1、模電復習資料第一章 半導體二極管一.半導體的基礎知識1.半導體-導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性-光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體-純凈的具有單晶體結構的半導體。（其導電性能與溫度緊密相關，但總體導電性能差）4. 兩種載流子 -帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質半導體-在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。 *P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（如硼或鋁，多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（如磷或砷，多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質半導體的特性 *載

2、流子的濃度-多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。 *體電阻-通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。 *轉型-通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。7. PN結 * PN結的接觸電位差-硅材料約為0.60.8V，鍺材料約為0.20.3V。 * PN結的單向導電性-正偏導通，反偏截止。 *PN結加正向電壓，指將PN結的P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負極，PN結加反向電壓則相反8. 兩種運動（宏觀上會形成動態(tài)平衡，但不會停止） *擴散運動產(chǎn)生的原因是濃度差，使空穴從P到N區(qū)：漂移產(chǎn)生的原因是電位差，兩者方向相反9. PN結的伏安特性二. 半導體二極管 1.單向導電性-正向

3、導通，反向截止。 2.二極管伏安特性-同結。 3.正向導通壓降-硅管0.60.7V，鍺管0.20.3V。 4.死區(qū)電壓-硅管0.5V，鍺管0.1V。5.分析方法-將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰( 正偏 )，二極管導通(短路); 若 V陽 V陰( 正偏 )，二極管導通(短路); 若 V陽 u-時，uo=+Uom 當u+u-時，uo=-Uom 兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0 第七章 放大電路中的反饋1. 反饋概念的建立開環(huán)放大倍數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù) 反饋深度環(huán)路增益： 1當時，下降，這種反饋稱為負反饋。 2當時，表明反饋效果為零。3當時，升高，這種反饋稱為正反饋。4當

4、時 ， 。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍-本級或級間。2. 反饋的性質-交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。 3. 反饋的取樣-電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。 （輸出短路時反饋消失） 電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。 （輸出短路時反饋不消失）4. 反饋的方式-并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電 流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。 反饋信號反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加

5、。 Rs越小反饋效果越好。 反饋信號反饋到非輸入端） 5. 反饋極性-瞬時極性法：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號 的頻率在中頻段。 （2）根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升 高用 + 表示，降低用 表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負反 饋；Xid 增大為正反饋。 三. 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串 聯(lián)（并聯(lián)）負反饋。四. 負反饋對放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.3. 擴展頻帶4. 減小非線性失真及抑制干擾和噪

6、聲5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍五. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負反饋轉化為正反饋。 2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為： 第八章 信號的運算與處理分析依據(jù)- “虛斷”和“虛短”1. 基本運算電路1. 反相比例運算電路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例運算電路 R2=R1/Rf 3. 反相求和運算電路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和運算電路 R1/R2/R3/R4=Rf/

7、R55. 加減運算電路 R1/R2/Rf=R3/R4/R52. 積分和微分運算電路1. 積分運算2. 微分運算 第九章 信號發(fā)生電路1. 正弦波振蕩電路的基本概念1. 產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2. 起振條件: 幅值條件 ：相位條件:3.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路-建立和維持振蕩。(2) 正反饋網(wǎng)絡-與放大電路共同滿足振蕩條件。(3) 選頻網(wǎng)絡-以選擇某一頻率進行振蕩。(4) 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1) RC振蕩器-振蕩頻率較低,1M以下;(

8、2) LC振蕩器-振蕩頻率較高,1M以上;(3) 石英晶體振蕩器-振蕩頻率高且穩(wěn)定。二. RC正弦波振蕩電路1. RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路2. RC移相式正弦波振蕩電路三. LC正弦波振蕩電路1. 變壓器耦合式LC振蕩電路 判斷相位的方法： 斷回路、引輸入、看相位 2. 三點式LC振蕩器*相位條件的判斷-“射同基反”或 “三步曲法” (1) 電感反饋三點式振蕩器(哈特萊電路)(2) 電容反饋三點式振蕩器(考畢茲電路) (3) 串聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（克拉潑電路）(4) 并聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（西勒電路）(5) 四. 石英晶體振蕩電路1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器2. 串聯(lián)型石英晶體

9、振蕩器 第十章 直流電源1. 直流電源的組成框圖 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。 整流電路：將正負交替的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。 穩(wěn)壓電路：自動保持負載電壓的穩(wěn)定。 二. 單相半波整流電路1輸出電壓的平均值UO(AV) 2輸出電壓的脈動系數(shù)S3正向平均電流ID(AV)4最大反向電壓URM 三. 單相全波整流電路1輸出電壓的平均值UO(AV) 2輸出電壓的脈動系數(shù)S3正向平均電流ID(AV)4最大反向電壓URM 四. 單相橋式整流電路UO(AV)、S、ID(AV)與全波整流電路相同，URM與半波整流電路相同。 五. 電容濾波電路1 放電時間常數(shù)的取值2.輸出電壓的平均值UO(AV)3.輸出電壓的脈動系數(shù)S4 .整流二極管的平均電流I D(AV)六. 三種單相整流電容濾波電路的比較 7. 并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1. 穩(wěn)壓電路及其工作原理*當負載不變，