ACFDryETCH制程設(shè)備原理介紹蝕刻在Array制造流程的角色干蝕刻制程原理結(jié)論Q&A干蝕刻設(shè)備原理學(xué)習(xí)目標(biāo)15324大綱學(xué)習(xí)目標(biāo)本課程透過對(duì)蝕刻制程及使用設(shè)備的介紹，使學(xué)員

--了解蝕刻工程部在Array

制程中所扮演的角色。

--ETCH基本概念。鍍膜(PVD,CVD)上光阻(coater)Etch工程Photo工程TF工程光罩(reticule)對(duì)準(zhǔn),曝光(stepper)去光阻液stripper去光阻蝕刻(etch)酸液,氣體Array制造流程蝕刻部門在Array制程中的角色GlassFilm光阻光阻干蝕刻濕蝕刻干蝕刻制程原理介紹機(jī)制:1.)Gasin2.)解離3.)碰撞4.)離子轟擊(非等向性蝕刻)5.)吸附作用6.)化學(xué)反應(yīng)(等向性蝕刻)7.)去吸附作用8.)反應(yīng)去除將特定氣體置于低壓狀態(tài)下施以電壓,將其激發(fā)解離成各種不同的帶電荷離子,原子團(tuán),分子及電子.利用這些解離后帶能量的反應(yīng)性的離子及原子團(tuán),對(duì)特定層膜加以化學(xué)反應(yīng)性的蝕刻及離子轟擊,達(dá)到膜層去除的目的.ETCH反應(yīng)機(jī)制:物理/化學(xué)物理ETCH化學(xué)ETCH干蝕刻設(shè)備原理Power區(qū)分ETCH設(shè)備:HKC使用3.39MHzPortLoadLackProcessChamberTMGateDoor大氣真空玻璃傳送路徑乾蝕刻製程設(shè)備介紹1.Gas2.反應(yīng)室Chamber3.RFPower4.真空裝置5.Temperature6.otherGascylinderPlasma設(shè)備相關(guān)設(shè)計(jì):乾蝕刻製程設(shè)備介紹GasControlSystem:Gasout:APC/TurboPump/DryPump/ScrubberProcessChamberAPCTurboPump廠務(wù)DRYPumpScrubberTurboPumpScrubber乾蝕刻製程設(shè)備介紹GasControlSystem:Gasin:GasBox/MFCsystemGasBox:ControlAllGasCl2/SF6/O2/He.BoxKeep負(fù)壓監(jiān)控

ForCl2leakIssueETCHGas:Cl2/SF6/O2CarryGas:HeTCsystem++++++++-+BackHeMFCPressureControlTMPAPCSCBDDRYP廠務(wù)Glass

+-+-+-+--Glass

+下電極上電極ProcessChamber介紹如何知道干蝕刻已完成一、Timemode:以蝕刻率換算膜厚需蝕刻多久二、EPDmode:EndPointDetector(蝕刻終點(diǎn)偵測(cè))電漿中的物種于反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生激發(fā)反應(yīng)，因電子的沖擊于激起產(chǎn)生發(fā)光光譜。若制程進(jìn)行中對(duì)電漿的物種進(jìn)行連續(xù)的光譜監(jiān)測(cè)，即可做為干蝕刻之終點(diǎn)偵測(cè)裝置。

不同的原子或分子有不同的發(fā)光頻率，這就是為什么不同氣體在電漿中有不同顏色。

總結(jié)本課程重點(diǎn)為：a.蝕刻在Array制程中所扮演的角色。

b.電將蝕刻的基本原理清楚的熟記：a.Etch機(jī)臺(tái)設(shè)備原理

b.ETCH設(shè)備控制機(jī)制上完本課程,您必