第1章電力電子器件1.1電力電子器件概述1.2不可控器件——二極管1.3半控型器件——晶閘管1.4典型全控型器件1.5其他新型電力電子器件1.6電力電子器件的驅動1.7電力電子器件的保護1.8電力電子器件的串聯和并聯使用

2025/7/1電子電路的基礎———電子器件電力電子電路的基礎———電力電子器件本章主要內容：電力電子器件的概念、特點和分類等問題。電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數以及選擇和使用中應注意問題。第1章電力電子器件2025/7/11.1

電力電子器件概述2025/7/11）概念:電力電子器件（PowerElectronicDevice）

——直接用于電能的變換或控制主電路。主電路（MainPowerCircuit）

——直接承擔電能的變換或控制任務的電路。1.1.1

電力電子器件的概念和特征電力電子器件2025/7/1處理電功率的能力大。工作在開關狀態。需要信息電子電路控制。功率損耗大。1.1.1電力電子器件的概念和特征2）電力電子器件一般特征：2025/7/1通態損耗是器件功率損耗的主要成因。開關頻率較高時，開關損耗可能是功率損耗的主要因素。主要損耗通態損耗斷態損耗開關損耗關斷損耗開通損耗1.1.1

電力電子器件的概念和特征電力電子器件的損耗2025/7/1電力電子系統：由控制電路(檢測電路、驅動電路、保護電路)和主電路組成。V(Valve閥)圖1-1電力電子系統組成控制電路檢測電路驅動電路RL主電路V1V2保護電路在主電路和控制電路中附加一些電路，以保證電力電子器件和整個系統正常可靠運行1.1.2電力電子系統組成電氣隔離控制電路2025/7/1半控型器件（Thyristor）

——控制信號可控制其導通不能控制其關斷。全控型器件（IGBT,MOSFET，GTO)——控制信號既可控制其導通又可控制其關斷，又稱自關斷器件。不可控器件(PowerDiode)——控制信號不能控制其通斷。1.1.3

電力電子器件的分類按器件被控程度，分為三類：2025/7/1電流驅動型

——控制端注入或者抽出電流來實現導通或關斷。電壓驅動型

——電壓信號實現導通或者關斷。1.1.3

電力電子器件的分類

按驅動信號性質，分為兩類：2025/7/1單極型雙極型復合型

1.1.3

電力電子器件的分類

按參與導電的載流子，分為三類：2025/7/11.2

不可控器件—電力二極管整流二極管及模塊PowerDiode。應用：整流SR（SemiconductorRectifier)快恢復二極管。應用：中、高頻整流和逆變。肖特基二極管。應用：低壓高頻整流。2025/7/1由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的。從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種封裝。圖1-2電力二極管a)外形b)結構c)符號1.2.1PN結與電力二極管的工作原理AKAKa)IKAPNJb)c)AKAnodeKathode2025/7/1狀態參數正向導通反向截止反向擊穿電流正向大幾乎為零反向大電壓維持1V反向大反向大阻態低阻態高阻態——基本原理在于單向導電性。

PN結的反向擊穿（兩種形式)雪崩擊穿齊納擊穿1.2.1PN結與電力二極管的工作原理

PN結的狀態2025/7/1PN結的電荷量隨外加電壓而變化，呈現電容效應，該效應影響PN結的工作頻率。1.2.1PN結與電力二極管的工作原理

PN結電容效應：2025/7/1伏安特性門檻電壓UTO，正向電流IF開始明顯增加所對應的電壓。與IF對應的電力二極管兩端的電壓即為其正向電壓降UF

。承受反向電壓時，只有微小而數值恒定的反向漏電流。圖1-4電力二極管的伏安特性1.2.2

電力二極管的基本特性IOIFUTOUFU2025/7/1

額定電流——在指定的管殼溫度和散熱條件下，允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。使用時應按電流發熱效應有效值相等的原則來選取電流定額，并應留有一定的裕量。1.2.3

電力二極管的主要參數1)

正向平均電流IF(AV)2025/7/11.2.3

電力二極管的主要參數

器件電流額定的選擇： 工頻正弦半波電流: 額定值：IF(AV)=Im/π,有效值：If=Im/2波形系數：Kf=If/IF(AV)=π/2=1.57有效值與額定值關系式：If=1.57IF(AV)2025/7/12）正向壓降UF在指定溫度下，流過某一指定的穩態正向電流時對應的正向壓降。3）反向重復峰值電壓URRM對電力二極管所能重復施加的反向最高峰值電壓。使用時，應當留有兩倍的裕量。1.2.3

電力二極管的主要參數2025/7/11)普通二極管（GeneralPurposeDiode）又稱整流二極管（RectifierDiode）多用于開關頻率不高（1kHz以下）的整流電路正向電流定額和反向電壓定額可以達到很高DATASHEET1.2.4

電力二極管的主要類型2025/7/1

簡稱快速二極管trr在5μS以下快恢復外延二極管

（FastRecoveryEpitaxialDiodes——FRED），trr低于50ns，UF也很低（0.9V左右），反向耐壓多在1200V以下。DATASHEET

1

2

31.2.4

電力二極管的主要類型2)、快恢復二極管（FastRecoveryDiode——FRD）2025/7/11.2.4

電力二極管的主要類型3)肖特基二極管(DATASHEET)

以金屬和半導體接觸形成勢壘（SchottkyBarrierDiode——SBD）。優點：trr短（10-40ns)

URRM低，UF低 正向功耗小，動態功耗小缺點：URRM提高，UF也增高 反向漏電流大，溫度敏感

2025/7/11.3

半控器件—晶閘管

能承受的電壓和電流容量最高，工作可靠，在大功率的場合具有重要地位。晶閘管（Thyristor),可控硅整流器（SiliconControlledRectifier——SCR）2025/7/1圖1-6晶閘管a)外形b)結構c)電氣圖形符號1.3.1

晶閘管的結構與工作原理外形有螺栓型和平板型兩種封裝2025/7/11.3.1

晶閘管的結構與工作原理常用晶閘管的結構螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結構2025/7/11.3.1晶閘管的結構與工作原理圖1-7晶閘管a)雙晶體管模型b)工作原理2025/7/11.3.1

晶閘管的結構與工作原理阻斷狀態：IG=0，

1+

2很小。流過晶閘管的漏電流稍大于兩個晶體管漏電流之和。開通狀態：

1+

2趨近于1的，IA趨近于無窮大，實現飽和導通。IA實際由外電路決定。2025/7/11.3.1

晶閘管的結構與工作原理其它可能導通的情況：陽極電壓升高造成雪崩效應陽極電壓上升率du/dt過高結溫較高光觸發稱為光控晶閘管（LightTriggeredThyristor—LTT）。2025/7/11.3.2

晶閘管的基本特性晶閘管正常工作時的特性總結如下：承受反向電壓，不論門極是否有觸發電流，晶閘管不導通。承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的情況下晶閘管才能開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用。要使晶閘管關斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下。DATASHEET2025/7/11.3.2晶閘管的基本特性（1）正向特性正向阻斷狀態。IG=0，器件陽陰兩極加正向電壓，有很小的正向漏電流。器件開通。正向電壓超過正向轉折電壓Ubo，陽極電流急劇增大，電壓減小。門極電流增大，正向轉折電壓降低。晶閘管正向壓降1V左右。正向導通雪崩擊穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM1）靜態特性圖1-8晶閘管的伏安特性IG2>IG1>IG2025/7/11.3.2晶閘管的基本特性反向阻斷狀態時，只有極小的反向漏電。反向擊穿后，可能導致晶閘管發熱損壞。圖1-8晶閘管的伏安特性IG2>IG1>IG正向導通雪崩擊穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM（2）反向特性2025/7/11.3.3

晶閘管的主要參數1）電壓定額斷態重復峰值電壓UDRM

在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓。反向重復峰值電壓URRM

在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。選用時，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓2-3倍。使用注意：2025/7/11.3.3

晶閘管的主要參數通態平均電流IT(AV）在規定條件下允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。額定電流的參數。使用時應按有效值相等的原則來選取晶閘管，裕度系數1.5-2。維持電流IH

使晶閘管維持導通所必需的最小陽極電流。擎住電流IL晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的最小陽極電流。通常IL=（2-4）IH。2）電流定額2025/7/11.3.3

晶閘管的主要參數

3）動態參數斷態電壓臨界上升率du/dt

指在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓最大上升率。可使使晶閘管誤導通。通態電流臨界上升率di/dt

指在規定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態電流上升率。可能造成局部過熱使晶閘管損壞。2025/7/11.3.4晶閘管的派生器件1）快速晶閘管（FastSwitchingThyristor—FST)有快速晶閘管（400Hz以上）和高頻晶閘管（10kHz以上）。開關時間及du/dt和di/dt有明顯改善。高頻晶閘管電壓和電流定額都不易做高。工作頻率較高，不能忽略開關損耗。DATASHEET2025/7/11.3.4晶閘管的派生器件2）雙向晶閘管（TriodeACSwitch——TRIAC或BidirectionaltriodeThyristor）圖1-10雙向晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可認為是一對反并聯聯接的普通晶閘管。有兩個主電極T1和T2，一個門極G。應用：交流調壓、固態繼電器SSR（SolidStateRelay)、交流電機調速等有效值表示額定電流。DATASHEET2025/7/11.3.4晶閘管的派生器件逆導晶閘管（ReverseConductingThyristor——RCT）a)KGAb)UOIIG=0圖1-11逆導晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯上。優點：正向壓降小、關斷時間短、高溫特性好、額定結溫高等。2025/7/11.3.4晶閘管的派生器件光控晶閘管（LightTriggeredThyristor—LTT）AGKa)AK光強度強弱b)OUIA圖1-12光控晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性特點：主電路與控制電路之間絕緣，可避免電磁干擾。應用：高壓大功率場合。2025/7/11.4典型全控型器件1.4.1門極可關斷晶閘管1.4.2電力晶體管1.4.3電力場效應晶體管1.4.4絕緣柵雙極晶體管2025/7/11.4典型全控型器件門極可關斷晶閘管——在晶閘管問世后不久出現。20世紀80年代以來，電力電子技術進入了一個嶄新時代。典型代表——門極可關斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管。2025/7/11.4典型全控型器件常用的典型全控型器件電力MOSFETIGBT單管及模塊2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管晶閘管的一種派生器件。可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷。GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。DATASHEET門極可關斷晶閘管（Gate-Turn-OffThyristor—GTO）2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管結構： 和普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器件(數十個—數百個小GTO并聯）。圖1-13GTO的內部結構和電氣圖形符號

a)各單元的陰極、門極間隔排列的圖形b)并聯單元結構斷面示意圖c)電氣圖形符號1）GTO的結構和工作原理2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管GTO門極關斷的原因是：設計

2較大，使晶體管V2控制靈敏，易于GTO。導通時

1+

2更接近1，臨界飽和，有利門極控制關斷。多元集成結構，使得P2基區橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。圖1-7晶閘管的工作原理2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管結論：GTO導通過程與普通晶閘管一樣，只是導通時飽和程度較淺。GTO關斷過程中有強烈正反饋使器件退出飽和而關斷。多元集成結構使GTO比普通晶閘管開通過程快，承受di/dt能力強。2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管GTO的主要參數

許多參數和普通晶閘管相應的參數意義相同，介紹意義不同的參數。2025/7/11.4.1

門極可關斷晶閘管（1）最大可關斷陽極電流IATO（2）電流關斷增益

off

off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個主要缺點。——GTO額定電流。

——最大可關斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關斷增益。（1-8）2025/7/11.4.2電力晶體管電力晶體管（GiantTransistor——GTR，直譯為巨型晶體管）。耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（BipolarJunctionTransistor——BJT），也稱為PowerBJT。DATASHEET

1

2

20世紀80年代以來，在中、小功率范圍內取代晶 閘管，目前大多被IGBT和電力MOSFET取代。2025/7/1耐壓高、電流大、開關特性好。單管β通常為10左右，達林頓接法。1.4.2電力晶體管1）GTR的結構和工作原理2025/7/11.4.2電力晶體管

(1)

靜態特性共發射極接法時的典型輸出特性：截止區、放大區和飽和區。電力電子電路中GTR工作在開關狀態。在開關過程中，經過放大區。截止區放大區飽和區OIcib3ib2ib1ib1<ib2<ib3Uce圖1-16共發射極接法時GTR的輸出特性2）GTR的基本特性2025/7/11.4.2電力晶體管開通過程延遲時間td和上升時間tr，二者之和為開通時間ton。加快開通過程的辦法，增大ib并增大di/dt

。ibIb1Ib2Icsic0090%Ib110%Ib190%Ics10%Icst0t1t2t3t4t5tttofftstftontrtd圖1-17GTR的開通和關斷過程電流波形(2)

動態特性2025/7/11.4.2電力晶體管關斷過程儲存時間ts和下降時間tf，二者之和為關斷時間toff

。加快關斷速度的辦法(減小飽和深度增大負電流ib

）。GTR的開關時間在幾微秒以內，2025/7/11.4.2電力晶體管一次擊穿：集電極電壓升高至擊穿電壓時，Ic迅速增大。只要Ic不超過限度，GTR一般不會損壞。

二次擊穿：一次擊穿發生時，Ic突然急劇上升，電壓陡然下降。常常立即導致器件永久損壞，或工作特性明顯衰變。3）GTR的二次擊穿現象與安全工作區2025/7/1安全工作區（SafeOperatingArea——SOA）最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM二次擊穿臨界線PSB限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM圖1-18GTR的安全工作區1.4.2電力晶體管2025/7/11.4.3電力場效應晶體管通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），簡稱電力MOSFET（PowerMOSFET）結型電力場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（StaticInductionTransistor——SIT）結型和絕緣柵型2025/7/11.4.3電力場效應晶體管電壓控制，驅動電路簡單，驅動功率小；開關速度快，工作頻率高；熱穩定性優于GTR；無二次擊穿；電流容量小，耐壓低，適用于功率不超過10kW的場合.

特點：2025/7/11.4.3電力場效應晶體管導電機理與小功率MOS管相同，結構上區別較大;多元集成結構。電力MOSFET的結構

圖1-19電力MOSFET的結構和電氣圖形符號2025/7/11.4.3電力場效應晶體管不存在少子儲存效應，關斷過程迅速；開關時間在10-100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態時幾乎不需輸入電流。開關過程中需對輸入電容充放電，需一定的驅動功率。頻率越高，需要驅動功率越大。

開關速度2025/7/11.4.4

絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gateBipolarTransistor—IGBT）(DATASHEET1

2)GTR和MOSFET復合，結合二者的優點。1986年投入市場，是中小功率的主導器件。繼續提高電壓和電流容量，以期取代GTO的地位。

GTR和GTO的特點——雙極型，有電導調制效應，通流能力強，開關速度較低，電流驅動，驅動功率大，驅動電路復雜。

MOSFET的優點——單極型，輸入阻抗高，熱穩定性好，開關速度快，電壓驅動，驅動功率小，驅動電路簡單。2025/7/11.4.4

絕緣柵雙極晶體管1)IGBT的結構和工作原理圖1-22IGBTa)內部結構斷面示意圖b)簡化等效電路c)電氣圖形符號2025/7/11.4.4

絕緣柵雙極晶體管IGBT的特性和參數特點可以總結如下：開關速度高，開關損耗小。安全工作區比GTR大，具有耐脈沖電流沖擊能力。通態壓降比MOSFET低。輸入特性與MOSFET類似。與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力可進一步提高，同時保持開關頻率高的特點。2025/7/11.5其他新型電力電子器件1.5.1MOS控制晶閘管MCT1.5.2靜電感應晶體管SIT1.5.3靜電感應晶閘管SITH1.5.4集成門極換流晶閘管IGCT1.5.5功率模塊與功率集成電路2025/7/11.5.1

MOS控制晶閘管MCTMCT結合了二者的優點：承受極高di/dt和du/dt，快速的開關過程，開關損耗小。高電壓，大電流、高載流密度，低導通壓降。MCT（MOSControlledThyristor）——MOSFET與晶閘管的復合(DATASHEET)2025/7/11.5.2靜電感應晶體管SIT多子導電的器件，工作頻率與電力MOSFET相當，甚至更高，功率容量更大，因而適用于高頻大功率場合。在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等領域獲得應用。SIT（StaticInductionTransistor）——結型場效應晶體管2025/7/11.5.3靜電感應晶閘管SITHSITH是兩種載流子導電的雙極型器件，具有電導調制效應，通態壓降低、通流能力強。其很多特性與GTO類似，但開關速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。SITH（StaticInductionThyristor）——場控晶閘管（FieldControlledThyristor—FCT）2025/7/11.5.4集成門極換流晶閘管IGCT20世紀90年代后期出現，結合了IGBT與GTO的優點，容量與GTO相當，開關速度快10倍。目前正在與IGBT等新型器件激烈競爭，試圖最終取代GTO在大功率場合的位置。DATASHEET1

2IGCT（IntegratedGate-CommutatedThyristor）

—GCT（Gate-CommutatedThyristor）2025/7/11.5.5

功率模塊與功率集成電路20世紀80年代中后期始，模塊化趨勢，多個器件封裝在一個模塊中，稱為功率模塊。縮小裝置體積，降低成本，提高可靠性。較高工作頻率的電路，減小了線路電感，簡化了保護和緩沖電路。將器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路（PowerIntegratedCircuit——PIC）。DATASHEET基本概念2025/7/11.5.5

功率模塊與功率集成電路高壓集成電路（HighVoltageIC——HVIC）一般指橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率集成電路（SmartPowerIC——SPIC）一般指縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率模塊（IntelligentPowerModule——IPM）則專指IGBT及其輔助器件與其保護和驅動電路的單片集成，也稱智能IGBT（IntelligentIGBT）。實際應用電路2025/7/11.5.5

功率模塊與功率集成電路功率集成電路的主要技術難點：絕緣問題以及溫升和散熱的處理。以前主要在中小功率應用場合，近幾年獲得了迅速發展。功率集成電路實現了電能和信息的集成，成為機電一體化的理想接口。

發展現狀2025/7/11.6

電力電子器件器件的驅動1.6.1電力電子器件驅動電路概述1.6.2晶閘管的觸發電路1.6.3典型全控型器件的驅動電路2025/7/11.6.1電力電子器件驅動電路概述使電力電子器件工作在較理想的開關狀態，縮短開關時間，減小開關損耗。保護措施往往設在驅動電路中，或通過驅動電路實現。驅動電路的基本任務：按控制目標的要求向電力電子器件施加開通或關斷信號。

驅動電路—主電路與控制電路之間的接口2025/7/11.6.1電力電子器件驅動電路概述

驅動電路的功能。

隔離、功放、整形。光電隔離：光耦合器圖1-25光耦合器的類型及接法a)普通型b)高速型c)高傳輸比型2025/7/11.6.1電力電子器件驅動電路概述電流驅動型、電壓驅動型。分立元件型，專用集成型。雙列直插式集成電路將光耦隔離電路集成在內的混合集成電路。為達到參數最佳配合，首選廠家專用集成驅動電路。驅動電路分類2025/7/11.6.2晶閘管的觸發電路作用：產生符合要求的門極觸發脈沖。觸發電路應滿足下列要求：脈沖足夠寬脈沖有足夠的幅度。不超過門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發區域之內。與主電路隔離。注：IGT——在規定的條件下，使Thyristor導通的最小門極電流。tIIMt1t2t3t4圖1-26理想的晶閘管觸發脈沖電流波形t1~t2

脈沖前沿上升時間（<1

s）t1~t3

強脈寬度IM

強脈沖幅值（3IGT~5IGT）t1~t4

脈沖寬度I

脈沖平頂幅值（1.5IGT~2IGT）晶閘管觸發電路2025/7/11.6.2晶閘管的觸發電路V1、V2構成脈沖放大環節。脈沖變壓器TM和附屬電路構成脈沖輸出環節。圖1-27常見的晶閘管觸發電路常見的晶閘管觸發電路2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路

(1)GTOGTO的開通控制與普通晶閘管相似。GTO關斷控制需施加負門極電流。GTO驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。圖1-28推薦的GTO門極電壓電流波形OttOuGiG1、電流驅動型器件的驅動電路正的門極電流5V的負偏壓2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路圖1-29典型的直接耦合式GTO驅動電路-15v+15v2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路(2)GTR開通驅動電流應使GTR處于準飽和導通狀態。關斷時，施加一定的負基極電流，有利于減小關斷時間和關斷損耗。關斷后應在基射極之間施加一定幅值（6V左右）的負偏壓。tOib

圖1-30理想的GTR基極驅動電流波形2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路GTR的一種驅動電路。圖1-31

GTR的一種驅動電路2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅動型器件。為快速建立驅動電壓，要求驅動電路輸出電阻小。使MOSFET開通的驅動電壓一般10-15V，使IGBT開通的驅動電壓一般15-20V。關斷時施加一定幅值的負驅動電壓（一般取-5-15V）有利于減小關斷時間和關斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。

2、電壓驅動型器件的驅動電路2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路

(1)電力MOSFET的一種驅動電路：圖1-32電力MOSFET的一種驅動電路2025/7/11.6.3

全控型器件的驅動電路(2)IGBT的驅動

多采用專用的混合集成驅動器。常用的有三菱公司的M579系列和富士公司的EXB系列。2025/7/11.7電力電子器件器件的保護1.7.1過電壓的產生及過電壓保護1.7.2過電流保護1.7.3緩沖電路2025/7/11.7.1過電壓的產生及過電壓保護外因過電壓：主要來自雷擊和系統操作過程等外因內因過電壓：主要來自電力電子裝置器件的開關過程換相過電壓關斷過電壓過電壓——外因過電壓和內因過電壓2025/7/11.7.1過電壓的產生及過