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§4-3半導體晶體管§4-3半導體晶體管晶體管是由兩個PN結構成的三端半導體元件。一、晶體管的結構晶體管的外形及管腳極性如圖4-6所示。晶體管可分為NPN型和PNP型兩種類型，結構和圖形符號見圖4-7所示。分為三個區域：發射區、基區和集電區。引出三個管腳分別為發射極E、基極B和集電極C。靠近集電區的PN結稱為集電結，靠近發射區的PN結稱為發射結。發射極箭頭方向代表三極管中電流的方向。§4-3半導體晶體管圖4-6晶體管的外形圖4-7晶體管結構和圖形符號§4-3半導體晶體管圖4-8晶體管電流放大作用的測試電路§4-3半導體晶體管二、晶體管的電流放大作用

三極管電流放大作用可用圖4-8所示。（1）§4-3半導體晶體管（4）晶體管的放大作用源自于其內部結構和必要的外部條件。這個外部條件是指外加電源使三極管的發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置。（5）基極開路時，微小的集電極電流稱為穿透電流，用表示。該值越小，晶體管質量越好。三、晶體管的主要參數1．極限參數（1）集電極最大允許電流它是指晶體管正常工作時，集電極所允許的最大電流。（2）集電極反向擊穿電壓基極開路時，集電極-發射極允許施加的最大電壓。超過此值，晶體管會被擊穿而損壞。§4-3半導體晶體管（3）集電極最大允許耗散功率集電極電流流過集電結時。使結溫升高，導致晶體管發熱，引起晶體管參數變化。2．靜態參數靜態參數表明晶體管的直流特性。（1）直流電流放大系數表征晶體管電流放大能力的參數。根據用途不同常在20～200之間選用。（2）穿透電流為基極開路時，集電極-發射極間加上規定電壓時，從集電極到發射極之間的電流，稱穿透電流。其值受環境溫度影響較大，它是衡量晶體管溫度特性的最重要參數。其值越小，晶體管的溫度特性越好。§4-3半導體晶體管3．動態參數描述

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