ICS3108001

CCSL.55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)

介電擊穿TDDB試驗(yàn)

()

Semiconductordevices—TimedeendentdielectricbreakdownTDDB

p()

testforgatedielectricfilms

IEC623742007IDT

(:,)

2025-05-30發(fā)布2025-09-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

試驗(yàn)設(shè)備

4…………………3

試驗(yàn)樣品

5…………………3

通則

5.1…………………3

測(cè)試結(jié)構(gòu)電容器結(jié)構(gòu)

5.2()……………3

面積

5.3…………………3

步驟

6………………………4

概述

6.1…………………4

預(yù)測(cè)試

6.2………………4

試驗(yàn)條件

6.3……………5

判據(jù)

6.4…………………5

壽命時(shí)間估算

7……………7

概述

7.1…………………7

加速模型

7.2……………8

壽命時(shí)間估算步驟

7.3…………………10

壽命時(shí)間與柵氧面積的關(guān)系

8……………12

附錄資料性補(bǔ)充確定試驗(yàn)條件和數(shù)據(jù)分析

A()………13

參考文獻(xiàn)

……………………16

Ⅰ

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文本件等同采用半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)介電擊穿試驗(yàn)

IEC62374:2007《(TDDB)》。

本文件增加了規(guī)范性引用文件一章

“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所吉林華微電子股份有限公司安徽長(zhǎng)麥智能科

:、、

技有限公司中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體股份有限公

、、、

司河北北芯半導(dǎo)體科技有限公司東莞賽諾高德蝕刻科技有限公司中芯國(guó)際集成電路制造上海有

、、、()

限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所深圳市森美協(xié)爾科技有限公司

、、。

本文件主要起草人陳義強(qiáng)來萍高汭蔡榮敢馮宇翔王力緯董顯山肖慶中陳媛常江

:、、、、、、、、、、

劉岳陽(yáng)劉崗崗裴選張亮旗馮軍宏遲雷夏自金劉世文

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)

介電擊穿TDDB試驗(yàn)

()

1范圍

本文件描述了半導(dǎo)體器件柵介質(zhì)層的時(shí)間相關(guān)介電擊穿試驗(yàn)方法以及失效的產(chǎn)品

(TDDB)TDDB

壽命時(shí)間估算方法

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

柵氧電場(chǎng)強(qiáng)度oxideelectricfieldstrength

()()

E

ox

柵氧電壓除以柵氧厚度見公式

,(1)。

注

:

E=Vt

oxox/ox…………(1)

式中

:

E柵氧電場(chǎng)強(qiáng)度單位為兆伏每厘米

ox———,(MV/cm);

V柵氧電壓

ox———;

t柵氧厚度

ox———。

t應(yīng)通過統(tǒng)一的有據(jù)可查的方法掃描電子顯微鏡透射電子顯微鏡或電容電壓分析的物理

ox、((SEM)、(TEM)-(CV)

測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)定需要指出的是施加的電壓不一定是柵氧上的電壓超薄柵氧由于存在量子限域效應(yīng)和柵電極耗

)。,。

盡效應(yīng)柵氧電壓會(huì)比施加的電壓要低

,。