第二章：氧化_第1頁
第二章：氧化_第2頁
第二章：氧化_第3頁
第二章：氧化_第4頁
第二章：氧化_第5頁
已閱讀5頁，還剩39頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、 鐵、銅、銀等金屬的自然氧化鐵、銅、銀等金屬的自然氧化 硅、硫、磷等非金屬的自然氧化硅、硫、磷等非金屬的自然氧化 干氧氧化：干氧氧化：SiO2 SiO2 濕氧氧化：濕氧氧化：Si H2O O2 SiO2+H2 水汽氧化：水汽氧化：Si H2O SiO2 H2 硅的氧化溫度：硅的氧化溫度：750 1100氧化劑（氧分子或水分子）通過擴散到達氧化劑（氧分子或水分子）通過擴散到達Si與與Si02界面同界面同Si發發生反應，其過程如下：生反應，其過程如下：1、氧化劑擴散穿過滯留層達到、氧化劑擴散穿過滯留層達到SiO2 表面，其流密度為表面，其流密度為F1 。2、氧化劑擴散穿過、氧化劑擴散穿過SiO2

2、層達到層達到SiO2-Si界面，流密度為界面，流密度為F2 。3、氧化劑在、氧化劑在Si 表面與表面與Si 反應生成反應生成SiO2 ，流密度為，流密度為F3 。4、反應的副產物離開界面。、反應的副產物離開界面。 2H2 O2 = 2H2O（750）流量比！流量比！n熱生長熱生長SiO2 Si 系統中的實際電荷情況系統中的實際電荷情況n在實際的在實際的SiO2 Si 系統中，存在四種電荷：系統中，存在四種電荷：1. 可動電荷：可動電荷： 指指Na、K離子，來源于工藝中的化離子，來源于工藝中的化學試劑、器皿和各種沾污等。學試劑、器皿和各種沾污等。2. 固定電荷：指位于固定電荷：指位于SiO2 S

3、i 界面界面2nm以內的過剩硅以內的過剩硅離子，可采用摻氯氧化降低。離子，可采用摻氯氧化降低。3. 界面態：指界面陷阱電荷界面態：指界面陷阱電荷(缺陷、懸掛鍵），可以采缺陷、懸掛鍵），可以采用氫氣退火降低。用氫氣退火降低。4. 陷阱電荷：由輻射產生。陷阱電荷：由輻射產生。 氧化前氧化前 氧化后氧化后 氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的左右左右氧化前氧化前氧化后氧化后 通過顏色的不同可估算通過顏色的不同可估算SiO2 層厚度層厚度屬于非晶體、無定形結構，屬于非晶體、無定形結構，Si-O 四面體在空四面體在空間無規則排列。間無規則排列。SiO2 的化學性質非常穩定，僅被的化學性質非常穩定，僅被 氫氟氫氟酸（酸（HF ）腐蝕）腐蝕242426SiO +4HFSiF +

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論