1+X集成電路理論試題（附參考答案）一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.晶圓檢測工藝中，在進行上片之前需要進行()操作。A、導片B、加溫、扎針調試C、扎針測試D、打點正確答案：A答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。2.在扎針測試時，如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是（）。A、在扎針調試前后都可以B、在扎針調試過程中C、在扎針調試之前D、在扎針調試之后正確答案：C3.打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案：A答案解析：打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小，且墨點不能覆蓋PAD點。4.用重力式選機設備進行芯片檢測的第二個環節是()。A、分選B、測試C、上料D、外觀檢查正確答案：B答案解析：重力式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。5.通常情況下，一個編帶盤中芯片的數量是()。A、1000B、8000C、4000D、2000正確答案：C6.如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是在扎針調試()。A、之前B、之后C、過程中D、都可以正確答案：A答案解析：根據熱脹冷縮的原理，需要加溫的晶圓要在加溫結束后再進行扎針調試。若先進行扎針調試再加溫可能會扎透鋁層。7.在電子產品測試中需保證測試環境穩定，其中使用環境穩定是指（）。A、軟件的工作參數穩定B、硬件的工作參數穩定C、使用人員操作得當D、模擬真實用戶使用時的場景正確答案：D8.芯片的耐壓度是指()，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結構。A、所能承受的最大應力B、承受電壓的能力C、所能承受的最大壓強D、所能承受的極限載荷正確答案：B答案解析：耐壓度是承受電壓的能力，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結構。9.裝有晶圓的花籃需要放在氮氣柜中儲存的主要目的是()。A、防氧化B、合理利用生產車間的空間C、作為生產工藝的中轉站D、防塵正確答案：A答案解析：氮氣柜主要是利用氮氣來降低濕度和氧含量。將裝有晶圓的花籃放在氮氣柜中的主要目的是防氧化。10.下列選項中不屬于“5s”管理要求的是（）。A、培訓B、清掃C、整理D、素養正確答案：A答案解析："5S管理起源于日本，是指在生產現場對人員、機器、材料、方法等生產要素進行有效管理的一種管理方式。5S即整理（SEIRI）、整頓（SEITON）、清掃（SEISO）、清潔（SEIKETSU）、素養（SHITSUKE），因為這5個詞日語中羅馬拼音的第一個字母都是"S"，所以簡稱為"5S"。"11.LK32T102單片機內部有一個（）ADC。A、8位B、12位C、18位D、24位正確答案：B12.料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉箱中取出后，將測試合格的料盤放在()。A、已檢品區B、待檢品區C、不合格品區D、工作臺任意位置正確答案：B答案解析：料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉箱中取出后，根據隨件單核對合格品、不合格品的數量一致后，將合格品和隨件單放在工作臺的右邊，其中不合格品放在工作臺下方的不合格品箱中，合格品放在待檢區，并且不能超過黃線，這是為了防止檢查時進行混合。13.若防靜電點檢未通過則需要（）。A、重新啟動檢測儀器，再次檢測B、請其他員工檢測，門開啟后一同進入C、找管理部門手動打開D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測正確答案：D答案解析：防靜電點檢未通過時，應該檢查自身著裝并消除靜電，然后重新檢測。不可隨其他檢測通過的人員一起進入，否則自身超標的靜電會對對車間內的芯片造成損害。14.進行料盤包裝時，一個內盒中通常裝有()袋真空包裝完的料盤。A、1B、2C、3D、4正確答案：A答案解析：進行料盤包裝時，-個內盒中通常裝有1袋真空包裝完的料盤。15.晶圓檢測工藝中，在進行真空入庫之前，需要進行的操作是()。A、烘烤B、打點C、外檢D、扎針測試正確答案：C答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。16.進行芯片檢測工藝的芯片外觀檢查時，將工作臺整理干凈后，根據物流提供的（）到待檢查品貨架上領取待外檢的芯片。A、芯片測試隨件單B、晶圓測試隨件單C、中轉箱號D、芯片名稱正確答案：C17.封裝工藝中，裝片機上料區上料時，是將（）的引線框架傳送到進料槽。A、底層B、任意位置C、頂層D、中間位置正確答案：A18.下列選項中錯誤的是（）。A、客戶需求量比較少的情況下，是需要編帶的?？蛻粜枰牧勘容^大，則可以不需要編帶B、通常情況下，編帶機要設置以下參數：1.編帶一格的長度；2.編帶一卷的數量；3.載帶與蓋帶一卷長度；4.前空與后空IC數量；5.機械壓刀的溫度；6.產速C、編帶是指利用編帶機把散裝元器件，通過檢測、換向、測試等工位，放入載帶中D、編帶機的光檢區能夠運用高速高精度視覺處理技術自動檢測芯片，將管腳不良或印章異常的芯片進行剔除正確答案：A19.選擇集成電路的關鍵因素主要包括（）。A、性能指標B、工作條件C、性價比D、以上都是正確答案：D20.重力分選機自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機的入料區內，料管隨傳送帶上升到（）。A、顯示區B、入料區C、廢料區D、激光檢測區正確答案：D21.LK32T102單片機工作頻率最高支持（）。A、144MHzB、36MHzC、72MHzD、18MHz正確答案：C22.單晶硅生長完成后，需要進行質量檢驗，其中四探針法可以測量單晶硅的（）參數。A、電阻率B、少數載流子壽命C、直徑D、導電類型正確答案：A23.“對刀”操作時，點擊顯示屏上主菜單的（）按鈕，使承載盤真空從關閉狀態轉為開啟狀態。A、θ角度調整B、開始C、WorkSetD、ManualAlign正確答案：C答案解析：點擊顯示屏上主菜單的“WorkSet”（設置）按鈕，使承載盤真空從關閉狀態轉為開啟狀態。點擊顯示屏上的“ManualAlign”（手動對位）按鈕，界面跳轉到“切割道調整界面”。點擊“24.晶圓烘烤時，溫度一般設置在()℃。A、110B、120C、130D、140正確答案：B答案解析：晶圓烘烤時，溫度一般設置在120℃。25.根據以下隨件單信息可知，從待檢查品貨架上找到的編號為()的中轉箱。A、7LK8B、57493C、1586D、1568正確答案：D答案解析：由隨件單信息可知，該批次的中轉箱號為1568。26.下面選項中不屬于激光打字的優點的是（）。A、不易擦除B、精度高C、字跡清晰D、塑封體上易反復進行正確答案：D27.單晶爐的開機順序正確的是()。A、電源開關→加熱器開關→坩堝開關→籽晶開關B、電源開關→坩堝開關→加熱器開關→籽晶開關C、電源開關→籽晶開關→坩堝開關→加熱器開關D、籽晶開關→坩堝開關→加熱器開關→電源開關正確答案：A答案解析：單晶爐的開機順序為：電源開關→加熱器開關→坩堝開關→籽晶開關。28.平移式分選機設備測試環節的流程是：()。A、吸取、搬運芯片→入料梭轉移芯片→壓測→記錄測試結果→搬運、吹放芯片B、入料梭轉移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結果→搬運、吹放芯片C、入料梭轉移芯片→搬運、吹放芯片→壓測→記錄測試結果→吸取、搬運芯片D、搬運、吹放芯片→入料梭轉移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結果正確答案：B答案解析：平移式分選機設備測試環節的流程是：入料梭轉移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結果→搬運、吹放芯片。29.利用平移式分選設備進行芯片檢測時，芯片在該區域的操作完成后會進入（）區域。A、分選B、待測C、測試D、上料正確答案：A30.在原理圖編輯器內，用鼠標左鍵選擇每一個元件，當選中一個元件時，在對話框的右邊的封裝管理編輯框內設計者可以（）當前選中元件的封裝。A、添加、刪除B、添加、刪除、編輯C、添加、刪除、復制D、添加、刪除、復制、編輯正確答案：B31.平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從()上吸取芯片。A、收料盤B、待測料盤C、入料梭D、出料梭正確答案：D答案解析：平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從出料梭上吸取芯片。32.干-濕-干氧化過程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、獲得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能正確答案：B答案解析：干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的SiO2表面，從而提高對雜質的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的特點，在實際生產中往往將這兩種方式結合起來，采用干-濕-干的氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定的生產效率，又改善了表面的完整性和解決了光刻時的浮膠問題。第一次干氧是為了獲得致密的二氧化硅表面，從而提高對雜質的阻擋能力。濕氧主要用來形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產效率；第二次干氧，是為了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同時使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻膠的粘附性。33.用編帶機進行編帶前預留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認編帶機正常運行D、節省人工檢查時間正確答案：B答案解析：空余載帶預留設置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會出現封口分離的情況，導致端口的芯片散落。34.通常被用于深紫外光刻膠的準分子激光器的光源材料是（）。A、KrFB、F2C、ArFD、XeF正確答案：A答案解析：通常被用于深紫外光刻膠的準分子激光器的光源材料是氟化氪KrF。35.芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞，工作人員必須佩戴（）。A、絕緣手套B、無紡布手套C、絕緣服D、防靜電護腕正確答案：D36.正常工作時風淋室內無人時，外部的（）指示燈亮起。A、紅色B、黃色C、綠色D、藍色正確答案：C答案解析：風淋室內無人時，外部的綠色指示燈亮起，進入風淋室后關門，風淋室自動落鎖，外部指示燈變為紅色，風淋開始。37.()包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便，比較省時。A、晶圓盒包裝B、花籃內盒包裝C、防靜電鋁箔袋包裝D、花籃外盒包裝正確答案：D答案解析：花籃外盒包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便，比較省時。38.芯片檢測工藝過程中一般有拼零操作，下面對拼零描述正確的是（）。A、零頭電路不需要進行檢查B、每次拼零時可以對多個產品進行操作C、一個內盒中最多有三個印章號D、拼零時遵循“先入先出”的原則正確答案：D39.添加連線時，在先的起點處（）鼠標，移動光標，在線的終點（）鼠標完成連線繪制。A、雙擊、單擊B、雙擊、雙擊C、單擊、雙擊D、單擊、單擊正確答案：C二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.下列屬于晶圓外檢的步驟的是：()。A、從待檢花籃中取出晶圓，核對晶圓批號隨件單一致B、檢查晶圓背面有無沾污、受損等情況C、用油墨筆剔除指紋等印記D、在顯微鏡下檢查晶圓有無墨點沾污等異常情況正確答案：ABCD答案解析：晶圓外檢步驟為：從待檢測花籃中取出晶圓，檢查晶圓的批號是否與晶圓測試隨件單一致。對晶圓背面進行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。發現晶圓周邊有指紋等印記時，用油墨筆進行剔除。將晶圓放入顯微鏡下進行檢查，移動晶圓，檢查是否有墨點沾污、扎針異常等情況，若發現異常，需用打點器進行打點標記。2.電鍍的生產線結構主要有由（）、循環系統、（）和控制系統幾部分組成。A、渡槽B、傳送系統C、包裝系統D、通訊系統正確答案：AB3.料盤外觀檢查時，不需要檢查的內容有：()。A、管腳B、印章C、壓痕D、脫膠正確答案：CD答案解析：料盤外觀檢查的內容有：管腳、印章、塑封體、錫層外觀、電路方向。壓痕和脫膠是變電外觀檢查時需要檢查的內容。4.晶圓檢測過程中，若其車間內潔凈度不達標，則可能會導致（）。A、測試良率降低B、探針測試卡上出現異物C、探針測試卡報廢D、晶圓報廢正確答案：ABCD答案解析：當車間潔凈度不達標時生產中電路質量和設備將受到影響。比如在晶圓檢測過程中，可能會使探針測試卡上出現異物，嚴重時會導致探針測試卡損毀、晶圓報廢，因此導致測試良率降低、測試不穩定，帶來巨大損失，故A、B、C、D均正確。5.一般情況下，30mil的墨管適用于直徑為（）的晶圓。A、300mmB、200mmC、150mmD、125mm正確答案：AB6.下列描述正確的是（）。A、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列大B、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列小C、LS系列速度比HC系列快D、HC系列速度比LS系列快正確答案：AC7.以下屬于產生靜電而造成的危害有()。A、干擾飛機無線電設備的正常工作B、因靜電火花點燃某些易燃物體而發生爆炸C、造成集成電路和半導體元件的污染D、電火花會引起爆炸正確答案：ABCD8.晶圓框架盒的主要作用為（）和（）。A、固定并保護晶圓，避免其隨意滑動而發生碰撞B、用于儲存晶圓的容器C、保護藍膜，防止晶圓上的藍膜受到污染D、便于周轉搬運正確答案：AD答案解析：晶圓框架盒是用于裝載已經外加晶圓貼片環的晶圓的容器，可以避免晶圓隨意滑動而發生碰撞，有效的保護晶圓和晶粒的完整度，同時便于周轉搬運。9.以下是離子注入過程中的主要工藝參數的是（）。A、注入均勻性B、離子注入劑量C、離子射程D、束流密度正確答案：ABCD10.影響顯影工藝的因素有（）。A、曝光度B、顯影液濃度C、顯影方法D、工序的溫度和時間正確答案：ABCD答案解析：影響顯影工藝的因素有：軟烘焙時間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時間、溫度以及顯影方法。11.第四道光檢主要是針對哪些封裝工藝環節的檢查？A、芯片粘接B、激光打標C、切筋成型D、塑料封裝正確答案：BCD12.切筋成型前進行芯片檢查，下列需要進行剔除的芯片有（）。A、塑封體缺損B、鍍錫露銅C、引線框架不平D、引腳斷裂正確答案：ABD13.銀漿固化在烘干箱中進行，在（）℃的環境下烘烤（）小時A、175B、100C、1D、8正確答案：AC答案解析：為了使芯片與引線框架之間焊接牢固，需要進行銀漿固化處理。利用銀漿在高溫下能完全反應的特性，將貼裝完成的芯片放于烘干箱中，在175℃的環境下高溫烘烤1個小時。14.以下說法正確的是（）。A、當載帶設置數量到達極限，無法包裝一卷或觀察載帶沒有足夠多的數量，不足包裝一盤時，可以包裝完載帶，再更換新的載帶B、外觀檢查中發現有不良芯片，要對有缺陷的芯片進行修復，若不能修復則作為外觀不良進行處理C、不合格的芯片需要用鑷子取出，用合格零頭進行替換D、中有不良品或放反芯片，右手先戴上手套，再用刀片將編帶槽的上、左、右各割開三分之一蓋帶，用鑷子將該芯片取出并放入不良品收料袋中，然后用零頭盒內的合格芯片替換，并用透明粘膠帶從替換芯片的右側，貼至替換芯片的左側正確答案：BD15.摻雜的目的是（）。A、形成PN結B、改變材料的電阻率C、改變材料的某些特性D、形成一定的雜質分布正確答案：ABCD答案解析：摻雜的目的是形成PN結、改變材料的電阻率、改變材料的某些特性、形成一定的雜質分布。16.AltiumDesigner的設計規則系統的強大功能是（）。A、同種類型可以定義多種規則B、每個規則有不同的對象C、每個規則目標的確切設置是由規則的范圍決定的D、規則系統使用預定義優先級，來確定規則適用的對象正確答案：ABCD17.編帶外觀檢查前需要準備的工具是（）。A、放大鏡B、保護帶C、紙膠帶D、防靜電鋁箔袋正確答案：ABC18.當花籃的卡槽與承重臺的上片槽密貼時，()。A、下降指示燈亮B、前后移動花籃，花籃固定不動C、下降指示燈滅D、位置指示燈亮正確答案：BD答案解析：當花籃的卡槽與承重臺的上片槽密貼時，即花籃位置放置正確時，承重臺上的位置指示燈亮，此時前后移動花籃，花籃不會發生移動。19.以下屬于半自動探針臺的扎針調試步驟的是：()。A、將晶圓放置在載片臺上，關閉真空閥門控制開關B、使用控制旋鈕移動載片臺，將待測點移動到顯微鏡下C、將顯微鏡切換為高倍物鏡，通過微調使待測點清晰地出現在視場中心D、調節探針座，目檢探針移動到待測點附近正確答案：BCD答案解析：在進行半自動探針臺的調試時，將晶圓放置在載片臺上，開啟真空閥門控制開關，其余選項均為半自動探針臺的扎針調試的步驟。20.表征光刻膠的性能指標包括（）。A、靈敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正確答案：ABCD答案解析：表征光刻膠性能指標包括靈敏度、分辨率、黏附性、抗蝕性、留膜率等。21.下列對芯片電源電流測試描述正確的是（）。A、集成電路電源電流測試包括靜態電源電流測試和動態電源電流測試B、靜態電源電流測試是芯片處于不使能ABCD或靜態時的電源電流C、動態電源電流測試是芯片處于正常工作時的電源電流D、靜態電源電流通常給芯片電源端施加規定電壓，并將芯片輸入引腳都接0V電壓，輸出引腳都懸空，測量流經電源端的電流，正確答案：ABCD22.以下屬于晶圓盒包裝的步驟的有：()。A、打開真空包裝機的電源開關，設置參數B、將晶圓包裝盒放入防靜電鋁箔袋中C、在晶圓盒內放干燥劑等防潮材料D、每兩層tyvek紙之間放一片晶圓正確答案：CD答案解析：打開真空包裝機的電源開關，設置參數和將晶圓包裝盒放入防靜電鋁箔袋中屬于抽真空的步驟，其余選項均為晶圓盒包裝步驟。23.用晶圓鑷子夾取晶圓時，晶圓鑷子的()應置于晶圓正面，()應置于晶圓背面，夾晶圓的空白部分，不可傷及晶圓。A、長邊、短邊B、短邊、長邊C、鋸狀頭、平頭D、平頭、鋸狀頭正確答案：BC答案解析：用晶圓鑷子夾取晶圓時，晶圓鑷子的“短邊”(鋸狀頭)應置于晶圓正面，“長邊”(平頭)應置于晶圓背面，夾晶圓的空白部分，不可傷及晶圓。24.封裝工藝中，晶圓劃片機顯示區可以進行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發送消息B、設置參數C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC25.下列有關開短路測試描述正確的是（）。A、開短路測試是對芯片管腳內部對地或對VCC是否出現開路或短路的一種測試方法。B、開短路測試本質是基于產品本身管腳的ESD防靜電保護二極管的正向導通壓降的原理進行測試C、管腳開路時測得的電壓都接近0VD、管腳短路時測得的電壓都接近0V正確答案：BD26.在LED燈閃爍的任務中，不是點亮8個燈的程序語句是（）。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正確答案：ABD三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.電子產品性能測試包括幾何性能測試、物理性能測試和功能性測試。A、正確B、錯誤正確答案：A2.為了驗證所布線的電路板是符合設計規則的，現在設計者要運行設計規則檢查DesignRuleCheck(DRC)。A、正確B、錯誤正確答案：A3.和待測芯片并行測試一樣，串行測試也是由測試夾具（金手指）夾持固定后再進行測試，不同點在于串行測試區有A/B/C三個測試軌道，每個測試軌道各連接一塊測試卡，測試卡之間互不干擾，模塊電路依次進行不同電特性參數的測試。（）A、正確B、錯誤正確答案：A4.芯片損壞可能導致測試良率偏低。A、正確B、錯誤正確答案：A5.測壓手臂的設置是為了保證引腳完好，使芯片與測試座的引腳正確接觸。A、正確B、錯誤正確答案：A6.元器件在印刷板上的分布應盡量均勻，疏密一致，排列整齊美觀。不允許斜排、立體交叉和重疊排列。A、正確B、錯誤正確答案：A7.電阻絲加熱蒸發可以淀積難熔金屬。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：有些難熔金屬不易用電阻加熱蒸發來實現。8.輸入引線一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設計，且輸入輸出引線盡量遠離，盡量不要交叉。A、正確B、錯誤正確答案：A9.下列程序為定時器基本設置語句。A、正確B、錯誤正確答案：A10.一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕具有較高的選擇比。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕的選擇比不高。11.拋光終點檢測過程中，電動機電流CMP終點檢測不適合進行層間介質檢測。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：電流CMP不適合進行層間介質CMP檢測，這是因為要保留預定的氧化層厚度,沒有能弓|起電流變化的材料露出來。12.把原理圖信息導入到目標PCB文件步驟：。①打開原理圖文件.PcbDoc②在原理圖編輯器選擇.SchDoc命令，工程變更命令對話框出現③單擊ValidateChanges按鈕，驗證一下有無不妥之處④沒有錯誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發送到PCB。⑤單擊Close按鈕，目標PCB文件打開，并且元件也放在PCB板邊框的外面以準備放置。⑥PCB文檔顯示了一個默認尺寸的白色圖紙，要關閉圖紙。A、正確B、錯誤正確答案：B13.使用重力式分選設備進行芯片測試時，串行測試進行的是單項測試。A、正確B、錯誤正確答案：B14.有加溫測試要求的晶圓不需要再進行烘烤。A、正確B、錯誤正確答案：A15.在將原理圖信息導入到新的PCB之前，請確保所有與原理圖和PCB相關的庫都是可用的。A、正確B、錯誤正確答案：A16.設計相同電路的版圖，全定制設計通常比半定制設計占用更多面積。A、正確B、錯誤正確答案：B17.進入芯片檢測車間前需要換上無塵衣、發罩等。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：芯片檢測工藝通常在常規千級無塵車間內進行，進入車間前穿戴防靜電服和發罩即可，無需穿無塵衣。18.進行開短路測試時的三種不同情況，若管腳出現開路，則pin1和地之間會存在一個壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二極管的導通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，V1電壓的測量結果大約為-0.6~-0.7V左右。（）A、正確B、錯誤正確答案：B19.根據切割工具的形式，晶圓切割的方式只有機械切割，一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：晶圓切割通常使用機械切割和激光切割兩種方式，其中機械切割一般采用砂輪劃片的方法。20.在芯片檢測工藝中，要根據封裝形式選擇對應的測試夾具，并進行調試，使測試夾具能夠和芯片引腳一一對應。A、正確B、錯誤正確答案：A21.作為與加工線之間的接口文件，制版文件主要內容包括芯片的基本信息和工藝層次等。A、正確B、錯誤正確答案：A22.轉塔式分選機進行測前光檢時，會在光檢顯示區顯示光檢結果，其中進行方向判斷時，會在界面上顯示的角度360度。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：轉塔式分選機設備進行測前光檢時，光檢顯示區的角度說明有：0°、90