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文檔簡介

1、一個典型的二極管截面圖和符號圖一個典型的二極管截面圖和符號圖集成電路中的二極管集成電路中的二極管(1)DtVVDSIIePNNNPPNPNNNPNPNP多發(fā)射極多發(fā)射極NPN晶體管晶體管NNNNPPEB(E)C(B)S(C)VBEVBCBEC0飽和區(qū)正向工作區(qū)反向工作區(qū)截止區(qū)123/10011001100110(1)11(1)(1)(1)(1)01BEBESCEBCSRVVtESFRSRVVtCSFSFSRVVtSSSFIIIIIIIIeIeIeFRSFSRESICSISSI： NPN管正向運行時共基極短路電流增益管正向運行時共基極短路電流增益： NPN管反向運行時共基極短路電流增益管反向運行

2、時共基極短路電流增益： PNP管正向運行時共基極短路電流增益管正向運行時共基極短路電流增益： PNP管反向運行時共基極短路電流增益管反向運行時共基極短路電流增益: E、C、S極反向飽和電流極反向飽和電流與與 的關系：的關系：1F對于給定的對于給定的BJT， 為一常數為一常數1111REFBFRRCFIIIII/(1)BEtVVFESIIe/(1)BCtVVRCSIIe/(1)(1)BEtBCtVVVVEESR CSIIeIe可得：可得：ICVCE飽和區(qū)放大區(qū)共射組態(tài)共射組態(tài)BJT管的輸出特性曲線管的輸出特性曲線/(1)V VtDSIIeDSI為反向飽和電流為反向飽和電流（1）SBD：教材教材P

3、37SBD電路符號電路符號BCE肖特基箝位晶體管（肖特基箝位晶體管（SCT）結構圖）結構圖ICVCE飽和區(qū)放大區(qū)共射組態(tài)共射組態(tài)BJT管的輸出特性曲線管的輸出特性曲線GateDrainSourcen+n+LeffLDrawnLDp-substrateSGDPolyOxideNMOSEnhancementPMOSEnhancementNMOSDepletionEnhancement:增強型增強型Depletion:耗盡型耗盡型教材中的教材中的NMOS耗盡型：耗盡型：IdsVds0線性區(qū)飽和區(qū)擊穿區(qū)漏源極壓降漏源極壓降漏源極電流漏源極電流jLRXWLWXjXj:擴散深度，擴散深度，L：長度，：長度，W：寬度：寬度：電阻率電阻率1jRRX口LW時：時：R與方塊大小無關，所以有：與方塊大小無關，所以有：LRRW口教材教材P50100 200/SBR 口5050kR口p+p+n+n-pn+n+p-SiO2BECBuried Layer Metalpn-Isolationpn-Isolati

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