 b. 觸發(fā)器c. 寄存器 d. 譯碼器3圖示電路中,ab之間電壓v對應(yīng)的方程式為
3、( )。a.v=ir+e b.v=ir-e c.v=-ir-e d. -v=ir+e4右圖是下面哪類場效應(yīng)管的圖符?a. n溝道耗盡型場效應(yīng)管 b. p溝道耗盡型場效應(yīng)管 c. n溝道耗盡型mos管 d. p溝道耗盡型mos管 5組合邏輯電路險象的消除方法不包括( )a. 多余項插入法 b. 改變電路結(jié)構(gòu)c. 加接慣性環(huán)節(jié) d. 消除選通脈沖三、分析計算題(共70分)1求圖中電路中a、b、c各點的電位。(其中e1=5v, e2=10v, r1=2, r2=5, r3=4) 2邏輯電路的輸入a、b的波形和輸出f的波形之間的關(guān)系如圖所示,試列出真值表,寫出函數(shù)f的邏輯關(guān)系式,并畫出實現(xiàn)此函數(shù)的邏輯
4、圖。 3已知電路如圖所示,求電流i。(其中e1=12v, e2=24v, e3=4v, r1=6, r2=12, r3=1,r4=3)4由兩個電源共同向負(fù)載r供電的電路如下,已知電源的電動勢e1=e2=110v, 內(nèi)阻r1=10, r2=5,負(fù)載兩端電壓讀數(shù)為90v, 試求兩電源供電電流i1、i2,負(fù)載電阻r以及兩電源發(fā)出的功率。(電壓表內(nèi)阻的影響忽略不計)5在電路圖的輸入端i(t)加入如圖所示波形,視d為理想開關(guān),試對應(yīng)畫出輸出o(t)的波形。 6今有一個額定電壓vn=110v, 功率pn=45w的電烙鐵,要接在220v的電源上工作,為了保證正常工作,試問要串入多大的電阻值?這樣連接工作在經(jīng)
5、濟上是否合理?7已知電路如圖所示,us=18v, ro=4, 求rl為何值時,負(fù)載獲得功率最大,并求出最大功率。 8電路如圖所示,設(shè)t0時,電路已達(dá)穩(wěn)定,在t=0時,開關(guān)k由位置1轉(zhuǎn)到位置2, 與具有r1的電壓源e相接通。求電容電壓c (t)的變化規(guī)律,并畫出波形。9描述邏輯電路的方稱為f=ab+ ,試寫出它的真值表,畫出邏輯電路圖。 =答案:一、填空題1電壓源 電流源 2半導(dǎo)體 3隨機存取 只讀 4能量 信號 52 6發(fā)射極 集電極 7存儲容量 存取時間 81k 910010.101 10abc 二、選擇題1b 2d 3a 4c 5d三、分析計算題1解:在計算時注意電阻元件上是否有電流流過,
6、由于e2、r2以及e1沒有構(gòu)成回路,所以它們中沒有電流流過,各點電位為:vb=vbo=e2=10vvc=vco=vcb+vbo= -5v+10v=15vva=vao=vab+vbo= -i*r3+vbo=6v 2解:根據(jù)輸入輸出的波形關(guān)系列真值表,如表所示。由此寫出函數(shù)f的邏輯表達(dá)式為f=a +b于是,實現(xiàn)f的邏輯圖如圖所示: 3解:i= (16v +4v)/ (4 +1 +3)=2.5a4解:因為 i1r1+ vab =e1 所以 i1=( 110-90)/10=2a因為 i2r2 +vab =e2 所以 i2= ( 110- 90)/ 5= 4a因為 i1 +i2= i 所以 i =2+4
7、=6a ,rl=90/6=15 5解:vo(t)的波形如圖所示: 6解:串聯(lián)的電阻r=269 串聯(lián)電阻的功率p=45w當(dāng)電烙鐵在正常工作時,串入的電阻也消耗功率,并等于45w, 因此這種工作方式,在電路上是可行的,但從經(jīng)濟上考慮其效率只有50%。7解:由圖可知,當(dāng)rl=r0=4時,負(fù)載獲得最大功率pmax=us2 /4r0=182 / (4*4)=20.25w8解:因為c (0-)=0v 所以c (0+)=0v 9解:f的真值表和邏輯電路圖如下:一、填空題(每題2分,共20分)1基爾霍夫定律包括( )和( )兩部分。2二極管( )導(dǎo)電性,應(yīng)用范圍很廣,可用于整流、檢波、限幅等。3用二進(jìn)制異步計
8、數(shù)器從零計到十進(jìn)制數(shù)178,則最大需要( )個觸發(fā)器。4電阻律可以用電阻r, 電阻材料長度l,橫截面積s表示,表達(dá)式為( ),的國際單位是( )。5為獲得一個電壓控制電流源,應(yīng)選( )負(fù)反饋電路。 6函數(shù)f=,當(dāng)變量取值情況為( )時不會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象。7已知某存儲器芯片的容量為32kb, 則它的地址線為( )根,數(shù)據(jù)線為( )根。8當(dāng)電容兩端電壓不隨時間變化時,電容電路中的電流為( )。這時直流電路可視為( )。9我國民用交流電的電壓有效值是220v, 頻率為( ),它的最大值為( ),瞬時值表達(dá)式(t)=( )。10某存儲器具有8根地址線和6根雙向數(shù)據(jù)線,則該存儲器的容量為( )。二、單項選
9、擇題(每小題2分,共10分 )1在同相和反相比例運算電路中,( )相比例電路的反相輸入端為虛地點;( )相比例運算電路中的運放的兩個輸入端對地電壓基本上等于輸入電壓。 a. 同 同 b. 同 反c. 反 同 d. 反 反28位dac工作在參考電壓vaf =10v時,最低的輸出電壓為( )。a. 5mv b. 10mvc. 20mv d. 40mv3n極反饋移位寄存器的狀態(tài)數(shù)為( )。a. n b. 2n+1 c. 2n d. 2n-14已知整流二極管的反向擊穿電壓為20v, 按通常規(guī)定,此二極管的最大整流電壓為( )?a. 20v b. 15v c. 10v d. 5v5用( )電路構(gòu)成模8計
10、數(shù)器的譯碼邏輯電路最簡。a. 環(huán)形計數(shù)器 b. 同步計數(shù)器c. 異步計數(shù)器 d. 扭環(huán)形計數(shù)器三、分析計算題(共70分)1在下圖所示的電路中,求電路的最大輸出功率。(rl=8) 2已知電路如下圖所示,畫出其狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。 3設(shè)a、b、c、d 代表四個二進(jìn)制數(shù)碼,且x=8a+4b+2c+d。試寫出1x9的判斷條件。4 在圖示的電橋電路中,若調(diào)節(jié)變阻器的滑動觸頭c, 使電壓表的讀數(shù)為零,試求rx值(電壓表內(nèi)阻的影響忽略不計,r=120, r1=r2=20 )。 5圖示的是一電阻分壓電路,電源電壓v=30v,滑線電阻r=200,當(dāng)負(fù)載rl不接時vab=15v, 若電源電壓v保持不變,試問:(1)當(dāng)負(fù)載
11、rl接入后,測得流過rl中的電流為100ma, 這是vab等于多少伏?(2)若仍需要保持負(fù)載rl兩端電壓為15v, 滑線電阻的活動觸頭應(yīng)位于何處(即求出ab間的電阻值)? 6若要對余3循環(huán)碼進(jìn)行傳輸,為了檢測在傳輸過程中是否有錯,在發(fā)送端將形成一位監(jiān)督碼元s。試寫出該余3循環(huán)bcd碼奇校驗位so和偶校驗位se的真值表。7已知電路如圖所示,在開關(guān)k打開的情況下,a、b兩點之間的等效電阻。 8純電阻負(fù)載mos倒相器如圖所示,已知nmos管的開啟電壓vtn=4v,導(dǎo)通電阻ros=500, 輸入低電平為0,高電平為12v,試求nmos管在高、低電平的作用下管子的工作狀態(tài)和相應(yīng)的輸出電壓vo。 9判斷圖
12、示電路是時序電路還是組合電路?=答案:一、填空題1基爾霍夫電壓定律 基爾霍夫電流定律 2單向 38 4m 5電流串聯(lián) 6b=c=0 715 88零 斷路 9311v二、選擇題1c 2d 3c 4b 5a三、分析計算題1解:最大的輸出功率為1w。2 3解:設(shè)函數(shù)f2=1時,滿足1x9的條件,否則f2=0。 4解:rx=80 5解: (1) vab=10v(2) rab=141 6解: 7解:rab=2.2 8解:當(dāng) vi=0時,vo=12v, t截止vi=12v時,vo=0.57v, t導(dǎo)通9解:f的表達(dá)式是: 由f的表達(dá)式看出,輸出函數(shù)f不僅與該時刻的輸入a、b有關(guān),而且還與d有關(guān),而d又取決
13、于以前時刻的輸入值,故此電路是一個時序電路。一、填空題( 每題2分,共20分) 1電路由能路、( )和( )三種工作狀態(tài)。2場效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)的不同分為( )場效應(yīng)管和( )場效應(yīng)管。3當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體發(fā)生接觸,在中間部分將產(chǎn)生( ),會出現(xiàn)一個由pn結(jié)自身建立的電場,自建電場的方向由( )指向( )。4將一個包含有16384個基本存儲單元的存儲電路設(shè)計成8位為一個字節(jié)的rom, 該rom有( )個地址,有( )個數(shù)據(jù)讀出線。5負(fù)反饋放大電路的結(jié)構(gòu)由( )和( )兩部分組成。 6在直流電路中,直流電源的電動勢或電流的( )和( )保持不變。7有兩個電阻,其中一個比另一個電阻值大得多,在串
14、聯(lián)時,兩個電阻中阻值較( )的那個電阻的作用可以忽略。8測得工作在放大區(qū)的晶體三級管三個電極的電位分別為+2.5v, +8v, +2v, 則此管為( )型( )管。9為充分提高負(fù)反饋效果,當(dāng)信號源為高內(nèi)阻的電流信號源,若要求放大電路的電壓穩(wěn)定,應(yīng)選( )負(fù)反饋電路。10十六進(jìn)制數(shù)9d.12轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)為( )。二、單項選擇題(每小題2分,共10分 )1某儀表放大電路,要求ri大,輸出電流穩(wěn)定,應(yīng)選( )。 a. 電流串聯(lián)負(fù)反饋 b. 電壓并聯(lián)負(fù)反饋c. 電流并聯(lián)負(fù)反饋 d. 電壓串聯(lián)負(fù)反饋3按存儲介質(zhì)的不同來劃分,存儲器分為( )。a. 隨機存取存儲器ram和只讀存儲器romb. 磁存儲器和
15、光存儲器c. 半導(dǎo)體存儲器、磁存儲器和光存儲器d. 半導(dǎo)體存儲器和光存儲器4某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為4v, 接入12k的負(fù)載電阻后,輸出電壓為3v,這說明放大電路的輸出電阻為( )a. 2k b. 3 k c. 4 k d. 10 k5負(fù)反饋放大電路產(chǎn)生自激震蕩的條件是( )。a. af= 0 b. af= 1c. af= d. af= -1 三、分析計算題(共70分)1在下圖所示的電路中, r1=6, r2=r5=4, r3=r4=8, e=12v, i1=1a, i2=i3=0.5a, 試求各點電位,并從電位求電壓vcd。(選擇f點為參考點) 2求下圖函數(shù)表達(dá)式,將其化簡為與或表
16、達(dá)式。3 已知電路如下圖所示, 其中vcc=12v, rb=200k?, re=rl=rs=3k, =40, 求輸入電阻ri和輸出電阻ro。4電路如下圖(a)、(b)中,設(shè)開關(guān)閉合為1,斷開為0,燈亮為1,燈滅為0,試寫出燈亮的邏輯表達(dá)式。5如下圖所示的主從jk觸發(fā)器,加入周期性的時鐘脈沖,設(shè)q的初始狀態(tài)為0,試畫出每個觸發(fā)器q端的波形。6試求圖示電路中的vab值。7寫出如下圖所示門電路的邏輯表達(dá)式。8用兩輸入端的與非門實現(xiàn)函數(shù): 9分析下圖所示電路的狀態(tài)變化規(guī)律。(設(shè)初態(tài)均為0)=答案:一、填空題1開路 短路 2結(jié)型 絕緣柵 3自建電場 n區(qū) p區(qū) 42048 8 5基本放大電路 反饋電路
17、6大小 方向 7小 8npn 硅 9電壓并聯(lián) 10(10011101.0001001) 二、選擇題1a 2a 3c 4c 5b三、分析計算題1解:選擇f點為參考電位點,即vf=0, 則 電壓vcd即為c點和d點的電壓差,vcd=vcvd=42=2v2解:3解:45解: 6解:78解:由卡諾圖化簡,得9解:狀態(tài)真值表如下: 一、填空題( 每題2分,共20分) 1疊加原理是應(yīng)用( )性質(zhì)分析電路的一個重要原理,它適用于( )的線性電路。2兩個電容c1和c2串聯(lián)后,總電容大小變?yōu)椋?)。并聯(lián)后總電容大小變?yōu)椋?)。3深度飽和時,硅管的uce約為( )v,鍺管的uce約為( )v,由于深度飽和時,uc
18、e約為0,晶體管在電路中猶如一個閉合的開關(guān)。4場效應(yīng)晶體管有很高的( )電阻,因而功耗小,體積小,易于集成化。5已知反饋放大器的a=1000,反饋系數(shù)f=0.009,則af=( )。6電路中匯聚三條或更多條導(dǎo)線的端點稱為( ),連接任意兩節(jié)點之間部分的電路成為( )。7電容的容抗可以用角速度w和電容c表示為( )。電感的感抗可以用角速度w和電感l(wèi)表示為( )。8用直流電壓表測得放大電路中晶體管t各電極對地的電位分別為v1=+3.6v, v2=+3v, v3=+11v, 則此管為( )型( )管。9三極管的主要性能參數(shù)有共射極電流放大系數(shù)( ),極間反向飽和電流( )。10rom存儲器是由( )
19、、( )和讀出電路三部分組成。二、單項選擇題(每小題2分,共10分 )1圖示電路中,a點的電位va應(yīng)為( )。 a. -10v b. -6vc. -5v d. 0v 2外加( )電壓時,p區(qū)接電源正極,n區(qū)接負(fù)極,空間電荷區(qū)變( )。a. 反向 窄 b. 反向 寬 c. 正向 窄 d. 反向 寬3圖示電路穩(wěn)定后,( )情況絕不會出現(xiàn)。a. qa=qb=0 b. qa=0 qb=1 c. qa=1 qb=0 d. qa=qb=14圖示電路中,6電阻消耗的功率p為( )。 a2w b. 3w c4w d. 6w5一個16選1的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入端有( )a. 4 b. 2c.1 d. 16三、
20、分析計算題(共70分)1利用支路電流法求圖示電路中各支路電流。已知e1=12v, e2=9v, e3=8v, r1=6, r2=3, r3=1。 2已知電路如下圖所示,寫出電路的狀態(tài)方程和輸出方程(設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)均為0)。3用節(jié)點電壓法求解如圖所示電路中節(jié)點a和b的電壓。4 圖示電路中,已知e2=40v,r2=10,r1=4,r3=40,試求:(1) 若使電流i1=0時,電動勢e1值為多大?(2) 若使電流i2=0時,e1又為何值?校驗上述三種情況下的電路功率是否平衡。5結(jié)型場效應(yīng)管構(gòu)成的模擬開關(guān)如圖所示,視d為理想二極管,設(shè)輸入信號vi在-5v到+5v之間變化,管子的夾斷電壓vp=-4v。
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