ICS3108001

CCSL.40.

中華人民共和國國家標準

GB/T457211—2025/IEC62880-12017

.:

半導體器件應力遷移試驗

第1部分銅應力遷移試驗

:

Semiconductordevices—Stressmigrationtest—

Part1Coerstressmirationtest

:ppg

IEC62880-12017Semiconductordevices—Stressmirationteststandard—

(:,g

Part1CoerstressmirationteststandardIDT

:ppg,)

2025-05-30發布2025-09-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T457211—2025/IEC62880-12017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

試驗方法

4…………………2

測試結構

4.1……………2

試驗設備

4.2……………5

試驗溫度

4.3……………5

試驗條件樣本數和測量

4.4、……………5

失效判據

4.5……………6

合格判據

4.6……………6

報告

5………………………6

附錄資料性應力遷移應力誘生空洞與溫度幾何形狀的關系說明

A()、、……………7

附錄資料性鼻狀圖形與幾何形狀相關性示例

B()……………………15

參考文獻

……………………17

Ⅰ

GB/T457211—2025/IEC62880-12017

.:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導體器件應力遷移試驗的第部分已經發布了以下

GB/T45721《》1。GB/T45721

部分

:

第部分銅應力遷移試驗

———1:。

本文件等同采用半導體器件應力遷移試驗標準第部分銅應力遷移試驗

IEC62880-1:2017《1:

標準

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

為與現有標準協調將標準名稱改為半導體器件應力遷移試驗第部分銅應力遷移

———,《1:

試驗

》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位工業和信息化部電子第五研究所中國電子科技集團公司第五十八研究所河北

:、、

北芯半導體科技有限公司華南理工大學杭州飛仕得科技股份有限公司廣東工業大學廣東氣派科技

、、、、

有限公司中紹宣標準科技集團有限公司

、。

本文件主要起草人黃云肖慶中高汭韋覃如成立業雷登云周振威陳思黃欽文賈沛

:、、、、、、、、、、

趙海龍姚若河李軍萬永康虞勇堅劉東月陳勇崔從俊

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T457211—2025/IEC62880-12017

.:

引言

半導體器件是電子行業產業鏈中的通用基礎產品為電子系統中的最基本單元半導

,,GB/T45721《

體器件應力遷移試驗系列標準是半導體器件進行晶圓級試驗的基礎性和通用性標準對于評價和考

》,

核半導體器件晶圓級的質量和可靠性起著重要作用該系列標準擬由兩個部分構成

。。

第部分銅應力遷移試驗目的在于評價微電子晶圓上的銅金屬化測試結構對應力誘

———1:。(Cu)

生空洞的敏感性

(SIV)。

第部分鋁應力遷移試驗目的在于評價微電子晶圓上的鋁金屬化測試結構對應力誘

———2:。(Al)

生空洞的敏感性

。

該系列標準等同采用系列標準保證半導體器件試驗方法與國際標準一致實現半導體

IEC62880,,

器件檢驗方法可靠性評價質量水平與國際接軌通過制定該系列標準確定統一的試驗方法及應力

、、。,,

評價半導體器件晶圓級可靠性對于評價和考核半導體器件的質量和可靠性起著重要作用同時補充完

,,

善半導體器件標準體系為半導體器件行業的發展起到指導作用

,。

Ⅳ

GB/T457211—2025/IEC62880-12017

.:

半導體器件應力遷移試驗

第1部分銅應力遷移試驗

:

1范圍

本文件規定了一種恒溫老化方法該方法用于試驗微電子晶圓上的銅金屬化測試結構對應力

,(Cu)

誘生空洞的敏感性該方法將主要在產品的晶圓級工藝開發過程中進行其結果將用于壽命預

(SIV)。,

測和失效分析在某些情況下該方法能應用于封裝級試驗由于試驗時間長此方法不適用于產品批

。,。,

次性交付檢查

。

雙大馬士革銅金屬化系統通常在蝕刻到介電層的溝槽的底部和側面具有內襯例如鉭或氮化

,(Ta)

鉭因此對于單個通孔接觸下面寬線的結構通孔下方空洞引起的阻值漂移達到失效判據規定

(TaN)。,,

的某一百分比時將會瞬間導致開路失效

,。

2規范性引用文件

本文件沒有規范性引用文件

。

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

應力遷移stressmigrationSM

;

半導體器件互連的一種重要失效現象

。

注在半導體器件中晶體結構的不匹配或溫度變化等因素導致晶體中的應力分布不均勻從而引起晶體中的應力

:,,

遷移現象

。

32

.

應力誘生空洞stressinducedvoiding