.,1,干擾的耦合途徑和電纜的屏蔽Couplingwayofdisturbanceandshieldofcable徐義亨2012年5月,.,2,電纜之所以重要是因?yàn)樗粌H是控制系統(tǒng)中最長(zhǎng)的部分，容易通過(guò)近場(chǎng)的耦合對(duì)控制系統(tǒng)產(chǎn)生干擾；而且它還類似于一根拾取和輻射噪聲的高效天線。本章我們將討論與此有關(guān)的三種類型的耦合和電纜的三種屏蔽：1）電容性耦合和靜電屏蔽。它起源于線路間電場(chǎng)的相互作用。2）電感性耦合和電磁屏蔽。它起源于線路間磁場(chǎng)的相互作用。3）電磁場(chǎng)耦合和輻射屏蔽。它是電場(chǎng)和磁場(chǎng)相結(jié)合的混合作用的耦合。故也被稱為電磁耦合或輻射耦合。,.,3,1電容性耦合噪聲和其抑制方法,電壓源,負(fù)載,簡(jiǎn)化為,.,4,1.1耦合機(jī)理兩導(dǎo)線間的電容性耦合如圖所示。Cs為噪聲導(dǎo)體（如電源線）和受感應(yīng)導(dǎo)體（如信號(hào)線）間的分布電容，CL為受感應(yīng)導(dǎo)體的對(duì)地電容，RL為受感應(yīng)導(dǎo)體的總電阻值，Z為CL和RL的并聯(lián)阻抗。US為噪聲電壓，設(shè)Un為感應(yīng)的噪聲電壓。,.,5,電容性耦合的等效電路可以作為噪聲導(dǎo)體的包括：交流低壓電源、視頻、高頻通信線等。,Un,.,6,利用Cs和Z之間的分壓公式就可以求出在受感應(yīng)導(dǎo)體和地之間產(chǎn)生的感應(yīng)噪聲電壓Un為：當(dāng)噪聲電壓的頻率較低時(shí)，阻抗RL遠(yuǎn)小于CL和Cs的阻抗時(shí)，則為:感應(yīng)的噪聲電壓Un正比于噪聲源的頻率f、受感應(yīng)導(dǎo)體的總電阻值RL、分布電容Cs以及噪聲電壓US。,.,7,當(dāng)噪聲電壓的頻率較高時(shí)，RL阻抗遠(yuǎn)大于CL和Cs的阻抗時(shí)，則為:因?yàn)镃L遠(yuǎn)大于Cs，所以上式又可簡(jiǎn)化為,.,8,當(dāng)RL阻抗遠(yuǎn)大于CL和Cs的阻抗時(shí)，感應(yīng)的噪聲電壓正比于CS和CL的比值，和噪聲電壓的頻率無(wú)關(guān)。感應(yīng)的噪聲電壓的頻率特性如圖所示。,.,9,1.2電容性耦合的抑制措施,電容性耦合噪聲的大小，正比于下列因素：1）噪聲電壓；2）噪聲頻率；3）兩導(dǎo)體間的分布電容；4）受感應(yīng)體的對(duì)地阻抗。上述的諸因素中，噪聲電壓、噪聲頻率、受感應(yīng)體的總電阻值往往是不可控的。所以抑制電容性耦合的最基本方法是減少與噪聲導(dǎo)體間的分布電容。而減少兩導(dǎo)體間的分布電容的最簡(jiǎn)單的方法就是加大與噪聲導(dǎo)體之間的距離。,.,10,1.3電容性耦合和距離的關(guān)系,兩根直徑分別為d1和d2，間距為D的平行導(dǎo)線間,當(dāng)D遠(yuǎn)大于d1和d2時(shí)，其分布電容Cs為：Cs=2/ln(D/d1d2)(F/m)式中：自由空間的介電常數(shù)，其值為8.8510-12F/m。由此可見(jiàn)：1)減少兩導(dǎo)體間的分布電容的最簡(jiǎn)單的方法是加大與噪聲導(dǎo)體之間的距離D和減小線徑d。2)在選擇線徑d時(shí)，不宜過(guò)大。,.,11,一個(gè)實(shí)例,AC100V50Hz,.,12,所以，為什么在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)，不允許將信號(hào)線和交流電源線設(shè)在同一根電纜里，而且還需要將信號(hào)線和電源線以及高頻信號(hào)線等保持一定的距離。但有時(shí)候受條件限制，無(wú)法用加大與噪聲導(dǎo)體之間的距離來(lái)減少兩導(dǎo)體間的分布電容時(shí)，此時(shí)采用靜電屏蔽的方法是十分有效的。,.,13,1.4屏蔽對(duì)電容性耦合的影響,.,14,屏蔽層不接地時(shí),Us,Cs,CL,屏蔽層,芯線,Ces,.,15,當(dāng)受感應(yīng)導(dǎo)線的外層包了屏蔽層后，設(shè)屏蔽層的對(duì)地電容為CL,如果屏蔽層不接地，受感應(yīng)導(dǎo)線的對(duì)地阻抗無(wú)限大，受感應(yīng)導(dǎo)體和屏蔽層之間的分布電容Ces上沒(méi)有電流，作用在屏蔽層上的感應(yīng)噪聲電壓Un為由于靜電感應(yīng)。則受感應(yīng)導(dǎo)體上接受到的噪聲電壓就是屏蔽體上所感應(yīng)的噪聲電壓。,.,16,電纜的靜電屏蔽,如果屏蔽體接地，因?yàn)槠帘螌由系碾妷簽榱悖允芨袘?yīng)導(dǎo)體上的噪聲電壓也為零。由于受感應(yīng)導(dǎo)線不可能全部封閉在屏蔽體內(nèi)（包括導(dǎo)體兩端外露和編織屏蔽層的空隙）,所以實(shí)際情況要復(fù)雜一些。為了獲得良好的電場(chǎng)屏蔽，需要做到：1）最大限度的減小中心導(dǎo)線延伸到屏蔽之外部分的長(zhǎng)度（豬尾巴效應(yīng)）；2）為屏蔽層提供一個(gè)良好的接地。,.,17,主動(dòng)屏蔽和被動(dòng)屏蔽,這里,我們討論的是受感應(yīng)導(dǎo)體屏蔽的情況（被動(dòng)屏蔽）。如果我們將噪聲導(dǎo)體進(jìn)行屏蔽并接地（主動(dòng)屏蔽）,同樣可以起到抑制電場(chǎng)耦合的作用。所以在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)，無(wú)論是電源電纜，或者是信號(hào)電纜，都應(yīng)采用屏蔽型電纜。主動(dòng)屏蔽比被動(dòng)屏蔽還重要。,.,18,采用屏蔽的效果要比拉開(kāi)間距顯著,90m,示波器,.,19,上圖是一個(gè)比較屏蔽和拉開(kāi)間距的效果的試驗(yàn)例子。干擾源是采用兩個(gè)并聯(lián)的繼電器，當(dāng)用開(kāi)關(guān)S將通電的繼電器線圈突然斷開(kāi)時(shí)，線圈所產(chǎn)生的反沖電壓可達(dá)1000V以上。這種反沖電壓波形的前沿具有很大的變化速率，由此在導(dǎo)線上所產(chǎn)生的電力線改變的速率也非常高。這是一個(gè)含有相當(dāng)高頻率成分的噪聲源。此外，接點(diǎn)間的火花放電也產(chǎn)生頻譜很寬的噪聲。由實(shí)驗(yàn)可知（實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)后表），用編織網(wǎng)進(jìn)行屏蔽的話，感應(yīng)出的噪聲很小。若用增加兩線間的距離d，還是能感應(yīng)出幾十伏的噪聲電壓。所以，靜電屏蔽抑制電容性耦合噪聲的效果一般要比拉開(kāi)間距減小分布電容的效果來(lái)得顯著。,.,20,.,21,2電感性耦合噪聲和其抑制方法,2.1耦合機(jī)理從物理學(xué)可知，線圈切割磁力線會(huì)感應(yīng)出電動(dòng)勢(shì)。反之，線圈不動(dòng)，周圍的磁力線發(fā)生變化，也同樣會(huì)在線圈兩端感應(yīng)出電動(dòng)勢(shì)。一根導(dǎo)線，當(dāng)流過(guò)它的電流大小發(fā)生變化時(shí)，在其周圍就會(huì)產(chǎn)生出變化的磁場(chǎng)。若在這個(gè)交變的磁場(chǎng)中有另一個(gè)電路回路，就會(huì)在回路中感應(yīng)出電動(dòng)勢(shì)和感應(yīng)電流。這兩部分通過(guò)磁力線形成的耦合，其程度可用互感M來(lái)表示。,.,22,.,23,噪聲源電壓為Ui，Ui在導(dǎo)體Z1回路上產(chǎn)生的電流為I，則在Z2回路上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓為：UN=jMI或UN=Mdi/dt由式可見(jiàn)，電感性耦合的噪聲大小正比于A.噪聲源回路的電流I變化率di/dt；B.互感M。一般而言，噪聲源回路的電流I變化率是不可控的，有效的方法是如何減小互感M。減小互感M的方法有：A.拉開(kāi)回路之間的耦合距離，包括回路之間的相對(duì)位置；B.盡可能減小噪聲回路和感應(yīng)回路的環(huán)路面積；此外，采用電磁屏蔽，包括雙絞電纜和同軸電纜的使用。,.,24,一個(gè)實(shí)例,例：某信號(hào)線與電壓為220VAC、負(fù)荷為10kVA輸電線的距離為1米，并平行走線10米，兩線之間的互感為4.2H，則信號(hào)線上感應(yīng)的干擾電壓為UN=MI=23.14500.000004210000/220=59.98mV當(dāng)信號(hào)電壓為（15）V的信號(hào)，這個(gè)干擾電壓的大小即相當(dāng)于增加了1.5%的誤差。,.,25,2.2回路之間的相對(duì)位置與耦合程度的關(guān)系,噪聲回路,感應(yīng)回路,.,26,.,27,一般而言：兩個(gè)回路的平面相互垂直比平行其耦合要小。兩個(gè)回路的環(huán)形面積愈小愈好。,.,28,2.3對(duì)作為噪聲源的同軸電纜施行的電磁屏蔽,圖所示的導(dǎo)線AB流過(guò)電流時(shí)，便成為向外界發(fā)出磁通的噪聲源。,.,29,如果對(duì)導(dǎo)線AB增加屏蔽體，并按圖連接。電流在流經(jīng)負(fù)載后，全部通過(guò)導(dǎo)體的屏蔽體返回到干擾源的地。由于流過(guò)屏蔽體上的電流也產(chǎn)生磁通，且與導(dǎo)體產(chǎn)生的磁通大小相等而方向相反，這樣在屏蔽體的外面，不存在磁通，即導(dǎo)線AB被電磁屏蔽了。,.,30,如果將干擾源和負(fù)載都接地,當(dāng)信號(hào)源和負(fù)載都接地時(shí)，由于流過(guò)屏蔽體的電流I2小于導(dǎo)線AB內(nèi)的電流I，所以I2所產(chǎn)生的抵消磁通也比原來(lái)的小。然而，屏蔽體有一個(gè)重要的特性參數(shù)，即截止頻率c=Rs/Ls，其中Rs和Ls分別為屏蔽體的電阻和電感。,.,31,如果沿屏蔽體和接地環(huán)路A-B-C-D-A，可列出方程式：式中M為屏蔽體與中心導(dǎo)體間的互感，其值為M=/I2。而屏蔽體的自感Ls=/I2,包圍屏蔽體和中心導(dǎo)體的磁通是相同的，所以M=Ls代入上式整理得：,.,32,由式可知，當(dāng)導(dǎo)體中流經(jīng)的電流其頻率遠(yuǎn)大于截止頻率c=Rs/Ls時(shí)，絕大部分電流流過(guò)屏蔽體，屏蔽效果很好。當(dāng)頻率低于5c時(shí)，大部分電流從地面返回，屏蔽作用較小（所以低頻時(shí)，不宜兩端接地）。大多數(shù)電纜的截止頻率在數(shù)千赫到數(shù)十千赫之間。,.,33,問(wèn)題：為什么要把屏蔽體做成園筒狀？說(shuō)明：同軸電纜之所以要將屏蔽層制作成園筒狀是為了降低Rs，增加Ls，從而降低截止頻率c=Rs/Ls，增加可使用的頻帶寬度。,.,34,2.4同軸電纜作為信號(hào)線路施行的電磁屏蔽(即外部已有一個(gè)交變的干擾磁場(chǎng)),感應(yīng)的干擾電流,.,35,幾種情況的對(duì)比:圖a)是不加屏蔽，易受外界磁通的影響。圖b)是加不接地的屏蔽，由于不能減小回路的包圍面積，無(wú)電磁屏蔽的效果。圖c)是加一端接地的屏蔽，也不能減小回路的包圍面積。圖d)是加屏蔽體兩端接地，可以減小回路的包圍面積，有電磁屏蔽作用。當(dāng)然這是有前提的，感應(yīng)的干擾電流I（不是信號(hào)電流）的頻率遠(yuǎn)大于導(dǎo)線的截止頻率，否則，大部分返回電流也將從地面回路返回，也不能減小回路的包圍面積。,.,36,我們常用屏蔽導(dǎo)線來(lái)防止外界磁通對(duì)導(dǎo)線的影響，其實(shí)這不是利用屏蔽體的磁屏蔽特性實(shí)現(xiàn)屏蔽的，而是將非磁性屏蔽體包在導(dǎo)體周圍，并讓它成為流經(jīng)導(dǎo)線返回電流的一個(gè)通路，起到使電流的回路所包圍的面積最小，使接收外界磁通影響為最小。,.,37,2.5雙絞線的電磁屏蔽原理及其應(yīng)用1）對(duì)作為噪聲源的導(dǎo)線實(shí)施電磁屏蔽,.,38,2）對(duì)信號(hào)線實(shí)施電磁屏蔽,.,39,雙絞線的屏蔽效果隨每單位長(zhǎng)度的絞合數(shù)的增加而提高（見(jiàn)表）。表中的噪聲衰減度系指平行導(dǎo)線時(shí)的干擾磁場(chǎng)值和采用雙絞線后的干擾磁場(chǎng)值之比。但是，每單位長(zhǎng)度的絞合數(shù)愈大，耗資也大，從后面的表看，絞距為50mm左右就可以了。由于雙絞線使用十分方便，價(jià)格較低，屏蔽效果也較好，所以，在工程中常用到它。如果雙絞線再加金屬編織網(wǎng)就可以克服雙絞線易受靜電感應(yīng)的缺點(diǎn)，使其屏蔽效果更好。雙絞線和屏蔽雙絞線常用于頻率低于100kHz的屏蔽。,.,40,幾種不同雙絞線的效果比較,.,41,2.6同軸電纜和屏蔽雙絞線的應(yīng)用,1）使用的頻率范圍雙絞線和屏蔽雙絞線因?yàn)橛休^大的電容，不適用于高頻或高阻抗回路。非常適用頻率低于100kHz的屏蔽。同軸電纜是一種特制的用金屬編織網(wǎng)作屏蔽的電纜，在很大的范圍內(nèi)，具有均勻不變的低損耗的特性阻抗，可用于從直流到甚高頻乃之超高頻的頻段。,.,42,2）低頻時(shí)屏蔽雙絞線和同軸電纜的接地方法,均采用單端接地，以避免因地電位差造成的環(huán)流，影響屏蔽的效果。,.,43,只有在高頻（大于1MHz)時(shí)才將屏蔽體兩端接地。或者，一端接地，另一端通過(guò)小電容再接地。這樣，在低頻時(shí)，電容有較大的阻抗，可認(rèn)為是一端接地；高頻時(shí)，電容阻抗變小，則成為兩端接地。高頻時(shí)，由于地電位差在電路中引起的噪聲電壓，其頻率成分主要是工頻信號(hào)及其諧波，容易被濾去。,.,44,屏蔽雙絞線和同軸電纜一端屏接地和兩端接地的噪聲衰減度比較,如果在實(shí)際應(yīng)用中如需要兩端都接地時(shí)，應(yīng)在線路中使用隔離變壓器或光電隔離器，以切斷對(duì)地回路。,.,45,2.7電容性耦合與電感性耦合噪聲的比較,.,46,另外，高電壓回路，容易成為電容性耦合的噪聲源；大電流回路，容易成為電感性耦合的噪聲源。電容性耦合噪聲對(duì)受影響的電路是屬于共模噪聲；電感性耦合噪聲對(duì)受影響的電路是屬于串模噪聲。,.,47,2.8用于防雷的電纜的雙層屏蔽,當(dāng)控制系統(tǒng)遭雷擊時(shí)，由于靜電感應(yīng)和雷電電磁脈沖的磁場(chǎng)強(qiáng)度非常強(qiáng)大，本章討論的電纜的屏蔽方法還不足以抑制雷電波的生成。此時(shí)，應(yīng)采用電纜的雙層屏蔽:內(nèi)層單端接地，抑制電容性耦合；外層兩端或多端接地，抑制電感性耦合，噪聲電流只能在外屏蔽層上流動(dòng)；兩個(gè)屏蔽層的層與層之間是絕緣的。（這部分內(nèi)容留在第4章控制系統(tǒng)的雷電保護(hù)中再作詳細(xì)討論。）,.,48,外屏蔽層兩端接地的屏蔽原理,Ic,外屏蔽層,.,49,3電磁場(chǎng)耦合噪聲和輻射屏蔽,輻射耦合包括：電纜電纜；電纜機(jī)殼；機(jī)殼機(jī)殼。,.,50,3.1近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)（感應(yīng)場(chǎng)和輻射場(chǎng)）輻射源附近稱近場(chǎng)，距離大于/2（為電磁波的波長(zhǎng)）的地方稱遠(yuǎn)場(chǎng)，這是一種約定。波長(zhǎng)和傳播速度以及頻率的關(guān)系如下式所示。=c/f式中：c-傳播速度（3108m/s）；f-頻率（Hz）。,.,51,例如，10MHz的電磁干擾的遠(yuǎn)場(chǎng)界區(qū)約為5m左右，30MHz的電磁干擾的遠(yuǎn)場(chǎng)界區(qū)約為3m左右，100MHz的電磁干擾的遠(yuǎn)場(chǎng)界區(qū)約為0.5m左右。如果30kHz,近場(chǎng)范圍可達(dá)1.6公里。在近場(chǎng)中，噪聲一般是通過(guò)前述的電容性耦合和電感性耦合的方式傳播到控制系統(tǒng)中去的。在遠(yuǎn)場(chǎng)中，對(duì)控制系統(tǒng)的干擾是通過(guò)能量向四方的輻射方式進(jìn)行的。,.,52,3.2波阻抗,由上述可知，在近場(chǎng)，干擾的耦合主要是通過(guò)電場(chǎng)，或者通過(guò)磁場(chǎng)。而在遠(yuǎn)場(chǎng)，輻射的電磁場(chǎng)在空間的傳播是由于電場(chǎng)和磁場(chǎng)的相互作用。例如，在一根導(dǎo)線上流過(guò)直流電流，則在導(dǎo)線周圍會(huì)產(chǎn)生磁力線，而沿導(dǎo)線產(chǎn)生電力線（即電場(chǎng)的方向和磁場(chǎng)的方向是垂直的）。這樣就產(chǎn)生了磁場(chǎng)和電場(chǎng)。當(dāng)電流發(fā)生變化，導(dǎo)線周圍的磁場(chǎng)和電場(chǎng)也相應(yīng)發(fā)生變化，這種變化在空間中的傳播就是電磁波，它的傳播速度等于光速。,.,53,最常見(jiàn)的輻射源如無(wú)線電廣播、通信設(shè)備、對(duì)講機(jī)、電焊機(jī)、晶閘管整流器等高頻設(shè)備，在工作時(shí)會(huì)輻射功率很大的電磁波。我們把電場(chǎng)強(qiáng)度E和磁場(chǎng)強(qiáng)度H的比值定義為波阻抗Z，即Z=E/H（歐）式中E電場(chǎng)強(qiáng)度（伏/米）；H磁場(chǎng)強(qiáng)度（安/米）。在遠(yuǎn)場(chǎng)中，電磁波十分規(guī)整，電場(chǎng)和磁場(chǎng)在強(qiáng)度上有固定的比例關(guān)系。,.,54,在遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)，波阻抗Z=E/H是一個(gè)常數(shù)為120，即377歐。所以用場(chǎng)強(qiáng)儀只要測(cè)出一個(gè)場(chǎng)的強(qiáng)度，另一個(gè)場(chǎng)強(qiáng)就可以計(jì)算出來(lái)。波阻抗Z和離干擾源距離r的關(guān)系如圖所示。,近場(chǎng),.,55,對(duì)近場(chǎng)而言，波阻抗取決于干擾源的特性以及離干擾源的距離。如干擾源為大電流低電壓的情況，則近場(chǎng)主要為磁場(chǎng)，波阻抗呈低阻抗特性，以電感性耦合的噪聲為主。如干擾源為高電壓小電流的情況，則近場(chǎng)主要為電場(chǎng)，波阻抗呈高阻抗特性，以電容性耦合的噪聲為主。,.,56,令離干擾源的距離和波長(zhǎng)之比為式中r-干擾源和觀察點(diǎn)之間的距離；-電磁波的波長(zhǎng)。在近場(chǎng)時(shí)，干擾源主要為電場(chǎng)時(shí)波阻抗為：干擾源主要為磁場(chǎng)時(shí)波阻抗為：,.,57,3.3電磁場(chǎng)耦合的感應(yīng)噪聲,一根金屬導(dǎo)線在輻射的電磁場(chǎng)里，就象一根天線，在導(dǎo)體上會(huì)產(chǎn)生正比于電場(chǎng)強(qiáng)度的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)U式中-比例常數(shù)，也稱天線的有效高度。導(dǎo)線，特別是長(zhǎng)的I/O信號(hào)電纜、通信電纜和電源電纜等在電磁場(chǎng)中都能接收電磁波而感應(yīng)出噪聲電壓。例如當(dāng)垂直極化波的電場(chǎng)強(qiáng)度為100mV/m時(shí)，長(zhǎng)度為10cm的垂直導(dǎo)體，可以產(chǎn)生5mV的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。,.,58,3.4抑制電磁波傳播的主要方法輻射屏蔽,抑制電磁波傳播的主要方法就是屏蔽，遠(yuǎn)場(chǎng)中的屏蔽包括如下兩個(gè)方面：1）用金屬屏蔽體把電磁場(chǎng)包容起來(lái)，不讓它向外擴(kuò)散（主動(dòng)屏蔽）；2）對(duì)受干擾對(duì)象如系統(tǒng)、元件、電纜進(jìn)行屏蔽，使之不受外界電磁場(chǎng)的影響（被動(dòng)屏蔽）。屏蔽效果取決于1）頻率；2）屏蔽體的幾何形狀；3）材料性質(zhì)。,.,59,金屬屏蔽體對(duì)入射電磁波的衰減過(guò)程,.,60,金屬屏蔽體的屏蔽效果是透過(guò)金屬屏蔽體后的電磁波Et和入射波Ei的強(qiáng)度之比。S=20lg(Ei/Et)=A+R+B(dB)式中：Ei-入射波強(qiáng)度；Et-穿透過(guò)屏蔽體后的波強(qiáng)度；A-電磁波在屏蔽體內(nèi)傳播中由于感應(yīng)渦流產(chǎn)生的衰減，稱吸收損耗；R-由于反射作用造成的入射波的損耗，稱反射損耗；B-因入射波在金屬屏蔽體內(nèi)多次反射造成的損耗（一般可忽略）。,.,61,其中吸收損耗為（dB)式中：t-屏蔽體厚度mm；f-頻率MHz；-相對(duì)導(dǎo)磁率；G-相對(duì)于銅的導(dǎo)電率。在金屬材料的導(dǎo)體情況下，反射損耗為可見(jiàn)，反射損耗和屏蔽體厚度無(wú)關(guān)。（dB),.,62,三種材料的反射損耗曲線,.,63,遠(yuǎn)場(chǎng)內(nèi)厚度為0.508mm的銅屏蔽的效果,反射,吸收,.,64,1）在頻率不太高的情況下，金屬材料的屏蔽效果幾乎是由其反射損耗R所決定的。2）反射損耗R隨頻率增加而降低；而吸收損耗A隨頻率增加而增加，即低頻時(shí)的大量衰減是由于反射損耗，而高頻時(shí)大量損耗是由于吸收損耗。3）最小的屏蔽效果（R和A之和）在中頻段。,.,65,請(qǐng)思考一個(gè)問(wèn)題：抑制電磁輻射用的屏蔽層需要接地否？請(qǐng)注意：1）抑制三種不同耦合途徑的屏蔽：靜電屏蔽；電磁屏蔽；輻射屏蔽。其屏蔽機(jī)理、接地方式是不同的。2）靜電屏蔽層和電磁屏蔽層均具有輻射屏蔽的功能。,.,66,4外部信號(hào)線纜的選擇和敷設(shè),信號(hào)線纜的選擇應(yīng)從實(shí)用、經(jīng)濟(jì)和抗干擾這三個(gè)方面考慮，其中應(yīng)以抗干擾能力放在首