半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念_第1頁
半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念_第2頁
半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念_第3頁
半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念_第4頁
半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念_第5頁
已閱讀5頁,還剩5頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

chip半導(dǎo)體集成電路基礎(chǔ)概念-------------------行業(yè)術(shù)語半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域有不少英文縮寫術(shù)語,本節(jié)羅列部分工作中常用術(shù)語,暫不做更多延伸行業(yè)術(shù)語-1ChipDieIDMWaferFablessASIC晶圓:本義為薄片,在集成電路中指晶圓。它和我們常聽到的硅片在大多時(shí)候是一個(gè)意思裸片:晶圓完成制造后切割成方形裸芯片,是芯片封裝之前的形態(tài),已經(jīng)有了各種電路。芯片:從Wafer上切割下來的Die進(jìn)行封裝,就形成了Chip,即我們通常講的芯片。Fabless是指沒有Fab,即不進(jìn)行制造環(huán)節(jié)的芯片公司,特指專注于IC設(shè)計(jì)的公司,比如華為海思。有的公司既做IC設(shè)計(jì),又直接制造芯片,這類公司就稱為IDM,典型的代表有英特爾(Intel)、德州儀器(TI)ApplicationSpecificIntegratedCircuit,是指為特定用戶、特定系統(tǒng)的需要而設(shè)計(jì)的專用集成電路,例如手機(jī)的CPU就是一個(gè)ASICFabFoundry本義為鑄造廠,在IC領(lǐng)域是專注于芯片制造的廠家。如臺積電、中芯國際,稱這類公司為Fab。FPGAFieldProgrammableGateArray,是一種預(yù)先做好的邏輯門陣列芯片,可以通過硬件編程的方式,來實(shí)現(xiàn)多種多樣的電路功能.基礎(chǔ)概念基礎(chǔ)概念-半導(dǎo)體、集成電路半導(dǎo)體

(Semiconductor)

:是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料,其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。元素半導(dǎo)體硅(Si)、鍺(Ge)等半導(dǎo)體(Semiconductor)砷化鎵(GaAs)、磷化鎵

(GaP)、碳化硅(SiC)、

氮化鎵(GaN)、磷化銦(lnP)、鋁鎵砷(AIGaAs)化合物半導(dǎo)體集成電路

(

Integrated

Circuit,IC)

:是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等無源元件,按照一定的電路互聯(lián),“集成”在半導(dǎo)體晶片上,封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定功能的電路或系統(tǒng)基礎(chǔ)概念-芯片芯片(Chip):又稱微電路(microcircuit、微芯片(microchip)、集成電路(integratedcircuit,IC)是半導(dǎo)體元件的統(tǒng)稱,我們可以把它理解成半導(dǎo)體+集成電路,合起來就叫芯片。它根據(jù)特定功能,采用一定的工藝,可以將上百億晶體管及其他被動元件布線集成在一塊半導(dǎo)體晶圓上,然后封裝起來,就形成了體積很小,但具備強(qiáng)大功能的芯片。基礎(chǔ)概念-芯片示例圖部分封裝好的芯片圖例基礎(chǔ)概念-晶圓制作主要流程冶煉粗硅多晶硅拉單晶棒切割研磨拋光清洗晶圓就是硅做的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓再經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu),再經(jīng)切割、封裝、測試成為芯片?;A(chǔ)概念-襯底材料20世紀(jì)50年代鍺(Ge)20世紀(jì)60年代后期硅(Si)第一代半導(dǎo)體襯底材料上游開采冶煉鍺管適用于高頻大功率器件中,且在強(qiáng)輻射與-40℃下運(yùn)轉(zhuǎn)正常。鍺襯底適用于太陽能、衛(wèi)星與空間站的啟動電源等領(lǐng)域。鍺煤鍺礦渣鍺廢料材料特性硅礦硅石硅砂半導(dǎo)體器件產(chǎn)值來看,全球95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。稀有金屬元素,自然界分不少儲量豐富、自然界分布廣較高電子遷移率和空穴遷移率薄膜絕緣性能好,可靠性高資源特點(diǎn)各自優(yōu)點(diǎn)基礎(chǔ)概念-襯底材料第二代半導(dǎo)體材料第三代半導(dǎo)體材料代表材料以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等化合物材料為代表應(yīng)用領(lǐng)域微波功率器件、低噪聲器件、發(fā)光二極管、激光器、光探測器等材料特性較好的電子遷移率和帶隙寬度,但原料稀缺且有毒,不適合廣泛使用,生長工藝較成熟。代表材料以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶化

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論