SUST TFT液晶顯示器制造工藝 張方輝2005 7 ColorFilterFabricationProcessTFTArrayProcessLiquidCrystalCellProcessModuleAssemblyProcess TFT LCDProcess C FIntroduceandProcess 彩色濾光片基本結構是由玻璃基板 GlassSubstrate 黑色矩陣 BlackMatrix 彩色層 ColorLayer 保護層 OverCoat ITO導電膜組成 一般穿透式TFT用彩色光片結構如下圖 C F的結構 C FProcess C FPixelArray 馬賽克式 顯示AV動態畫面直條式 較常顯示文字畫面 NoteBook 彩色濾光膜製造技術 黑紋 BM 製程技術Cr CrOx製程技術感光樹脂製程技術各製程技術之比較 彩色層製程技術顏料分散法電著法染色法印刷法各製程技術之比較 黑紋製程 Cr CrOx製程 黑紋製程 感光樹脂製程 黑紋製程 黑紋製程技術比較 彩色層製程 顏料分散法 彩色層製程 電著法 彩色層製程 電著法製程 彩色層製程 電著法 電著示意圖 彩色層製程 染色法 彩色層製程技術 印刷法 PossibleDefectsOnC F ParticlesPatternDefectsPinholesTokkiMixedColorMura ITO透明導電層的作用 ARRAY制程 1 六道光罩 GE SE PE CH SD DC 2 五道光罩 GE SE SD CH PE 21 TFTArray組成材料 六道光罩 22 Mask1 GE Gate電極形成 1 受入洗淨SPC 島田 2 濺鍍Cr 4000A ULVAC AKT3 成膜前洗淨SPC 芝蒲4 UV處理東芝5 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon6 顯影檢查 光阻寸檢Nikon Hitachi7 硬烤光洋8 CrTaper蝕刻 WET DNS9 光阻去除DNS10 製程完成檢查KLA ORBO 23 Mask2 SE 島狀半導體形成 1 成膜前洗淨SPC 芝蒲2 成膜SiNxBarlzers3 成膜前洗淨SPC 芝蒲4 成膜SiNx a Si n SiBarlzers5 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon6 顯影檢查Nikon Hitachi7 蝕刻 DRY TEL PSC8 光阻去除DNS9 製程完成檢查KLA ORBO 24 Mask3 PE 畫素電極形成 1 成膜前洗淨SPC 芝蒲2 成膜ITOULVAC3 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon4 顯影檢查 光阻寸檢Nikon Hitachi5 蝕刻 WET DNS6 光阻去除DNS7 製程完成檢查KLA ORBO 25 Mask4 CH ContactHole形成 1 Array6道Mask工程中唯一沒有成膜製程2 蝕刻GI層 SiNx 定義出不同層金屬間的連接區 1 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon2 顯影檢查 光阻寸檢Nikon Hitachi3 蝕刻 DRY TEL PSC4 光阻去除DNS5 製程完成檢查KLA ORBO 26 Mask5 SD Source及Drain電極形成 1 成膜前洗淨SPC 芝蒲2 成膜Cr Al CrULVAC AKT3 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon4 顯影檢查 光阻寸檢Nikon Hitachi5 蝕刻上層Cr WET DNS6 硬烤光洋7 蝕刻Al WET DNS8 硬烤光洋9 蝕刻下層Cr WET DNS10 蝕刻n Si DRY TEL PSC11 光阻去除DNS12 製程完成檢查KLA ORBO 27 Mask6 DC 保護層形成 1 成膜前洗淨SPC 芝蒲2 成膜SiNxBarlzers3 光阻塗佈 曝光 顯影TEL Nikon4 顯影檢查Nikon Hitachi5 蝕刻 DRY TEL PSC6 光阻去除DNS7 退火光洋 TFT元件製程結束 後流至ARRAYTESTER 28 TFTArray組成材料 五道光罩 MASK5 PE畫素電極ITO MASK2 SE通道與電極之接觸介面 n a Si H MASK2 SEGI層 Gate絕緣層 SiNx MASK4 CHContactholeSiNx 29 Mask1 GE Gate電極形成 1 受入洗淨芝蒲2 濺鍍Cr 4000A ULVAC3 成膜前洗淨島田理化 芝蒲4 光阻塗佈 曝光 顯影TEL DNS Nikon5 顯影檢查 光阻寸檢V tech6 硬烤田葉井7 CrTaper蝕刻 WET DNS8 光阻去除島田理化10製程完成檢查ORBOTEC OLYMPUS MASK2Island形成 1 在6道Mask之SE工程 其顯示區域內所製作的Pattern為TFT之Island及SourceLine與GateLine重疊的部份 在5道Mask製程中則將SourceLine的底部皆鋪上SE層 MASK3S D電極形成 1 在6道Mask製程 其第3道Mask為PE工程在5道Mask製程 其第3道Mask為SD程 5道Mask中PE為最後一道Mask MASK4SiNDepo 挖ContactHole 1 此處的CH工程 5M 結合了CH工程 6M 及DC工程 6M 故在CH工程 5M 需先鍍上SiN 做為保護膜 2 此處的CH工程 5M 有些區域需挖SiN GI層及保護膜 故在下一道製程PE工程鍍上ITO膜時 對金屬濺鍍的階梯覆蓋能力要求增加 MASK5Pixel電極形成 1 為何5道Mask中要將SD工程放在第3道Mask PE工程放在第5道Mask 推測 因為CH工程 5M 是結合DC及CH工程 6M 故在CH工程 5M 需先鍍上保護膜SiN 若第3道Mask 5M 改成PE工程 5M 則在CH工程 5M 時鍍上之保護膜SiN無法保護TFT 因為此時TFT尚未形成 2 PE工程 5M 在最後一道工程的優缺點 A 在6道Mask製程中 為了平坦度的要求 沒有將PE上的保護膜SiN挖掉 但此一作法卻增加的一個電容 使的驅動IC的負載增加 5道Mask將PE工程 5M 放 在最後一道製程 可將保護膜SiN置於PE底下 同時解決此二問題 B 在ITODepo 時需要通入O2 在挖CH 5M 處SD工程Depo 的金屬此時裸露在表面 故SD工程最表層的金屬需要求較不易氧化的金屬 Clean工程ProcessMonitor 受入洗 情報 CELL制程 1 傳統CELL制程 2 ODF版CELL制程 製程流程 製程流程 CFCleaning 彩色濾光片洗淨 在ColorFilter購入後可能會受到周圍環境有機物質污染 需對此附著在CF上之有機物排除 此製程以UV O3對有機物進行分解達到清潔之目的 fedcba a Loader部b 基板受取部c AirKnife部d EximerUV部e 基板整列部f Unloader部 1stScribe break 一次切割裂片 將大尺寸的ArrayTFT基板切割成我們所要的尺寸基板 切割成2 up的目的是因為Cell的生產線屬連續式生產線的型式 line 同樣數量的1 up與2 up投入生產線中雖然所花費的時間幾乎一樣 但2 up的產能就是比1 up多出一倍 1stGrinding 一次磨邊 按照所定尺寸切割好的玻璃 進行基板端面的研磨裝置 如圖 其主要目的有 1 將切割裂片後的玻璃截面平坦化 避免截面缺陷應力集中 2 避免尖銳的截面傷害後製程設備 Ctype Rtype 1stGrinding圖示 一 長邊整形機 功能 將裂片後的面板長邊磨平 二 短邊整形機 功能 將裂片後的面板短邊磨平 三 角磨邊機 功能 將面板四個角磨平 1 0 5mm After grindingcleaning 磨邊後洗淨 將前段磨邊後之玻璃基板洗淨 主要去除殘留在表面上之玻璃粉屑 小顆粒等 a 搬入Conveyor部b WaterShower 1 部c CJ部d WaterShower 2 部e Air knife部f 搬出Conveyor部 CJ部 CJ CavitationJet 由上下各2列強力水柱沖灌 產生液面下氣泡沖洗玻璃機板 Pre PICleaning 印上PI膜前洗淨 在PI膜印刷前將玻璃基板洗淨 並做適當的表面改質 使膜能均勻地塗布在玻璃基板上 a 基板受取 洗劑Brush部b WaterShower 1部c WaterShower 2 部d MSShower部e SilaneShower部f WaterShower 3 部g Air knife部h IR乾燥部i 冷卻部j 搬出Conveyor部 基板受取 洗劑Brush部 Brush對向回轉的目的上下Brush有自我清潔的功用使欲清洗的玻璃基板不致於刮傷減少Detergent的帶出量及流入下個單元能有效清潔Array基板凹凸的表面 MSShower部 MS MegaSonic 由2臺 頻率1 6MHz 以Maga波直立振盪 經狹縫出口形成水簾 衝擊在基板上如同海浪般沖洗 可處理約1um左右之Particle PIPrinting 印上PI膜 在玻璃基板 TFT基板 CF基板 上均勻塗佈印上一層薄膜 並且升溫把其溶劑揮發達到薄膜平整效果 其塗佈區域依照設計而定 薄膜厚度依據所選定的PI材料而有不同 製程原理 Filter Inksupply Substrate Letterpress Doctor PrintRoller AniloxRoller Dispenser PIfilm 流品方向 PIInspection PI膜檢驗 將已經塗佈PI膜且經過預烤的玻璃基板 TFT基板與CF基板 進行表面檢查 利用CCD及影像處理系統對玻璃基板做影像分析 區分其上過PI膜部份的顏色差異 藉由此檢查裝置早期發現不良 分析歸納不良 以其找出PIPrint的最佳製程條件 PIPostBake 印上PI膜後烘乾 將已經上完PI膜且檢查OK的玻璃基板進行高溫製程 使得基板上的PI膜進行硬化反應 以便於進行配向製程的進行 立式乾燥爐 Cleanoven Rubbing 配向或稱定向 於PI膜上製作出供液晶定向用之溝槽 使液晶整齊排列於上 下配向膜間 利用配向布摩擦玻璃基板上方的PI膜 形成供液晶定向排列所需的構槽及預傾角 雖然在配向作業時的磨擦不會破壞TFT基板 但磨擦所引起的靜電卻可能會破壞TFT 薄膜電晶體 因此TFT基板四周的Gate電極與Source電極是以短路相接的 shorted 以避免靜電所造成的破壞 為了讓液晶的排列順著上下介面的方向做90 的轉動 我們必須固定最上層的液晶及最下層的液晶 而為了讓液晶旋轉的方向固定一致 同為順時針方向或逆時針方向 我們替液晶做了預傾角 這些製程稱為定向或配向 rubbing 配向模 PI 上若無預傾角時 液晶分子旋轉的方向會不一致 在施加電場的狀況下 為了使液晶站起的方向一致 故在配向時在PI模上磨出 rub 預傾角 玻璃基板 配向方式 下列圖形的組立方式是由CF基板上升 原地翻轉然後與下方的TFT基板進行組合 如圖 為配向方向 為組立對位符號 After rubbingCleaning 配向後洗淨 去除經過Rubbing後的毛屑 PI膜殘渣等有機污染物及其他Particle a 基板受取b 洗劑US部c WaterShower部d MSShower部e SpinDry部f IR乾燥部g 冷卻部h 搬出Conveyor部 SpinDry 1 有搬入SpinTable之機械懸臂 其接觸玻璃基板下方邊緣端8mm以內 Chuck材質為Teflon 方式如下圖 機械手臂 玻璃基板 SpinDry 2 SpacerSpraying 灑間隙球 將spacer均勻散佈在玻璃基板中 作為兩塊玻璃間隙的支撐 形成均勻的cellgap 以避免panel在製造過程中 因壓合 升溫造成玻璃形變或cellgap的不均勻化 另一方面 若發現不良品 聚集或密度太多 太少 則需利用cleaner將spacer清除乾淨後 乾式灑間隙球再重新rework 而本廠採乾式灑間隙球之方式 乾式灑間隙球 利用氮氣與spacer混合後 以高壓氣體為動力 將spacer均勻噴灑在基板上 其中為使spacer不聚集在一起 利用摩擦生電的原理 將spacer與管壁高速摩擦而帶同性電 噴灑時 spacer因同性相斥的原理而彼此分散 達到均勻而不聚集的散佈 SpacerDensityInspection 間隙球密度檢驗 Spacer散佈之後 需經過此步驟檢查是否合格 其檢查的項目大略分為兩大類 spacer散佈的密度及cohesion的情形 若檢驗為合格者 則送至下一個步驟 若為不合格者 則送至doublebuffer內準備再行rework的步驟 由於lamp發出的光照射到spacer之後反射至detectorcamera的亮度較只照射到基板的光線強度為強 所以經由detectorcamera所收集到不同亮度的光線經由CCD轉換為電荷訊號 再經由影像處理單元轉換後即可於monitor顯影 若再將影像訊號傳送至PC 經由電腦的運算 可得知spacer的數目及cohesion的聚集情形 而達到檢測spacer散佈情況的目的 CCD檢測原理 SealantPatterning 塗佈框膠 以Dispenser塗佈框膠 Sealant 於彩色濾光片 CF 上 將LCDCell上下兩片玻璃基板區隔開 保護液晶不和外界水汽及雜質接觸 並防止液晶外流 Dispenser是由注射桶 barrel 和針頭 nozzlehead 所組成 框膠置於注射桶中 利用氣體 一般使用氮氣 加壓將框膠由筒內經由針頭畫於基板上 Perfect Nozzle邊緣殘留Seal會導致過細或斷線 框膠成份 硬化劑硬化促進劑充填劑稀釋劑溶劑其他添加劑 顏料 消泡劑等 可僥性賦予劑Fiber SealantPre bake 框膠烘乾 為了讓框膠 Sealant 硬化前 將框膠內的溶劑揮發 以防止因硬化溫度過高 框膠內溶劑突沸 使框膠產生孔洞 因此在硬化前要在較低的溫度下先行預烤 Pre bake TransferDispenser 塗佈銀膠 由於TFTLCDcell上層基板為colorfilter 下層基板是TFT 外接之IC電極是架於TFT上 因此需藉由導通材 在此使用銀膠 導通上基板 才能使cell形成電容 銀膠點的數量目的是要達到電性的均一性 隨著Panel基板越大 當有電壓訊號輸入 整片CF基板達到Common電壓的時間也越久 愈靠近銀點越快達到 愈遠離銀點越慢達到 因此我們必須均勻的把銀膠點分佈於Panel兩側 減短電壓輸入距離 時間 才能有好的均一性 CellAssembly 組合 將上流裝置搬入之TFTARRAY基板及CF基板利用光學儀器 CCD 高精細mark對位後均勻加壓貼合 達到控制兩枚基板至特定間隙 Gap CellPress 壓合 此步驟為加壓於兩基板 其目的為 a 使兩片基板連接黏合 b 產生基板間距 並做為日後防止異物侵入液晶之界面 在CF基板與TFT基板之對準與初步壓合後 予其一均勻之壓力 並藉由控制壓力大小 來調整兩片基板間尚未硬化之框膠高度 使達到期望之預設值 並在框膠硬化之過程中持續壓合 保持基板間距 避免因框膠與spacer因彈性或熱膨脹而變形 CELL壓合型式 重量加壓法 在cell上堆疊重物如玻璃板或鋼板 利用重量對cell進行施壓 機械加壓法 以機械對加壓板施力者 真空加壓法 在密壁空間中抽真空使可移動之上板或下板對cell做擠壓 優點為施壓均勻性高 氣囊加壓法 利用PV nRT充入一定量氣體 再控制溫度做加壓 舊式Jig 新式Jig 真空加壓 氣囊加壓 抽真空 壓合步驟 SealBake 烘乾 在基板壓合後 予以加熱使基板間之框膠受熱硬化 我們將以控制加熱過程中之溫度程式與加熱之均勻性來得到最佳性之框膠硬化物 后段B1製程簡介 1 VacuumAnneal 真空回火 2 LCInjection 液晶注入 3 EndSeal 加壓封止 4 AfterEndSealCleaner VacuumAnneal 在高溫真空下 將組立完的空panel中的水氣 未脫盡之框膠 溶劑或揮發性氣體去除 藉以縮短液晶注入時間 並避免產生defect VacuumAnneal機臺示意圖 Sheathheater Siroccofan Coolingjacket 前後製程關聯性 SealantCuring 框膠硬化 VacuumAnneal 真空回火 LCInjection 液晶注入 LCInjection 將液晶注入經VacuumAnneal後的Panel 本製程所使用的液晶注入法為表面張力法 將機臺維持在低真空度 將注入口與LCboat中的液晶接觸 利用表面張力原理使液晶充滿於Panel中 可保持液晶的潔淨度 但較浪費液晶 故每次製程結束後需進行LCboat剩餘液晶回收動作 MechanismofLCInjection PitchofInjectionHole 92mm L131Xx 120mm L141Xx L170Ex InjectionHolewidth 5mm L131Xx 10mm L141Xx 15mm L170Ex 液晶脫泡 4 1Pa30min 液晶漏電流測試 30pA 液晶及液晶皿添加安裝 Cassette安置 規格確認 開始進行液晶注入 NG 更換液晶 重新檢查 NG 液晶注入結束 檢查注入情況 LCInjectionProcessFlow 前後製程關聯性 VacuumAnneal 真空回火 LCInjection 液晶注入 EndSeal 加壓封止 EndSeal 將多餘的LC吸取出來 並將LC注入口以封口膠封住 利用壓力 使Panel保持最適當的gap外 並將多餘的LC擠出 Jig堆疊方式 28片 13 14 2層 14片 17 4層 封口膠塗布區域示意圖 EndSealProcessFlow 將堆疊完成的Jig以MGV送至及機臺內 確認裝置內無任何異物及裝置門是關閉的狀態 將選擇模式切換至 AUTO 模式 選擇 AUTOWIPE 按下 開始 鍵 輸入OPI及Cassette 前後製程關聯性 LCInjection 液晶注入 EndSeal 加壓封止 AfterEndSealCleaner EndSealDegassing 封口膠在使用前 先進行真空脫泡的動作 將封口膠內空氣排除 避免在進行EndSeal時 有空氣被帶入注入口內造成Defect AfterEndSealCleaner Panel在進行LCInjection完 經EndSeal封口後 用以清洗附著在CELL基板上的液晶 前後製程關聯性 EndSeal 加壓封止 AfterEndSealCleaner 2ndCut 2次切割及裂片 后段B2製程簡介 2ndCut 2ndScribe 2ndBreaking 2次切割及裂片 2 2ndGrinding 2次磨邊 3 CulletRemover 2ndCut 2ndScribe 2ndBreaking 將已灌好液晶的TFTLCDPanel週邊多餘的玻璃切割 並將切割好的TFTLCD裂開 將2 up玻璃尺寸切成1 up後 將Panel裂開 2ndScriberProcessFlow 將空Cassette置於收片機下 按下 運轉 及 下降 在touchpanel下按下 B面 將PanelTFT面朝上 對準stage 長邊電極需朝上 踩下真空吸著 使真空吸住Panel 雙手同時按下兩顆綠色按鈕 切割完成後 一手拿起Panel 一手拿起毛刷朝外清掃一次stage 在touchpanel下按下 A面 將PanelCF面朝上 對準stage 長邊電極需朝上 進行二次裂片 2ndBreak 在touchpanel下按下 A面 將Panel上多餘的玻璃剝除 將PanelCF面朝上 對準stage 長邊電極需朝上 踩下真空吸著 使真空吸住Panel 雙手同時按下兩顆綠色按鈕 2ndBreakProcessFlow 裂片完成後 一手拿起Panel 一手拿起毛刷朝外清掃一次stage 在touchpanel下按下 B面 將PanelTFT面朝上 對準stage 長邊電極需朝上 重複以下的步驟一次 將Panel送入PanelInsert中 OK 裂片不良 進行Rework 2ndCut玻璃剝除圖示 先撥開紅色部分 小心將Panel由TFT面翻倒CF面 以水平剝取方式 剝掉藍色部分 最後剝掉綠色部分 靜電刷之正確使用方法 1 毛刷應與stage平行 毛刷之木柄不可與stage接觸 2 清理Stage上之玻璃屑應由右至左刷到底 不可來回刷 3 清理Stage上之玻璃屑時 先清掃上半部2次 再清掃下半部1次 Panel擺放方式 長邊的電極部份 注意事項 1 長邊的電極部份一定是朝上擺放2 Panel要牢牢抵住三邊的Pin 但不可推太大力 以免撞破Panel3 如機臺還在使用塑膠的Pin時 Pin與Panel的相連處要記得壓 前後製程關聯性 AfterEndSealCleaner 2ndCut 2次切割及裂片 2ndGrinding 2次磨邊 2ndGrinding 將切割裂片後的玻璃截面平坦化 避免截面缺陷應力集中避免尖銳的截面傷害後製程設備研磨掉shortring 2ndGrinding機臺配置圖 CassetteLoader 外形整形機 面磨邊機 角磨邊機 OutConveyor CulletRemover 2ndGrinding圖示 一 外形整形機 功能 將裂片後的面板側邊 不含注入口測 磨平 二 面磨邊機 含shortring 功能 將面板側面 不含注入口測 磨出倒角 或將shortring磨除 Multiwheel Shortring需磨除的部分 三 角磨邊機 功能 將面板四個角磨平 1 0 5mm 前後製程關聯性 2ndCut 2次切割及裂片 2ndGrinding 2次磨邊 CulletRemover CulletRemover 本機臺之目的為清除2ndscriber breaker製程所產生之玻璃 若使用有機溶劑亦可用於清除前段其他製程產生之機污染物 CulletRemover機臺配置圖 2ndGrinding PanelCleanwithAnneal 1 2 3 4 5 1 基板收取 位置決定部 2 CF側潤濕 清掃部 4 TFT側潤濕 清掃部 3 基板反轉部 5 基板反轉部 取出部 CulletRemover清潔方式 1 研磨式 Polish 將基板潤濕後 以捲動之cleaningtape於基板表面作360度旋轉 利用tape下壓與旋轉的力量研磨玻璃碎屑與有機污染物 使其體積減小後被tape帶走 以達到清潔效果 2 刀刃清潔 Cutter 以陶瓷或SUS材質的刀刃 往覆於基板表面移動 利用刀刃的下壓力量將玻璃碎屑與有機物清除 刀刃清潔每片基板後以brush自我清潔 避免其上附著之玻璃碎屑污染下一片基板 CulletRemover清潔方式 前後製程關聯性 2ndGrinding 2次磨邊 CulletRemover PanelCleanwithAnneal 后段B3製程簡介 1 PanelCleanwithAnneal 2 PolarizerLamination 偏光片貼附 3 AutoClave 4 AfterEndSealCleaner PanelCleanwithAnneal 清除基板表面之particle 以利偏光片貼附 並對液晶實施回火 使分子於基板內部排列更為有秩序 貼附偏光板前的清潔使液晶重新排列整齊 CF TFT PF 製程目的 A B F G H D C E I J K B 緩衝區 A 接收輸送帶 C 灑水區 G 熱風區 F 風刀乾燥區 E 潤濕區 D 刷洗區 H 紅外線加熱區 I 冷卻區 J 輸出輸送帶 K 清淨區 設備組成 刷子的下壓量刷子的平行度紅外線加熱板的溫度控制風刀與SQUEEZEROLLER的距離靜電破壞 製程重點 刷子 NYLON輸送帶滾輪 導電橡膠ORSUSSQUEEZEROLLER PVAIRHEATPLATE 陶瓷材料CO2 相關材料 前後製程關聯性 CulletRemover PanelCleanwithAnneal 偏光板貼附 PolarizerLamination 將偏光板貼付於已灌好液晶及完成封口的Cell上 將偏光板貼至面板 CFPF TFTPF 製程目的 偏光板構造 PolyVinylAlcohol TAC 支撐層 粘著層 TAC 支撐層 分離層 保護膜 機臺組成 BTFT FTFT FCF BCF A 面板旋轉區 B 面板清潔區 E 偏光板對位區 D 偏光板清潔區 C 偏光板儲存盒 F 去除分離層及貼付偏光板 G 捲取分離層及面板反轉 H 面板旋轉及讀取面板ID I 卸載區 ECF DCF CCF CTFT DTFT ETFT 靜電MAX 100V微粒子或氣泡SIZE 30um對位精度貼付位置精度設定位置 0 3mm貼付平行度精度設定位置 0 3mm 製程重點 滾輪 搬送滾輪 UPE面板清潔滾輪偏光板清潔滾輪貼付滾輪偏光板的功能 相關材料 前後製程關聯性 PanelCleanwithAnneal 偏光板貼附 AutoClave AutoClave 去除偏光板與Cell當中的氣泡 並增加偏光板的附著強度 除去面板及偏光板間的氣泡增加貼付的粘著力 CFPF TFTPF 製程目的 機臺組成 Sirocco風扇 極屏燈絲 極屏燈絲範圍 常溫 100oC均勻性 5oC壓力範圍 0 9kg cm2排氣3階段排氣 製程重點 前後製程關聯性 偏光板貼附 AutoClave CellTest CellTest 藉由人員目檢 檢測面板的缺陷 除可確保出貨